Mejora de transistor220 Sfg100n08PF Vds-80V-300A de ID (RDS) -6.5milliohm Qg-53.2nc para la protección de la batería Convertidor DC-DC Mosfet de canal N

• Proceso de dar un título: RoHS, ISO
• Forma: ST
• Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento
• Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado
• Función: El transistor de microondas
• Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
• No. de Modelo.: TO220 SFG100N08PF
• Estructura: planar
• Estructura de encapsulación: chip de transistor
• Nivel de potencia: Alto Voltaje
• Material: Silicio
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 35.3x30x37.5/60x23x13
• Marca Comercial: Orientalsemi
• Origen: China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: Over 1kk/Month

Descripción de Producto

 Descripción general
SFGMOS   MOSFET®  se  basa  en el   semiconductor orientales  exclusivo   diseño del dispositivo  para  lograr  bajo RDS(on), bajo la  puerta de  carga, el  cambio rápido  y  excelentes   características de avalancha. El  alto de la   serie V está  especialmente  optimizado  para   sistemas de alta     tensión de la conducción con puerta  superior a  10V.
 

Características
      Bajo  RDS(on) y la  FOM
      Extremadamente  baja   pérdida de conmutación
      Excelente  estabilidad  y  uniformidad
       El cambio rápido  y  la recuperación de software  

Aplicaciones
         Fuente de alimentación conmutada
       Controlador de motor
       Protección de la batería
       Convertidor DC-DC
       El inversor solar
      UPS  y   convertidor de energía


  Los parámetros de rendimiento clave

El parámetro	Valor	Unidad
VDS, min  @ Tj(máx.).	80	V
Pulso, ID.	300	Un
RDS(on), max  @ VGS  =10V	6.5	MΩ
Qg	53.2	NC

 Máximo absoluto de los  índices  en el  TJ  =25°C  a menos que   se indique lo contrario

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Vaciar la   tensión de fuente	VDS.	80	V
La puerta la   tensión de fuente	VGS	±20	V
Corriente de drenaje continuo1) , TC=25 °C	ID.	100	Un
Impulsos de   corriente de drenaje2) , TC=25 °C	Pulso, ID.	300	Un
Diodo continua   corriente1) , TC=25 °C	Es	100	Un
El diodo   corriente pulsada2) , TC=25 °C	Es, el pulso	300	Un
Disipación de potencia3) , TC=25 °C	PD	148	W
Solo   avalancha de pulsos de  energía5).	EAS	135	MJ
Funcionamiento  y la   temperatura de almacenamiento	Tstg  ,Tj	-55 a 150	°C.

Las  características térmicas

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, en la intersección de los casos	RθJC	0.84	°C/W
Resistencia térmica, junction ambiente4).	RθJA	62	°C/W

 Características eléctricas  en  Tj  =25°C  a menos que  se  especifique lo contrario

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
Vaciar el origen de la           tensión de ruptura	BVDSS	80			V	VGS  =0 V, ID =250 µa
El umbral de puerta La tensión	VGS(a)	2.0		4.0	V	VDS  =VGS , ID=250 µa
Fuente de drenaje En el estado de la  resistencia	RDS(on)		6	6.5	MΩ	VGS  =10 V, ID=12
Fuente de puerta.  Corriente de fuga.	IGSS			100	NA	VGS  =20 V
				- 100		VGS  =-20V
Fuente de drenaje  Corriente de fuga.	IDSS			1	ΜA	VDS  =80 V, VGS  =0 V
Resistencia a la puerta	RG		3.1.		Ω.	Ƒ=1 MHz,  drenaje abierto

Nota
1) se    calcula  una  corriente continua  basada  en la  máxima  admisible de   temperatura de unión.
2)     calificación repetitivos; el  ancho de pulso  limitada  por  un máximo de  temperatura de unión.
3)    PD  se  basa  en  un máximo de  temperatura de unión, mediante el  cruce de los casos  la  resistencia térmica.
4)     El  valor  de  RθJA  se  mide  con  el  dispositivo  montado  en el 1 de 2 FR-4 junta  2oz. El cobre, en  el   aire  ambiente  con  TA=25 °C.
5)     VDD=50 V,VGS=10 V, L=0,3 mH, a partir de  Tj  =25 °C.

 

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Paquete Tipo	Las unidades/. El tubo	Los tubos   interiores  de la caja/.	Las unidades    interiores  de la caja/.	Cuadros/  caja de cartón interior	Unidades/     caja de cartón
A220-J	50	20	1000	5	5000

 Información del producto
 

Producto	Paquete	Pb  Free	RoHS	Libre de halógenos
SFG100N08PF	A220	Sí	Sí	Sí

La cadena de suministro

Declaración de los productos verdes