1/3 coste del dispositivo de nitruro de galio (GAN) en alto Operaciones de frecuencia Super Si Semiconductor

• descripción: pérdida de conmutación extremadamente baja
• características: excelente estabilidad y uniformidad
• aplicaciones: alimentación del pc
• industrias: iluminación led
• Paquete de Transporte: Air
• Marca Comercial: Orientalsemiconductor
• Origen: China
• Código del HS: 854129000
• Capacidad de Producción: 20K/Monthly

Descripción de Producto

Descripción del producto

Descripción general

El MOSFET de alta tensión GreenMOS® utiliza tecnología de equilibrio de carga para lograr una resistencia a la entrada baja y una carga de compuerta más baja. Está diseñado para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una sólida capacidad de avalancha.
La serie SuperSi GreenMOS® se basa en el diseño de dispositivos exclusivo de Oriental Semiconductor para lograr características de conmutación extremadamente rápidas. Es el sustituto perfecto del dispositivo de nitruro de galio (GAN) en operaciones de alta frecuencia con mejor resistencia y coste. Está dirigido a cumplir con los estándares de eficiencia más agresivos de los sistemas de suministro de energía, ya que lleva tanto el rendimiento como la densidad de potencia a límites extremos.

Características                                                                                                   

• RDS (ON) Y FOM BAJOS
• Pérdida de conmutación extremadamente baja
• Excelente estabilidad y uniformidad
• Fácil de diseñar

Aplicaciones

• Cargador PD
• Pantalla grande
• Energía de telecomunicaciones
• Potencia del servidor

Parámetros clave de rendimiento

 

Parámetro	Valor	Unidad
VDS, mín. A TJ (máx.)	700	V
ID, pulso	36	R
RDS(ON), MÁX. A VGS=10V	340	MΩ
P.	9,6	NC

Información de marcado

 

Nombre del producto	Paquete	Marcado
OSS65R340DF	TO252	OSS65R340D

Información de paquete y PIN
 

 

 

Valores máximos absolutos a TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	650	V
Tensión de la fuente de la puerta	VGS	±30	V
Drenaje continuo current1^), TC=25 °C.	ID	12	R
Drenaje continuo current1^), TC=100 °C.		7,6
Drenaje pulsado current2^), TC=25 °C.	ID, pulso	36	R
Diodo continuo hacia adelante current1^), TC=25 °C.	ES	12	R
Diodo pulsado current2^), TC=25 °C.	ES, pulso	36	R
Potencia dissipation3^), TC=25 °C.	PD	83	W
Avalancha por impulsos sencilla energy5)	EAS	200	MJ
Resistencia MOSFET dv/dt, VDS=0...480 V.	dv/dt	50	V/ns
Diodo inverso dv/dt, VDS=0...480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C

Características térmicas
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, caja de conexiones	RθJC	1,5	°C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas a TJ=25°C salvo que se especifique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de ruptura de la fuente de drenaje	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
		700				VGS=0 V, ID=250 μA, TJ=150 °C.
Tensión de umbral de puerta	VGS(TH)	2,9		3,9	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Resistencia de estado de encendido de la fuente de drenaje	RDS (ACTIVADO)		0,30	0,34	Ω	VGS=10 V, ID=6 A.
			0,73			VGS=10 V, ID=6 A, TJ=150 °C.
Corriente de fuga de la fuente de inyección	IGS			100	Na	VGS=30 V.
				-100		VGS=-30 V.
Corriente de fuga de la fuente de drenaje	IDSS			1	μA	VDS=650 V, VGS=0 V.

Características dinámicas

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		443,5		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz
Capacitancia de salida	COSS		59,6		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		1,7		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		22,4		no	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=6 A
Tiempo de subida	tr		17,5		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		40,3		no
Tiempo de caída	tf		7,2		no

Características de carga de puerta

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	P.		9,6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 A
Cargo por fuente de inyección	QGS		2,2		NC
Carga de drenaje de la compuerta	Qgd		4,5		NC
Tensión de meseta de la puerta	VPlateau		6,5		V

Características del diodo corporal

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de avance del diodo	VSD			1,3	V	IS=12 A, VGS=0 V.
Invertir tiempo de recuperación	trr		236,5		no	VR=400 V, IS=6 A, Di/dt=100 A/μs
Carga de recuperación inversa	QRR		2,2		μC
Corriente de recuperación inversa pico	Irrm		19,1		R

Nota

1. Corriente continua calculada en función de la temperatura de unión máxima permitida.
2. Capacidad repetitiva; ancho de pulso limitado por la temperatura de unión máxima.
3. PD se basa en la temperatura de unión máxima, utilizando resistencia térmica de la caja de unión.
4. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en 1 en la placa 2 FR-4 con 2oz. Cobre, en un ambiente de aire sin aire con ta=25 °C.
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 MH, TJ inicial=25 °C.