2"/3"/4" Vgf Indopant fosfuro de indio (InP) obleas de sustratos
| Precio FOB de Referencia: | US$ 100,00 / Pieza |
|---|---|
| Pedido Mínimo: | 1 Pieza |
| Pedido Mínimo | Precio FOB de Referencia |
|---|---|
| 1 Pieza | US$ 100,00/ Pieza |
| Puerto: | Qingdao, China |
|---|---|
| Condiciones de Pago: | T/T, Western Union, Money Gram |
Descripción de Producto
Información de la Compañía
Descripción de Producto
| Producto | De diámetro (Pulg.) | Tipo | La concentración de portador(cm-3) | La movilidad (Cm2 V-1s-1) | La resistividad (W.cm) | E.P.D. (Cm-2) | ||||
| Undopant InP | 2/3 | N | (0.8-2)'1016 | (3,5- 4) "103 | < 5'104 | |||||
| S-InP | 2 | N | (0.8-3)'1018 | (2.0-2.4) "103 | < 3'104 | |||||
| (4-8)'1018 | (1.0-1.6) "103 | <6'103 <1'103 | ||||||||
| 3/4 | (0.8-3)'1018 | (2.0-2.4) "103 | < 5'104 | |||||||
| (4-8)'1018 | (1.0-1.6) "103 | <6'103 <1'103 | ||||||||
| Zn-InP | 2/3 | P | (0.6-2) '1018 | 70-90 | < 5'104 | |||||
| (3-6)'1018 | 50-70 | <5'103 | ||||||||
| Fe-InP | 2/3/4 | SI | >2000 | >1'107 | < 5'104 | |||||
| >2000 | >1'107 | < 1'104 | ||||||||
| Otros | ||||||||||
| La orientación | (100)/(111)±0,5° | La planeidad(μm) | ||||||||
| Vtt | Bow | Warp | ||||||||
| ≤12 | ≤12 | ≤15 | ||||||||
| 2" | 3" | 4" | ||||||||
| El grosor (mm) | 350±25/2 | 600±25/3" | 1000±25/4" | |||||||
| Longitud de la plana principal (mm) (mm) | 16±2 | 22±2 | 32.5±2.5 | |||||||
| La longitud de plano secundario (mm) (mm) | 8±1 | 11±1 | 32.5±2.5 | |||||||
| Single o Doble polaco, abrir y utilizar, se acepta la petición del cliente. | ||||||||||
Somos uno de los mayores fabricantes de InP wafer en China.
Póngase en contacto con nosotros para más detalles.
Dirección:
Cross in Jingjiu Street, Xinxiang, Henan, China
Tipo de Negocio:
Fabricante/Fábrica
Rango de Negocios:
Lámparas y Faroles, Metalurgia, Mineral y Energía
Certificación del Sistema de Gestión:
ISO 9001
Productos Principales:
GaAs, GaAs Wafer, GaAs Ingot
Introducción de Empresa:
Shenzhou Crystal se fundó en 1970, fabricante de material GaAs con 100 empleados altamente cualificados y dedicados, cubre un área de 450 acres. Diseñamos, desarrollamos, fabricamos y distribuimos sustratos de semiconductores compuestos de alto rendimiento.
Con el desarrollo de material semiconductor en la producción y procesamiento de materiales semiconductores de dos y tres generaciones, Shenzhou se ha dirigido a productos de alta gama, el uso de nuevas tecnologías, nuevos procesos, comprometidos con la oblea GaAs (GaAs), la oblea de carburo de silicio (SiC) y otros materiales semiconductores, Que se utiliza ampliamente en el campo de la microelectrónica (comunicaciones móviles, radar, comunicaciones por satélite, guía de precisión), campo optoelectrónico (láser, Diodo emisor de luz), y campos de energía solar, etc., principalmente exportados al sudeste de Asia y Europa y al mercado de los Estados Unidos.
Con el desarrollo de material semiconductor en la producción y procesamiento de materiales semiconductores de dos y tres generaciones, Shenzhou se ha dirigido a productos de alta gama, el uso de nuevas tecnologías, nuevos procesos, comprometidos con la oblea GaAs (GaAs), la oblea de carburo de silicio (SiC) y otros materiales semiconductores, Que se utiliza ampliamente en el campo de la microelectrónica (comunicaciones móviles, radar, comunicaciones por satélite, guía de precisión), campo optoelectrónico (láser, Diodo emisor de luz), y campos de energía solar, etc., principalmente exportados al sudeste de Asia y Europa y al mercado de los Estados Unidos.
