Indio Antimonide (InSb)

1. Dia 3'', lenth 100mm.
2. Densidad de dislocaciones: <100cm-2
3. Más de diez años de experiencia para hacer este tipo de cristal.
4. Crecimiento: CZ
InSb tiene la apariencia de gris oscuro en polvo o piezas de metal plateado con brillo vítreo. Cuando se somete a temperaturas de más de 500 ° C, se derrite y se descompone, la liberación de antimonio y los vapores de óxido de antimonio.
InSb es un estrecho-gap semiconductor con una separación de la franja de la energía de 0,17 eV a 300 K y el 0,23 eV a 80 K. La estructura cristalina es zincblende con 0,648 nm lattice constante.
Undoped InSb posee la mayor movilidad de electrones a temperatura ambiente (78000 cm2/(V*s), la velocidad de deriva de electrones, y longitud de la balística (hasta 0,7 micras, a 300 K) cualquier semiconductor, excepto posiblemente para los nanotubos de carbono.
Indio antimonide detectores fotodiodos son la energía fotovoltaica, la generación de corriente eléctrica cuando se somete a la radiación infrarroja. Interno de InSb eficiencia cuántica es realmente 100%, pero es una función del espesor especialmente cerca de bandedge fotones. Como todos los materiales de los detectores InSb estrecha banda prohibida periódicos requieren calados, aumentando la complejidad del sistema de imagen. Esta complejidad es útil cuando se necesita una sensibilidad extrema, e. G. En militares de largo alcance de los sistemas de imágenes térmicas. Los detectores InSb también requieren refrigeración, ya que tienen que operar a temperaturas criogénicas (normalmente 80 K). Grandes matrices (hasta 2048x2048 píxeles) están disponibles. HgCdTe PtSi y son los materiales con uso similar.
Una capa de indio antimonide atrapado entre las capas de aluminio indio antimonide puede actuar como un salto. Este enfoque es estudiada para construir transistores muy rápido. Transistores bipolares que operan en frecuencias de hasta 85 GHz fueron construidos a partir de indio antimonide a finales de 1990; los transistores de efecto campo que operan en más de 200 GHz han sido reportados recientemente (Intel/QinetiQ). Algunos modelos sugieren que las frecuencias de terahercios son alcanzables con este material. Los dispositivos semiconductores antimonide indio también son capaces de operar con tensiones por debajo de 0,5 V, la reducción de sus requisitos de alimentación.