Semi-Conductor marcadora láser

Introducción: el

lado de los semiconductores marcadora láser YAG bombeado llamada marcadora láser YAG bombeado del lado de diodo, adopte la más avanzada tecnología láser, es la longitud de onda de semiconductores el diodo láser 808nm Nd: YAG bombeado de tamaño medio, para producir gran cantidad de partículas de inversión, con la Q de contacto, la formación de 1064nm de longitud de onda de pulso gigante de la salida de láser, producen una enorme de energía láser, a continuación, se transforman en energía calorífica. Se puede hacer que el material de superficie derretir instantáneamente, la oxidación o gasificación, con lo que forman la garphic marca.



Especificación:

OutputPower: 50W/75W

1064nm de longitud de onda:

M2 BeamQuality: <10

frecuencia de ajuste: 0.2KHz-50KHz

marcado alcance: 110mm x 110mm (aceptar) a medida personalizada la

profundidad de Marcado: ≤ 0,3 mm de

velocidad de Marcado: ≤ 7000mm/s

Min. Ancho de línea: 0,015 mm

mín. El carácter Tamaño: 0,2 mm de

precisión de repetición: ± 0.002 mm

Potencia Total: ≤ 2 KW