Pfc bidireccional, Control de la arquitectura y topología de la Viena de 3 fases de carga Pilesto EV247 Osg65r035HF MOSFET de potencia de alta tensión

• Aplicación: Medición de temperatura
• Número de lote: 2010+
• Tecnología de fabricación: Semiconductor optoelectrónico
• Material: Semiconductor de Elemento
• Model: PC817
• Paquete: Paquete de doble línea en paralelo
• No. de Modelo.: OSG65R035HF
• Procesamiento de señales: Analog Digital Composite and Function
• Tipo: Semiconductor de Tipo N
• descripción: pérdida de conmutación extremadamente baja
• características: excelente estabilidad y uniformidad
• aplicaciones: alimentación del pc
• industrias: iluminación led
• marca: semi oriental
• Paquete de Transporte: Air
• Marca Comercial: Orientalsemiconductor
• Origen: China
• Código del HS: 854129000
• Capacidad de Producción: 20kkkk/Monthly

Descripción de Producto

Descripción general
El MOSFET de alta tensión GreenMOS® utiliza la tecnología de equilibrio de carga para obtener una excelente resistencia a la baja y bajar la compuerta de carga. Ha sido diseñado para minimizar la pérdida de la conducción, ofrecer un mejor rendimiento de conmutación y sólida capacidad de avalancha.
La GreenMOS® serie genérica está optimizado para el rendimiento de conmutación extrema para minimizar la pérdida de conmutación. Está diseñado para aplicaciones de alta densidad de potencia para satisfacer los más altos estándares de eficiencia.

Características                                                                                                    

• Bajo RDS(on) y la FOM
• Extremadamente baja pérdida de conmutación
• Excelente estabilidad y uniformidad

Aplicaciones

• La potencia del PC
• Iluminación LED
• El poder de telecomunicaciones
• Alimentación del servidor.
• Cargador de EV
• Solar/UPS
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• Los parámetros de rendimiento clave
•  

  El parámetro	Valor	Unidad
  VDS, min @ Tj(máx.).	700	V
  Pulso, ID.	240	Un
  RDS(on) , max @ VGS=10V	35	MΩ
  Qg	153,6	NC

  
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  El nombre del producto	Paquete	El marcado
  OSG65R035HTF	A247	OSG65R035HT

Máximo absoluto de los índices en el TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
 

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Vaciado de la tensión de fuente	VDS.	650	V
Gate-tensión de la fuente	VGS	±30	V
Corriente de drenaje continuo^1), el TC=25 °C	ID.	80	Un
Corriente de drenaje continuo^1), el TC=100 °C		50
Impulsos de corriente de drenaje^2), el TC=25 °C	Pulso, ID.	240	Un
Diodo continua corriente^1), el TC=25 °C	Es	80	Un
El diodo corriente pulsada^2), el TC=25 °C	Es, el pulso	240	Un
Disipación de potencia^3) TC=25 °C	PD	455	W
Solo avalancha de pulsos de energía5).	EAS	1700	MJ
Dv/dt MOSFET de robustez, VDS=0…480 V.	Dv/dt	50	V/ns
Diodo de retroceso, VDS dv/dt=0…480 V, DSI≤ID.	Dv/dt	15	V/ns
Funcionamiento y la temperatura de almacenamiento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C.

Las características térmicas
 

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, en la intersección de los casos	RθJC	0.27	°C/W
Resistencia térmica, junction ambiente4).	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas en TJ=25°C a menos que se especifique lo contrario

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
Vaciar el origen de la tensión de ruptura	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, ID=2 mA
		700				VGS = 0 V, ID=2 mA, TJ=150 °C
Tensión umbral de puerta	VGS(a)	2.8		4.0	V	VDS=VGS, ID=2 mA
Fuente de drenaje en el estado resistencia	RDS(on)		0.028	0,035	Ω.	VGS=10 V, ID=40 A
			0,075			VGS=10 V, ID=40, TJ=150 °C
Gate-fuente corriente de fuga.	IGSS			100	NA	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Fuente de drenaje de corriente de fuga.	IDSS			5	ΜA	VDS=650 V, VGS = 0 V.
Resistencia a la puerta	RG		2.4		Ω.	Ƒ= 1 MHz, drenaje abierto

Características dinámicas

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
La capacitancia de entrada	La CISS		7549.2		PF	VGS = 0 V, Vds.=50 V Ƒ=100 kHz.
La capacitancia de salida	Coss		447.1		PF
La transferencia inversa la capacitancia	Sir		13.2		PF
Tiempo de retardo de encendido	Td(en)		El 52,3		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=5 Ω, ID=40 A
Tiempo de subida	Tr		86.8		Ns
Desactivar el tiempo de retraso	Td(off)		165.2		Ns
Tiempo de bajada	Tf		8.5		Ns

Características de carga de la puerta

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
El total de carga de la puerta	Qg		153,6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Carga de la fuente de puerta.	Qgs		41.8		NC
Carga de drenaje de puerta.	Qgd		50.2		NC
Tensión de la meseta de puerta	Vplateau		5.8		V

Características Diodo cuerpo

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
El diodo tensión directa	VSD			1.3	V	Es de=80 A, VGS = 0 V.
Invertir el tiempo de recuperación	Trr		566.1		Ns	VR=400V. Es de=40 A Di/dt=100 A/μs
Carga de la recuperación de marcha atrás	Qrr		13.2		ΜC
El pico de corriente de recuperación inversa	Irrm		45.9		Un

Nota

1. Se calcula una corriente continua basada en la máxima admisible de temperatura de unión.
2. Calificación repetitivos; el ancho de pulso limitada por un máximo de temperatura de unión.
3. Pd se basa en un máximo de temperatura de unión, mediante el cruce de los casos la resistencia térmica.
4. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en el 1 de 2 FR-4 junta 2oz. El cobre, en el aire ambiente con TA=25 °C.
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 mH, a partir de TJ=25 °C.