Certificación: | RoHS |
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descripción: | pérdida de conmutación extremadamente baja |
características: | excelente estabilidad y uniformidad |
aplicaciones: | alimentación del pc |
industrias: | iluminación led |
Paquete de Transporte: | Air |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
El parámetro | Valor | Unidad |
VDS. | 650 | V |
Pulso, ID. | 96 | Un |
RDS(on), max @ VGS=10V | 99 | MΩ |
Qg | 66.6 | NC |
El nombre del producto | Paquete | El marcado |
OSG65R099HSZAF | A247 | OSG65R099HSZA |
El parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
Vaciado de la tensión de fuente | VDS. | 650 | V |
Gate-tensión de la fuente | VGS | ±30 | V |
Corriente de drenaje continuo1), el TC=25 °C | ID. |
32 | Un |
Corriente de drenaje continuo1), el TC=100 °C | 20 | ||
Impulsos de corriente de drenaje2), el TC=25 °C | Pulso, ID. | 96 | Un |
Diodo continua corriente1), el TC=25 °C | Es | 32 | Un |
El diodo corriente pulsada2), el TC=25 °C | Es, el pulso | 96 | Un |
Disipación de potencia3) ,TC=25 °C | PD | 278 | W |
Solo avalancha de pulsos de energía5). | EAS | 648 | MJ |
Dv/dt MOSFET de robustez, VDS=0…480 V. | Dv/dt | 50 | V/ns |
Diodo de retroceso, VDS dv/dt=0…480 V, DSI≤ID. | Dv/dt | 50 | V/ns |
Funcionamiento y la temperatura de almacenamiento | Tstg, TJ | -55 a 150 | °C. |
El parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
Resistencia térmica, en la intersección de los casos | RθJC | 0.45 | °C/W |
Resistencia térmica, junction ambiente4). | RθJA | 62 | °C/W |
El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
Vaciar el origen de la tensión de ruptura | BVDSS | 650 | V | VGS = 0 V, ID=1 mA | ||
Tensión umbral de puerta | VGS(a) | 3.0 | 4.5 | V | VDS=VGS, ID=1 mA | |
Fuente de drenaje en el estado resistencia |
RDS(on) |
0.090 | 0.099 | Ω. |
VGS=10 V, ID=16 | |
0.21 | VGS=10 V, ID=16, TJ=150 °C | |||||
Gate-fuente corriente de fuga. | IGSS |
100 | NA |
VGS=30 V | ||
-100 | VGS=-30 V | |||||
Fuente de drenaje de corriente de fuga. | IDSS | 10 | ΜA | VDS=650 V, VGS = 0 V. | ||
Resistencia a la puerta | RG | 7.8 | Ω. | Ƒ=1 MHz, drenaje abierto |
El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
La capacitancia de entrada | La CISS | 3988 | PF | VGS = 0 V, Vds.=50 V Ƒ=100 kHz. |
||
La capacitancia de salida | Coss | 210 | PF | |||
La transferencia inversa la capacitancia | Sir | 7.4 | PF | |||
De salida efectiva de la capacitancia, relacionados con la energía | Co(er) | 124 | PF | VGS = 0 V, VDS=0 V-400 V |
||
De salida efectiva de la capacitancia, relacionadas con el tiempo | Co(tr) | 585 | PF | |||
Tiempo de retardo de encendido | Td(en) | 46.0 | Ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=20 |
||
Tiempo de subida | Tr | 60.3 | Ns | |||
Desactivar el tiempo de retraso | Td(off) | 93.0 | Ns | |||
Tiempo de bajada | Tf | 3.7 | Ns |
El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
El total de carga de la puerta | Qg | 66.6 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=20 |
||
Carga de la fuente de puerta. | Qgs | 20.6 | NC | |||
Carga de drenaje de puerta. | Qgd | 24.8 | NC | |||
Tensión de la meseta de puerta | Vplateau | 6.7 | V |
El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
El diodo tensión directa | VSD | 1.3 | V | Es de=32, VGS = 0 V. | ||
Invertir el tiempo de recuperación | Trr | 151,7 | Ns | Es de=20 A, Di/dt=100 A/μs |
||
Carga de la recuperación de marcha atrás | Qrr | 1.0 | ΜC | |||
El pico de corriente de recuperación inversa | Irrm | 12.3 | Un |
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