Montones de carga rápida Extral Aux del Flyback uno topologías de interruptor de la OSG90r1K2a262 MOSFET de potencia de alta tensión

• descripción: pérdida de conmutación extremadamente baja
• características: excelente estabilidad y uniformidad
• aplicaciones: alimentación del pc
• industrias: iluminación led
• tipo: estación de carga rápida
• certificación: ISO, TUV, RoHS
• No. de Modelo.: Osg90r1K2if To262
• garantía: 24 meses
• Paquete de Transporte: Air
• Marca Comercial: Orientalsemiconductor
• Origen: China
• Código del HS: 854129000
• Capacidad de Producción: 20kkkk/Monthly

Descripción de Producto

Descripción general
OSG90R1K2xF GreenMOSTM utilizar la avanzada tecnología para proporcionar bajo RDS(on), bajo la puerta de carga, el cambio rápido y excelentes características de avalancha. Este dispositivo es adecuado para la corrección del factor de potencia activa y el modo de fuente de alimentación de conmutación de aplicaciones.


Características                                         Aplicaciones

1. Bajo RDS(on) y de                                              iluminación de FOM
2. Extremadamente baja pérdida de conmutación de                               PWM de conmutación de disco duro
3. Excelente estabilidad y uniformidad de               suministro de alimentación del servidor.
4. Fácil de conducir el                              cargador

Los parámetros de rendimiento clave
 

1. 1. Máximo absoluto de los índices en el TJ=25ºC, a menos que se indique lo contrario

 

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Vaciar la tensión de fuente	VDS.	900	V
La puerta la tensión de fuente	VGS	±30	V
Corriente de drenaje continuo^1), el TC=25 °C.	ID.	5	Un
Corriente de drenaje continuo^1), el TC=100 °C.		3.2.
Impulsos de corriente de drenaje^2), el TC=25 °C.	Pulso, ID.	15	Un
Disipación de potencia3) para A251 A262, el TC=25 °C.	PD	83	W
Disipación de potencia^3) para el A220F, TC=25 °C.		31
Solo avalancha de pulsos de energía5).	EAS	211	MJ
Dv/dt MOSFET de robustez, VDS=0…480 V.	Dv/dt	50	V/ns
Diodo de retroceso, VDS dv/dt=0…480 V, DSI≤ID.	Dv/dt	15	V/ns
Funcionamiento y la temperatura de almacenamiento	Tstg,Tj	-55 a 150	°C.

 

 

1. &Bsp; las características térmicas

 

El parámetro	Símbolo	Valor		Unidad
		A251/A262	A220F
Resistencia térmica, en la intersección de los casos	RθJC	1.5	4.0	ºC/W
Resistencia térmica, junction ambiente4).	RθJA	62	62.5	ºC/W

1. Características eléctricas en TJ=25 ºC, a menos que se especifique lo contrario

 

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
Vaciar el origen de la tensión de ruptura	BVDSS	900			V	VGS = 0 V, ID=250 µa
		960.	1070			VGS = 0 V, ID=250 µa, Tj=150 °C.
Tensión umbral de puerta	VGS(a)	2.0		4.0	V	VDS=VGS, ID=250 µa
Fuente de drenaje en el estado de la resistencia	RDS(on)		1.0	1.2	Ω.	VGS=10 V, ID=2.
			2.88			VGS=10 V, ID=2, Tj=150 °C.
Gate-fuente corriente de fuga.	IGSS			100	NA	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Fuente de drenaje de corriente de fuga.	IDSS			10	ΜA	VDS=900 V, VGS = 0 V.

1. Características dinámicas

 

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
La capacitancia de entrada	La CISS		874.2		PF	VGS = 0 V, Vds.=50 V F=100 kHz.
La capacitancia de salida	Coss		37.5		PF
La transferencia inversa la capacitancia	Sir		1.7		PF
Tiempo de retardo de encendido	Td(en)		33.23		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=33 Ω, ID=5
Tiempo de subida	Tr		26.50		Ns
Desactivar el tiempo de retraso	Td(off)		44.00		Ns
Tiempo de bajada	Tf		17.63		Ns

 

 

1. Características de carga de la puerta

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
El total de carga de la puerta	Qg		12,50		NC	ID=5, VDS=400 V, VGS=10 V
Carga de la fuente de puerta.	Qgs		3.75		NC
Carga de drenaje de puerta.	Qgd		4.28		NC
Tensión de la meseta de puerta	Vplateau		5.8		V

1. Características Diodo cuerpo

 

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
El diodo corriente	Es			5	Un	VGS<Vº
Impulsos de corriente de fuente	ISP			15
El diodo tensión directa	VSD			1.3	V	Es=5, VGS = 0 V.
Invertir el tiempo de recuperación	Trr		265.87		Ns	VR=400 V, es=5, Di/dt=100 A/μs
Carga de la recuperación de marcha atrás	Qrr		2.88		ΜC
El pico de corriente de recuperación inversa	Irrm		19,51		Un

1. Nota

 

1. Se calcula una corriente continua basada en la máxima admisible de temperatura de unión.
2. Calificación repetitivos; el ancho de pulso limitada por un máximo de temperatura de unión.
3. Pd se basa en un máximo de temperatura de unión, mediante el cruce de los casos la resistencia térmica.
4. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en el 1 de 2 FR-4 junta 2oz. El cobre, en el aire ambiente con TA=25 ºC.
5. VDD=100 V, RG=47 Ω, L=10 mH, a partir de TJ=25 ºC.

Marcar información
 

El nombre del producto	Paquete	El marcado
OSG65R038HZF	A247	OSG65R038Hz

Máximo absoluto de los índices en el TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
 

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Vaciado de la tensión de fuente	VDS.	650	V
Gate-tensión de la fuente	VGS	±30	V
Corriente de drenaje continuo^1), el TC=25 °C	ID.	80	Un
Corriente de drenaje continuo^1), el TC=100 °C		50
Impulsos de corriente de drenaje^2), el TC=25 °C	Pulso, ID.	240	Un
Diodo continua corriente^1), el TC=25 °C	Es	80	Un
El diodo corriente pulsada^2), el TC=25 °C	Es, el pulso	240	Un
Disipación de potencia^3)  ,TC=25  °C	PD	500	W
Solo avalancha de pulsos de energía5).	EAS	2900	MJ
Dv/dt MOSFET de robustez, VDS=0…480 V.	Dv/dt	100	V/ns
Diodo de retroceso, VDS dv/dt=0…480 V, DSI≤ID.	Dv/dt	50	V/ns
Funcionamiento y la temperatura de almacenamiento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C.

Las características térmicas
 

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, en la intersección de los casos	RθJC	0.25	°C/W
Resistencia térmica, junction ambiente4).	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas en TJ=25°C a menos que se especifique lo contrario

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
Vaciar el origen de la tensión de ruptura	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, ID=2 mA
		700	770			VGS = 0 V, ID=2 mA, TJ=150 °C
El umbral de puerta La tensión	VGS(a)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=2 mA
Fuente de drenaje En el estado de la resistencia	RDS(on)		0.032	0,038	Ω.	VGS=10 V, ID=40 A
			0,083			VGS=10 V, ID=40, TJ=150 °C
Gate-fuente corriente de fuga.	IGSS			100	NA	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Fuente de drenaje de corriente de fuga.	IDSS			10	ΜA	VDS=650 V, VGS = 0 V.
Resistencia a la puerta	RG		2.1.		Ω.	Ƒ=1 MHz, drenaje abierto

Características dinámicas

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
La capacitancia de entrada	La CISS		9276		PF	VGS = 0 V, Vds.=50 V Ƒ=100 kHz.
La capacitancia de salida	Coss		486.		PF
La transferencia inversa la capacitancia	Sir		12.8		PF
De salida efectiva de la capacitancia, relacionados con la energía	Co(er)		278		PF	VGS = 0 V, VDS=0 V-400 V
De salida efectiva de la capacitancia, relacionadas con el tiempo	Co(tr)		1477		PF
Tiempo de retardo de encendido	Td(en)		55.9		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Tiempo de subida	Tr		121,2		Ns
Desactivar el tiempo de retraso	Td(off)		114,2		Ns
Tiempo de bajada	Tf		8.75		Ns

Características de carga de la puerta

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
El total de carga de la puerta	Qg		175.0		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Carga de la fuente de puerta.	Qgs		40.1		NC
Carga de drenaje de puerta.	Qgd		76.1		NC
Tensión de la meseta de puerta	Vplateau		6.4		V

Características Diodo cuerpo

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
El diodo tensión directa	VSD			1.3	V	Es de=80 A, VGS = 0 V.
Invertir el tiempo de recuperación	Trr		180		Ns	Es de=30 A, Di/dt=100 A/μs
Carga de la recuperación de marcha atrás	Qrr		1.5		La uC
El pico de corriente de recuperación inversa	Irrm		15.2		Un

Nota

1. Se calcula una corriente continua basada en la máxima admisible de temperatura de unión.
2. Calificación repetitivos; el ancho de pulso limitada por un máximo de temperatura de unión.
3. Pd se basa en un máximo de temperatura de unión, mediante el cruce de los casos la resistencia térmica.
4. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en el 1 de 2 FR-4 junta 2oz. El cobre, en el aire ambiente con TA=25 °C.
5. VDD=300 V, VGS=10 V, L=40 mH, a partir de TJ=25 °C.