• Modo de mejora de la potencia de canal N IGBT transistor
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Modo de mejora de la potencia de canal N IGBT transistor

Proceso de dar un título: RoHS, ISO
Forma: ST
Tipo de blindaje: Cut-Off remota del tubo de blindaje
Método de enfriamiento: Tubo de forma natural refrigerado
Función: interruptor de transistor
Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

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Visión General

Información Básica.

No. de Modelo.
To247 OST20N135HRF
Estructura
Difusión
Estructura de encapsulación
El transistor de plástico sellada
Nivel de potencia
Media Potencia
Material
Silicio
application1
calentamiento por inducción
application2
Soft Switching Applications
Paquete de Transporte
Carton
Especificación
TO247
Marca Comercial
Orientalsemi
Origen
China
Código del HS
8541290000
Capacidad de Producción
Over 1K/Month

Descripción de Producto

 
Descripción del producto

 Descripción general

OST20N135HRF utiliza  la avanzada tecnología patentada Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) de Oriental-Semi para proporcionar un VCE (SAT) extremadamente bajo, una carga de compuerta baja y un excelente rendimiento de conmutación.este dispositivo  es adecuado para  aplicaciones de calentamiento por inducción resonante.



  Valores máximos absolutos  a  TJ  =25ºC  a menos   que se indique lo contrario   

Parámetro Símbolo Valor Unidad
  Voltaje del emisor del colector VCES 1350 V
  Voltaje del emisor de la puerta
VGES
±20 V
   Voltaje del emisor de puerta transitoria, TP  ≤10µs, D<0,01   ±30 V
 Colector continuo  current1), TC  =25 ºC
IC
40
R
 Colector continuo  current1), TC  =100 ºC   20  
 Colector pulsado  current2), TC  =25 ºC IC, pulso 60 R
Diodo  hacia adelante  current1), TC  =25 ºC
SI
40
R
Diodo  hacia adelante  current1), TC  =100 ºC   20  
Diodo  pulsado  current2), TC  =25 ºC SI,  pulse 60 R
Potencia  dissipation3), TC  =25 ºC
PD
290 W
Potencia  dissipation3), TC  =100 ºC   145 W
   Temperatura de funcionamiento y almacenamiento Tstg , TJ -55 a 150 ºC



 Características térmicas
Parámetro Símbolo Valor Unidad
  Resistencia térmica IGBT, caja de conexiones RθJC 0,43 C/W
  Resistencia térmica de diodo, caja de conexión RθJC 0,43 C/W
 Resistencia térmica, empalme-ambient4) RθJA 40 C/W



 Características eléctricas  a  TJ  =25 ºC , salvo   indicación en contrario
Parámetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidad  Condición de prueba
  Tensión de ruptura colector-emisor V(BR)CES 1350     V VGE=0 V, IC =0,5 MA


  Tensión de saturación del colector-emisor


VCE (Sáb)
  1,6 1,8 V VGE  = 15  V, IC = 20 A
      1,8 2,2 V VGE  = 15 V, IC = 25 A
      1,9   V VGE  = 15  V, IC = 20 A,
TJ  =150 ºC
  Voltaje de umbral de puerta-emisor VGE(TH) 5,1 5,8 6,4 V VCE  =VGE, ID =0,5 MA

Tensión de avance del diodo

FV
  1,5 1,7
V
VGE =0 V, SI =20 A.
      1,9     VGE  =0 V, SI =20 A,
TJ  =150 ºC
  Corriente de fuga del emisor de la puerta IGES     100 Na VCE  = 0 V, VGE = 20 V.
  Corriente del colector de tensión de puerta cero EL CIEM     10 μA VCE  = 1350 V, VGE = 0 V.



 Características dinámicas
Parámetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidad  Condición de prueba
Capacitancia de entrada Cie   3907   PF VCE  = 25 V,
VGE  = 0 V,
ƒ=100 KHz
Capacitancia de salida COE   51,3   PF
Capacitancia de transferencia inversa Cres   2,6   PF
  Tiempo de retardo de encendido td (activado)   48   no
VCC=600 V,
IC  =20 A,
VGE  = 15 V,
RG =10 Ω
  Tiempo de retardo de apagado td (desactivado)   144   no
Tiempo de caída tf   235   no
 Energía de apagado Eoff   1,0   MJ



  Características de carga de puerta
Parámetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidad  Condición de prueba
  Carga total de la puerta P.   71,5   NC IC  =20 A,
VCC  =1080 V,
VGE = 15 V.
 Carga de emisor de puerta Qge   15,4   NC
 Cargo de colector de puerta QGC   32,8   NC



Nota
1)      corriente continua calculada  en función      de la temperatura de unión máxima permitida.
2)     valor nominal repetitivo, ancho de pulso limitado por la temperatura de unión máxima.
3)     PD   se basa  en  la temperatura de unión máxima, utilizando resistencia térmica de la caja de unión.
4)     el valor   de RθJA   se  mide  con   el dispositivo  montado  en 1 en  la placa 2 FR-4  con 2oz. Cobre, en  un ambiente de aire sin aire con ta  =25 °C.



 Información para pedidos
Paquete Unidades/tubo Tubos/ Caja interior Unidades/ Caja interior  Caja interior/ Caja de cartón Unidades/ Caja de cartón
TO247 30 11 330 6 1980



 Información del producto
Producto Paquete PB  libre RoHS  Libre de halógenos
OST20N135HRF TO247



 
Cía. Suministro

Enhancement Mode N-Channel Power IGBT Transistor


Declaración de producto verde

Enhancement Mode N-Channel Power IGBT Transistor

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Capital Registrado
10000000 RMB
Área de la Planta
501~1000 Metros Cuadrados