Producto Eléctrico y Electrónico Triodo Precios de Transistor de Conmutación 2024 Lista de Precios de Transistor de Conmutación

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Transistor de Conmutación

Juxing Mmbt5551 180V600mA SOT-23 Plastic-Encapsulate transistores de conmutación (NNP)

Juxing Mmbt5551 180V600mA SOT-23 Plastic-Encapsulate transistores de conmutación (NNP)

Juxing Mmbt5551 180V600mA SOT-23 Plastic-Encapsulate transistores de conmutación (NNP)

Juxing Mmbt5551 180V600mA SOT-23 Plastic-Encapsulate transistores de conmutación (NNP)

Juxing Mmbt5551 180V600mA SOT-23 Plastic-Encapsulate transistores de conmutación (NNP)

Juxing Mmbt5551 180V600mA SOT-23 Plastic-Encapsulate transistores de conmutación (NNP)

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Juxing Mmbt5551 180V600mA SOT-23 Plastic-Encapsulate transistores de conmutación (NNP)

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,0183-0,0486 / Pieza

Cantidad Mínima: 3.000 Piezas

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISOCCC

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Instalación: SMD Tríodo

Frecuencia de trabajo: Baja frecuencia

Nivel de potencia: pequeñas Centrales

Función: triodo de potenciaTriodo de conmutación

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG320G04HJRQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG320G04HJRQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG320G04HJRQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG320G04HJRQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG320G04HJRQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG320G04HJRQ

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Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG320G04HJRQ

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,88 / Pieza

Cantidad Mínima: 1.000 Piezas

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Marca: YJ

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

El transistor 2SC3896 Nueva electrónica NPN 800V 8A 70W

El transistor 2SC3896 Nueva electrónica NPN 800V 8A 70W

El transistor 2SC3896 Nueva electrónica NPN 800V 8A 70W

El transistor 2SC3896 Nueva electrónica NPN 800V 8A 70W

El transistor 2SC3896 Nueva electrónica NPN 800V 8A 70W

El transistor 2SC3896 Nueva electrónica NPN 800V 8A 70W

El transistor 2SC3896 Nueva electrónica NPN 800V 8A 70W

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,36-1,03 / Pieza

Cantidad Mínima: 10 Piezas

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Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISOCCC

Estructura de encapsulación: chip de transistor

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Overclocking

Nivel de potencia: Media Potencia

Función: Fotosensible,tubo Darlington,triodo de potenciaTriodo de conmutación

Tt2076 Pantalla de televisión original Transistor 1500 V 18A

Tt2076 Pantalla de televisión original Transistor 1500 V 18A

Tt2076 Pantalla de televisión original Transistor 1500 V 18A

Tt2076 Pantalla de televisión original Transistor 1500 V 18A

Tt2076 Pantalla de televisión original Transistor 1500 V 18A

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Tt2076 Pantalla de televisión original Transistor 1500 V 18A

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,79 / Pieza

Cantidad Mínima: 500 Piezas

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Material: Silicio

Marca: sanyo

Estándar: standard

Origen: China

0.2A Bav99 A7/70V DE UN DIODO SMD Sot-23-3 Bav Transistor7w99

0.2A Bav99 A7/70V DE UN DIODO SMD Sot-23-3 Bav Transistor7w99

0.2A Bav99 A7/70V DE UN DIODO SMD Sot-23-3 Bav Transistor7w99

0.2A Bav99 A7/70V DE UN DIODO SMD Sot-23-3 Bav Transistor7w99

0.2A Bav99 A7/70V DE UN DIODO SMD Sot-23-3 Bav Transistor7w99

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,01-0,07 / Pieza

Cantidad Mínima: 1.000 Piezas

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Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISOCCC

Estructura de encapsulación: chip de transistor

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Overclocking

Nivel de potencia: Media Potencia

Función: Fotosensible,triodo de potenciaTriodo de conmutación

60V modo de mejora de canal N MOSFET transistor SOT-23 MMBF170

60V modo de mejora de canal N MOSFET transistor SOT-23 MMBF170

60V modo de mejora de canal N MOSFET transistor SOT-23 MMBF170

60V modo de mejora de canal N MOSFET transistor SOT-23 MMBF170

60V modo de mejora de canal N MOSFET transistor SOT-23 MMBF170

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60V modo de mejora de canal N MOSFET transistor SOT-23 MMBF170

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,032 / Pieza

Cantidad Mínima: 1.000 Piezas

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS,CEISO

Intensidad luminosa: Estándar

Estructura: planar

Material: Silicio

Marca: Merry

Embalaje: Plastic Package

Transistores digitales PNP (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 DTA144ECAQ

Transistores digitales PNP (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 DTA144ECAQ

Transistores digitales PNP (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 DTA144ECAQ

Transistores digitales PNP (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 DTA144ECAQ

Transistores digitales PNP (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 DTA144ECAQ

Transistores digitales PNP (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 DTA144ECAQ

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Transistores digitales PNP (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 DTA144ECAQ

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,796 / Pieza

Cantidad Mínima: 1.000 Piezas

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Estructura: Aleación

Material: Silicio

Marca: MR

Embalaje: Plastic Package

Transistor de pequeña señal doble NPN+PNP SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT3946Q

Transistor de pequeña señal doble NPN+PNP SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT3946Q

Transistor de pequeña señal doble NPN+PNP SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT3946Q

Transistor de pequeña señal doble NPN+PNP SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT3946Q

Transistor de pequeña señal doble NPN+PNP SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT3946Q

Transistor de pequeña señal doble NPN+PNP SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT3946Q

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Transistor de pequeña señal doble NPN+PNP SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT3946Q

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,12-1,23 / Pieza

Cantidad Mínima: 1 Pieza

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Marca: YJ

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL02N04AKHQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL02N04AKHQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL02N04AKHQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL02N04AKHQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL02N04AKHQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL02N04AKHQ

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Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL02N04AKHQ

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,81 / Pieza

Cantidad Mínima: 1.000 Piezas

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Marca: YJ

Embalaje: Plastic Package

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Transistores 23-G Ktc3875 Ktc3875-o Sot-Kta1504

Transistores 23-G Ktc3875 Ktc3875-o Sot-Kta1504

Transistores 23-G Ktc3875 Ktc3875-o Sot-Kta1504

Transistores 23-G Ktc3875 Ktc3875-o Sot-Kta1504

Transistores 23-G Ktc3875 Ktc3875-o Sot-Kta1504

Transistores 23-G Ktc3875 Ktc3875-o Sot-Kta1504

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Transistores 23-G Ktc3875 Ktc3875-o Sot-Kta1504

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,005-0,04 / Pieza

Cantidad Mínima: 1.250 Piezas

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

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Tecnología de Fabricación: Semiconductores Optoelectrónicos

Material: Semiconductor Compuesto

Paquete: DIP

Procesamiento De La Señal: Compuesto digital y función analógica

Marca: YFW

Embalaje: 3K/Reel/Tap, Inner Box, Master

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene las aplicaciones YJD80G06CQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene las aplicaciones YJD80G06CQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene las aplicaciones YJD80G06CQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene las aplicaciones YJD80G06CQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene las aplicaciones YJD80G06CQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene las aplicaciones YJD80G06CQ

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Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene las aplicaciones YJD80G06CQ

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,13-1,26 / Pieza

Cantidad Mínima: 1 Pieza

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Proceso de dar un título: RoHS

Material: Silicio

Marca: YJ

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Origen: Guangdong, China

2SA1540 A1540 Transistor PNP-126 200V de 0,1

2SA1540 A1540 Transistor PNP-126 200V de 0,1

2SA1540 A1540 Transistor PNP-126 200V de 0,1

2SA1540 A1540 Transistor PNP-126 200V de 0,1

2SA1540 A1540 Transistor PNP-126 200V de 0,1

2SA1540 A1540 Transistor PNP-126 200V de 0,1

2SA1540 A1540 Transistor PNP-126 200V de 0,1

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,39-0,996 / Pieza

Cantidad Mínima: 10 Piezas

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Proceso de dar un título: RoHS,CEISO

Estructura de encapsulación: chip de transistor

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Nivel de potencia: Media Potencia

Función: Fotosensible,tubo Darlington,triodo de potenciaTriodo de conmutación

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3407CQ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3407CQ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3407CQ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3407CQ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3407CQ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3407CQ

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Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL3407CQ

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,80 / Pieza

Cantidad Mínima: 1.000 Piezas

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Marca: YJ

Embalaje: Plastic Package

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Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD60G04HHQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD60G04HHQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD60G04HHQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD60G04HHQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD60G04HHQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD60G04HHQ

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Modo de mejora de canal N efecto de campo transistor bajo RDS(on) y FOM TO-252 obtiene aplicaciones YJD60G04HHQ

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,12-1,26 / Pieza

Cantidad Mínima: 1 Pieza

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Marca: YJ

Embalaje: Plastic Package

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60V/80A 7mΩ RU6080L Transistor profesional Mayorista de Potencia Avanzada

60V/80A 7mΩ RU6080L Transistor profesional Mayorista de Potencia Avanzada

60V/80A 7mΩ RU6080L Transistor profesional Mayorista de Potencia Avanzada

60V/80A 7mΩ RU6080L Transistor profesional Mayorista de Potencia Avanzada

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,13-0,14 / Pieza

Cantidad Mínima: 1.000 Piezas

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Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISOCCC

Forma: GT

Tipo de blindaje: Cut-Off remota del tubo de blindaje

Método de enfriamiento: Tubo de forma natural refrigerado

Función: Volver transistor de alta presión,El transistor de microondasinterruptor de transistor

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL2301HQ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL2301HQ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL2301HQ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL2301HQ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL2301HQ

Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL2301HQ

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Modo de mejora del canal P efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-23 obtiene aplicaciones YJL2301HQ

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,89 / Pieza

Cantidad Mínima: 1.000 Piezas

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Marca: YJ

Embalaje: Plastic Package

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Transistor de pequeña señal doble NPN+PNP SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT2227Q

Transistor de pequeña señal doble NPN+PNP SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT2227Q

Transistor de pequeña señal doble NPN+PNP SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT2227Q

Transistor de pequeña señal doble NPN+PNP SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT2227Q

Transistor de pequeña señal doble NPN+PNP SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT2227Q

Transistor de pequeña señal doble NPN+PNP SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT2227Q

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,13-1,19 / Pieza

Cantidad Mínima: 1 Pieza

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Marca: YJ

Embalaje: Plastic Package

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Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación PDFN5060-8L recupera aplicaciones YJG60G10BQ

Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación PDFN5060-8L recupera aplicaciones YJG60G10BQ

Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación PDFN5060-8L recupera aplicaciones YJG60G10BQ

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Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo excelente paquete para el calor Disipación PDFN5060-8L recupera aplicaciones YJG60G10BQ

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,93 / Pieza

Cantidad Mínima: 1.000 Piezas

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Marca: YJ

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Dmws120h100sm4 MOSFET Sic Bvdss 1000V TO247-4 tubo 30PS transistores

Dmws120h100sm4 MOSFET Sic Bvdss 1000V TO247-4 tubo 30PS transistores

Dmws120h100sm4 MOSFET Sic Bvdss 1000V TO247-4 tubo 30PS transistores

Dmws120h100sm4 MOSFET Sic Bvdss 1000V TO247-4 tubo 30PS transistores

Dmws120h100sm4 MOSFET Sic Bvdss 1000V TO247-4 tubo 30PS transistores

Dmws120h100sm4 MOSFET Sic Bvdss 1000V TO247-4 tubo 30PS transistores

Dmws120h100sm4 MOSFET Sic Bvdss 1000V TO247-4 tubo 30PS transistores

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,001-0,1 / Pieza

Cantidad Mínima: 10 Piezas

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISOCCC

Estructura de encapsulación: chip de transistor

Instalación: SMD Tríodo

Función: Fotosensible,tubo Darlington,triodo de potenciaTriodo de conmutación

Estructura: NPN

Material: Silicio

Transistores digitales PNP (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-323 DTA114YUAQ

Transistores digitales PNP (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-323 DTA114YUAQ

Transistores digitales PNP (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-323 DTA114YUAQ

Transistores digitales PNP (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-323 DTA114YUAQ

Transistores digitales PNP (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-323 DTA114YUAQ

Transistores digitales PNP (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-323 DTA114YUAQ

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Transistores digitales PNP (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-323 DTA114YUAQ

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,636 / Pieza

Cantidad Mínima: 1.000 Piezas

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Estructura: Aleación

Material: Silicio

Marca: MR

Embalaje: Plastic Package

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG130G04CQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG130G04CQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG130G04CQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG130G04CQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG130G04CQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG130G04CQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG130G04CQ

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,18-1,31 / Pieza

Cantidad Mínima: 1 Pieza

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Material: Silicio

Marca: YJ

Embalaje: Plastic Package

Amplificador de audio de alta potencia transistores FET 13005 Distribuidores Irf9540n P75NF75 16n65 Irfp260

Amplificador de audio de alta potencia transistores FET 13005 Distribuidores Irf9540n P75NF75 16n65 Irfp260

Amplificador de audio de alta potencia transistores FET 13005 Distribuidores Irf9540n P75NF75 16n65 Irfp260

Amplificador de audio de alta potencia transistores FET 13005 Distribuidores Irf9540n P75NF75 16n65 Irfp260

Amplificador de audio de alta potencia transistores FET 13005 Distribuidores Irf9540n P75NF75 16n65 Irfp260

Amplificador de audio de alta potencia transistores FET 13005 Distribuidores Irf9540n P75NF75 16n65 Irfp260

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Amplificador de audio de alta potencia transistores FET 13005 Distribuidores Irf9540n P75NF75 16n65 Irfp260

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Precio FOB de Referencia: US$ 5,00 / Pieza

Cantidad Mínima: 1 Pieza

Finest Pcb Assembly Limited

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Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISOCCC

Estructura de encapsulación: chip de transistor

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Función: Fotosensible,triodo de potenciaTriodo de conmutación

Transistores digitales NPN dobles (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-363 UMH1NQ

Transistores digitales NPN dobles (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-363 UMH1NQ

Transistores digitales NPN dobles (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-363 UMH1NQ

Transistores digitales NPN dobles (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-363 UMH1NQ

Transistores digitales NPN dobles (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-363 UMH1NQ

Transistores digitales NPN dobles (resistencias incorporadas) Fetures aplicaciones sensibilidad a la humedad nivel 1 SOT-363 UMH1NQ

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,883 / Pieza

Cantidad Mínima: 1.000 Piezas

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Marca: MR

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Transistores de conmutación encapsulados de plástico (NPN) de 40 V500 mA de Juxing S8050 Sot-23

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Transistores de conmutación encapsulados de plástico (NPN) de 40 V500 mA de Juxing S8050 Sot-23

Transistores de conmutación encapsulados de plástico (NPN) de 40 V500 mA de Juxing S8050 Sot-23

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Transistores de conmutación encapsulados de plástico (NPN) de 40 V500 mA de Juxing S8050 Sot-23

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,0183-0,0486 / Pieza

Cantidad Mínima: 3.000 Piezas

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISOCCC

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Instalación: SMD Tríodo

Frecuencia de trabajo: Baja frecuencia

Nivel de potencia: pequeñas Centrales

Función: triodo de potenciaTriodo de conmutación

Transistor de pequeña señal PNP doble SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad nivel de sensibilidad a la humedad 1 MMDT3906Q

Transistor de pequeña señal PNP doble SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad nivel de sensibilidad a la humedad 1 MMDT3906Q

Transistor de pequeña señal PNP doble SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad nivel de sensibilidad a la humedad 1 MMDT3906Q

Transistor de pequeña señal PNP doble SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad nivel de sensibilidad a la humedad 1 MMDT3906Q

Transistor de pequeña señal PNP doble SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad nivel de sensibilidad a la humedad 1 MMDT3906Q

Transistor de pequeña señal PNP doble SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad nivel de sensibilidad a la humedad 1 MMDT3906Q

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Transistor de pequeña señal PNP doble SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad nivel de sensibilidad a la humedad 1 MMDT3906Q

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,16-1,26 / Pieza

Cantidad Mínima: 1 Pieza

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Marca: YJ

Embalaje: Plastic Package

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Transistores de conmutación encapsulados de plástico (NPN) de 42V5a to-126 de Juxing D965

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Transistores de conmutación encapsulados de plástico (NPN) de 42V5a to-126 de Juxing D965

Transistores de conmutación encapsulados de plástico (NPN) de 42V5a to-126 de Juxing D965

Transistores de conmutación encapsulados de plástico (NPN) de 42V5a to-126 de Juxing D965

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Cantidad Mínima: 3.000 Piezas

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Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISOCCC

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Instalación: SMD Tríodo

Frecuencia de trabajo: Baja frecuencia

Nivel de potencia: pequeñas Centrales

Función: triodo de potenciaTriodo de conmutación

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de potencia alta Fgh80n60FD

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de potencia alta Fgh80n60FD

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de potencia alta Fgh80n60FD

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de potencia alta Fgh80n60FD

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de potencia alta Fgh80n60FD

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Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de potencia alta Fgh80n60FD

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,7 / Pieza

Cantidad Mínima: 10 Piezas

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS,CEISO

Estructura de encapsulación: chip de transistor

Instalación: Plug-in de triodo

Función: Fotosensible,tubo Darlington,triodo de potenciaTriodo de conmutación

Estructura: NPN

Marca: JDP/Original

Transistor: NPN / PNP / bipolar / BRT, par complementario / 50V / 0,1A / SMUN5314DW1T1G

Transistor: NPN / PNP / bipolar / BRT, par complementario / 50V / 0,1A / SMUN5314DW1T1G

Transistor: NPN / PNP / bipolar / BRT, par complementario / 50V / 0,1A / SMUN5314DW1T1G

Transistor: NPN / PNP / bipolar / BRT, par complementario / 50V / 0,1A / SMUN5314DW1T1G

Transistor: NPN / PNP / bipolar / BRT, par complementario / 50V / 0,1A / SMUN5314DW1T1G

Transistor: NPN / PNP / bipolar / BRT, par complementario / 50V / 0,1A / SMUN5314DW1T1G

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Transistor: NPN / PNP / bipolar / BRT, par complementario / 50V / 0,1A / SMUN5314DW1T1G

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,96 / Pieza

Cantidad Mínima: 1.000 Piezas

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Estructura de encapsulación: El transistor de oro Sellado

Material: Silicio

Marca: MR

Embalaje: Plastic Package

Transistor de pequeña señal doble NPN SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT3904Q

Transistor de pequeña señal doble NPN SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT3904Q

Transistor de pequeña señal doble NPN SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT3904Q

Transistor de pequeña señal doble NPN SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT3904Q

Transistor de pequeña señal doble NPN SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT3904Q

Transistor de pequeña señal doble NPN SOT-363 Epoxy cumple con UL-94 V-0 Grado de inflamabilidad MMDT3904Q

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,12-1,19 / Pieza

Cantidad Mínima: 1 Pieza

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Marca: YJ

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Origen: Guangdong, China

IC Irf840 N-transistor Mosfet de canal-220 Componentes Electrónicos, un circuito integrado

IC Irf840 N-transistor Mosfet de canal-220 Componentes Electrónicos, un circuito integrado

IC Irf840 N-transistor Mosfet de canal-220 Componentes Electrónicos, un circuito integrado

IC Irf840 N-transistor Mosfet de canal-220 Componentes Electrónicos, un circuito integrado

IC Irf840 N-transistor Mosfet de canal-220 Componentes Electrónicos, un circuito integrado

IC Irf840 N-transistor Mosfet de canal-220 Componentes Electrónicos, un circuito integrado

IC Irf840 N-transistor Mosfet de canal-220 Componentes Electrónicos, un circuito integrado

Precio FOB de Referencia: US$ 0,13-0,23 / Pieza

Cantidad Mínima: 100 Piezas

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Función: Triodo de conmutación

Embalaje: Box

Estándar: TO-220

Origen: Original

Nuevo y original transistor NPN 45V 0,1A BC547

Nuevo y original transistor NPN 45V 0,1A BC547

Nuevo y original transistor NPN 45V 0,1A BC547

Nuevo y original transistor NPN 45V 0,1A BC547

Nuevo y original transistor NPN 45V 0,1A BC547

Nuevo y original transistor NPN 45V 0,1A BC547

Nuevo y original transistor NPN 45V 0,1A BC547

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,1 / Pieza

Cantidad Mínima: 100 Piezas

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Función: triodo de potenciaTriodo de conmutación

2SA1489 Sanken Transistor Bipolar de energía A1489

2SA1489 Sanken Transistor Bipolar de energía A1489

2SA1489 Sanken Transistor Bipolar de energía A1489

2SA1489 Sanken Transistor Bipolar de energía A1489

2SA1489 Sanken Transistor Bipolar de energía A1489

2SA1489 Sanken Transistor Bipolar de energía A1489

2SA1489 Sanken Transistor Bipolar de energía A1489

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,36 / Pieza

Cantidad Mínima: 250 Piezas

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Proceso de dar un título: RoHS

Estructura de encapsulación: chip de transistor

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Función: triodo de potenciaTriodo de conmutación

Estructura: PNP

Transistores bipolares de 2 n222222A sellados con oro - BJT Bjts to-18-3 Orificio pasante NPN 0,8A 0,5W

Transistores bipolares de 2 n222222A sellados con oro - BJT Bjts to-18-3 Orificio pasante NPN 0,8A 0,5W

Transistores bipolares de 2 n222222A sellados con oro - BJT Bjts to-18-3 Orificio pasante NPN 0,8A 0,5W

Transistores bipolares de 2 n222222A sellados con oro - BJT Bjts to-18-3 Orificio pasante NPN 0,8A 0,5W

Transistores bipolares de 2 n222222A sellados con oro - BJT Bjts to-18-3 Orificio pasante NPN 0,8A 0,5W

Transistores bipolares de 2 n222222A sellados con oro - BJT Bjts to-18-3 Orificio pasante NPN 0,8A 0,5W

Transistores bipolares de 2 n222222A sellados con oro - BJT Bjts to-18-3 Orificio pasante NPN 0,8A 0,5W

Precio FOB de Referencia: US$ 0,36-0,45 / Pieza

Cantidad Mínima: 50 Piezas

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS

Estructura de encapsulación: El transistor de oro Sellado

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Overclocking

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Función: tubo Darlington,triodo de potenciaTriodo de conmutación

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 TO-252 obtiene aplicaciones YJD50N06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 TO-252 obtiene aplicaciones YJD50N06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 TO-252 obtiene aplicaciones YJD50N06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 TO-252 obtiene aplicaciones YJD50N06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 TO-252 obtiene aplicaciones YJD50N06AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 TO-252 obtiene aplicaciones YJD50N06AQ

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Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 1 TO-252 obtiene aplicaciones YJD50N06AQ

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,18-1,31 / Pieza

Cantidad Mínima: 1 Pieza

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Proceso de dar un título: RoHS

Función: interruptor de transistor

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Material: Silicio

Marca: YJ

Embalaje: Plastic Package

80V/80 7mΩ RU7588R Professional Mayorista de transistor de potencia avanzada

80V/80 7mΩ RU7588R Professional Mayorista de transistor de potencia avanzada

80V/80 7mΩ RU7588R Professional Mayorista de transistor de potencia avanzada

80V/80 7mΩ RU7588R Professional Mayorista de transistor de potencia avanzada

80V/80 7mΩ RU7588R Professional Mayorista de transistor de potencia avanzada

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,2-0,22 / Pieza

Cantidad Mínima: 2.500 Piezas

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISOCCC

Forma: GT

Tipo de blindaje: Cut-Off remota del tubo de blindaje

Método de enfriamiento: Tubo de forma natural refrigerado

Función: Volver transistor de alta presión,El transistor de microondasinterruptor de transistor

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG30N04AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG30N04AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG30N04AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG30N04AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG30N04AQ

Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG30N04AQ

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Modo de mejora de canal N efecto de campo Transistor sensibilidad a la humedad nivel 3 PDFN5060-8L Fetures aplicaciones YJG30N04AQ

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Precio FOB de Referencia: US$ 0,88 / Pieza

Cantidad Mínima: 1.000 Piezas

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Función: interruptor de transistor

Material: Silicio

Marca: YJ

Embalaje: Plastic Package

Estándar: Customized

Mostrar: 24 36 48

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Se encuentran 18534 de productos Transistor de Conmutación,de los cuales alrededor del 4% pertenecen a la lista Triodo,El 19% a la lista Semiconductory el 6% a la lista Circuito Integrado.
Hay 28644 proveedores de Transistor de Conmutación de China, aproximadamente el 55% de estos son fabricantes / fábricas de Transistor de Conmutación.

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