Convertidor Flyback Auxiliar Topologías de Un Interruptor Mosfet de Potencia de Semiconductores N-Canal

• Aplicación: Televisión
• Número de lote: 2010+
• Tecnología de fabricación: Semiconductor optoelectrónico
• No. de Modelo.: OSG90R1K2AF TO251
• Material: Semiconductor de Elemento
• Modelo: PC817
• Paquete: SMD
• Procesamiento de señales: Digital
• Tipo: Semiconductor de Tipo N
• descripción: pérdida de conmutación extremadamente baja
• características: excelente estabilidad y uniformidad
• aplicaciones: alimentación del pc
• industrias: iluminación led
• marca: orimental
• Paquete de Transporte: cartón
• Especificación: 35x30x37 cm
• Marca Comercial: semiconductor oriental
• Origen: China
• Código del HS: 854129000
• Capacidad de Producción: 20k/mensual

Descripción de Producto

Descripción del producto

Descripción general

El MOSFET de alta tensión GreenMOS® utiliza tecnología de equilibrio de carga para lograr una resistencia a la entrada baja y una carga de compuerta más baja. Está diseñado para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una sólida capacidad de avalancha.
La serie Z de GreenMOS® está integrada con diodo de recuperación rápida (FRD) para minimizar el tiempo de recuperación inversa. Es adecuado para topologías de conmutación resonantes para alcanzar una mayor eficiencia, mayor fiabilidad y un factor de forma más pequeño.

Características

• RDS (ON) Y FOM BAJOS
• Pérdida de conmutación extremadamente baja
• Excelente estabilidad y uniformidad
• Diodo de cuerpo ultrarrápido y robusto

Aplicaciones                                                                                             

• Alimentación del PC
• Energía de telecomunicaciones
• Potencia del servidor
• Cargador EV
• Controlador de motor

Parámetros clave de rendimiento
 

Parámetro	Valor	Unidad
VDS, mín. A TJ (máx.)	650	V
ID, pulso	240	R
RDS(ON), MÁX. A VGS=10V	30	MΩ
P.	178	NC

Información de marcado
 

Nombre del producto	Paquete	Marcado
OSG60R030HZF	TO247	OSG60R030HZ

Valores máximos absolutos a TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	600	V
Tensión de la fuente de la puerta	VGS	±30	V
Drenaje continuo current1^), TC=25 °C.	ID	80	R
Drenaje continuo current1^), TC=100 °C.		50
Drenaje pulsado current2^), TC=25 °C.	ID, pulso	240	R
Diodo continuo hacia adelante current1^), TC=25 °C.	ES	80	R
Diodo pulsado current2^), TC=25 °C.	ES, pulso	240	R
Potencia dissipation3^), TC=25 °C.	PD	480	W
Avalancha por impulsos sencilla energy5)	EAS	2500	MJ
Resistencia MOSFET dv/dt, VDS=0...480 V.	dv/dt	50	V/ns
Diodo inverso dv/dt, VDS=0...480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C

Características térmicas
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, caja de conexiones	RθJC	0,26	°C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas a TJ=25°C salvo que se especifique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de ruptura de la fuente de drenaje	BVDSS	600			V	VGS=0 V, ID=1 MA
Tensión de umbral de puerta	VGS(TH)	3,0		4,5	V	VDS=VGS, ID=2 MA,
Fuente de drenaje resistencia en estado	RDS (ACTIVADO)		0,028	0,030	Ω	VGS=10 V, ID=40 A.
			0,058			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C.
Corriente de fuga de la fuente de inyección	IGS			100	Na	VGS=30 V.
				-100		VGS=-30 V.
Corriente de fuga de la fuente de drenaje	IDSS			10	μA	VDS=600 V, VGS=0 V.
Resistencia de la compuerta	RG		2,1		Ω	ƒ=1 MHz, drenaje abierto

Características dinámicas

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		9343		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz
Capacitancia de salida	COSS		708		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		15		PF
Capacitancia de salida efectiva, relacionada con la energía	Co(er)		345		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V.
Capacitancia de salida efectiva, relacionada con el tiempo	Co(tr)		1913		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		52,1		no	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Tiempo de subida	tr		105,2		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		125,7		no
Tiempo de caída	tf		4,1		no

Características de carga de puerta

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	P.		177,9		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Cargo por fuente de inyección	QGS		37,4		NC
Carga de drenaje de la compuerta	Qgd		78,4		NC
Tensión de meseta de la puerta	VPlateau		6,2		V

Características del diodo corporal

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de avance del diodo	VSD			1,4	V	IS=80 A, VGS=0 V.
Invertir tiempo de recuperación	trr		186,6		no	ES=40 A, Di/dt=100 A/μs
Carga de recuperación inversa	QRR		1,6		μC
Corriente de recuperación inversa pico	Irrm		15,4		R

Nota

1. Corriente continua calculada en función de la temperatura de unión máxima permitida.
2. Capacidad repetitiva; ancho de pulso limitado por la temperatura de unión máxima.
3. PD se basa en la temperatura de unión máxima, utilizando resistencia térmica de la caja de unión.
4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 MH, TJ inicial=25 °C.