Inicio Producto Eléctrico y Electrónico Semiconductor Transistor de potencia IGBT 2025 Lista de Productos

Transistor de potencia IGBT

productos encontrados de fabricantes y mayoristas de confianza

Módulo IGBT Global para Baterías de Vehículos de Nueva Energía (VNE) Potencia de Telecomunicaciones RoHS Super Mosfet de Silicio

Módulo IGBT Global para Baterías de Vehículos de Nueva Energía (VNE) Potencia de Telecomunicaciones RoHS Super Mosfet de Silicio

Módulo IGBT Global para Baterías de Vehículos de Nueva Energía (VNE) Potencia de Telecomunicaciones RoHS Super Mosfet de Silicio

Módulo IGBT Global para Baterías de Vehículos de Nueva Energía (VNE) Potencia de Telecomunicaciones RoHS Super Mosfet de Silicio

Módulo IGBT Global para Baterías de Vehículos de Nueva Energía (VNE) Potencia de Telecomunicaciones RoHS Super Mosfet de Silicio

Módulo IGBT Global para Baterías de Vehículos de Nueva Energía (VNE) Potencia de Telecomunicaciones RoHS Super Mosfet de Silicio

1/ 6

Favoritos

Módulo IGBT Global para Baterías de Vehículos de Nueva Energía (VNE) Potencia de Telecomunicaciones RoHS Super Mosfet de Silicio

US$ 0,2 / Pieza

660 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Tipo: Batería de plomo-ácido

Tensión nominal: 3.6V

Tensión de carga: 4.1V~4.2V

Tensión de trabajo: 3.6V~2.75V

Tipo de carga: Corriente constante

Vida útil en condiciones húmedas: 3~5 Años

Venta Caliente Osg65r038hzf To247 Transistor de Potencia IGBT de Alta Tensión

Venta Caliente Osg65r038hzf To247 Transistor de Potencia IGBT de Alta Tensión

Venta Caliente Osg65r038hzf To247 Transistor de Potencia IGBT de Alta Tensión

Venta Caliente Osg65r038hzf To247 Transistor de Potencia IGBT de Alta Tensión

Venta Caliente Osg65r038hzf To247 Transistor de Potencia IGBT de Alta Tensión

Venta Caliente Osg65r038hzf To247 Transistor de Potencia IGBT de Alta Tensión

1/ 6

Favoritos

Venta Caliente Osg65r038hzf To247 Transistor de Potencia IGBT de Alta Tensión

US$ 0,2 / Pieza

660 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Embalaje: aire

Marca: semiconductor oriental

Origen: China

Código del HS: 854129000

Capacidad de Producción: 20kkkk/mensual

Tlp250 (F) Inversor de Transistor para Aire Acondicionado Controlador de Puerta IGBT Controlador de Puerta MOS Fet

Tlp250 (F) Inversor de Transistor para Aire Acondicionado Controlador de Puerta IGBT Controlador de Puerta MOS Fet

Tlp250 (F) Inversor de Transistor para Aire Acondicionado Controlador de Puerta IGBT Controlador de Puerta MOS Fet

Tlp250 (F) Inversor de Transistor para Aire Acondicionado Controlador de Puerta IGBT Controlador de Puerta MOS Fet

Tlp250 (F) Inversor de Transistor para Aire Acondicionado Controlador de Puerta IGBT Controlador de Puerta MOS Fet

Tlp250 (F) Inversor de Transistor para Aire Acondicionado Controlador de Puerta IGBT Controlador de Puerta MOS Fet

1/ 6

Favoritos

Tlp250 (F) Inversor de Transistor para Aire Acondicionado Controlador de Puerta IGBT Controlador de Puerta MOS Fet

US$ 1,84 / Pieza

200 Piezas (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Tipo conductor: Circuito Integrado Unipolar

Integración: ULSI

Técnicas: Circuito Integrado de Película Gruesa

Embalaje: estándar

Estándar: plástico y cobre

Marca: toshiba

680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 Mosfet de Potencia Avanzado de Canal N

680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 Mosfet de Potencia Avanzado de Canal N

680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 Mosfet de Potencia Avanzado de Canal N

680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 Mosfet de Potencia Avanzado de Canal N

680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 Mosfet de Potencia Avanzado de Canal N

680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 Mosfet de Potencia Avanzado de Canal N

1/ 6

Favoritos

680V/12A 0.8mΩ Zg12n65 Mosfet de Potencia Avanzado de Canal N

US$ 0,083 / Pieza

1.000 Piezas (MOQ)

Jiangsu Zhongxin Semiconductor Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO,CCC

Forma: GT

Tipo de blindaje: Cut-Off remota del tubo de blindaje

Método de enfriamiento: Tubo de forma natural refrigerado

Función: Volver transistor de alta presión,El transistor de microondas,interruptor de transistor

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Transistor IGBT de alta potencia semi-oriental DC-DC Mosfet Osg65r038hzf To247

Transistor IGBT de alta potencia semi-oriental DC-DC Mosfet Osg65r038hzf To247

Transistor IGBT de alta potencia semi-oriental DC-DC Mosfet Osg65r038hzf To247

Transistor IGBT de alta potencia semi-oriental DC-DC Mosfet Osg65r038hzf To247

Transistor IGBT de alta potencia semi-oriental DC-DC Mosfet Osg65r038hzf To247

Transistor IGBT de alta potencia semi-oriental DC-DC Mosfet Osg65r038hzf To247

1/ 6

Favoritos

Transistor IGBT de alta potencia semi-oriental DC-DC Mosfet Osg65r038hzf To247

US$ 0,2 / Pieza

660 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Embalaje: aire

Marca: semiconductor oriental

Origen: China

Código del HS: 854129000

Capacidad de Producción: 20kkkk/mensual

Vehículos Eléctricos de Batería (VEB) El Módulo IGBT Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Mosfet

Vehículos Eléctricos de Batería (VEB) El Módulo IGBT Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Mosfet

Vehículos Eléctricos de Batería (VEB) El Módulo IGBT Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Mosfet

Vehículos Eléctricos de Batería (VEB) El Módulo IGBT Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Mosfet

Vehículos Eléctricos de Batería (VEB) El Módulo IGBT Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Mosfet

Vehículos Eléctricos de Batería (VEB) El Módulo IGBT Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Mosfet

1/ 6

Favoritos

Vehículos Eléctricos de Batería (VEB) El Módulo IGBT Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Mosfet

US$ 0,2 / Pieza

660 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Tipo: Batería de plomo-ácido

Tensión nominal: 3.6V

Tensión de carga: 4.1V~4.2V

Tensión de trabajo: 3.6V~2.75V

Tipo de carga: Corriente constante

Vida útil en condiciones húmedas: 3~5 Años

800W Ost75n65hsmf Canal N 30V Fabricante Sistemas Fotovoltaicos IGBT Mosfet Tri-Gate

800W Ost75n65hsmf Canal N 30V Fabricante Sistemas Fotovoltaicos IGBT Mosfet Tri-Gate

800W Ost75n65hsmf Canal N 30V Fabricante Sistemas Fotovoltaicos IGBT Mosfet Tri-Gate

800W Ost75n65hsmf Canal N 30V Fabricante Sistemas Fotovoltaicos IGBT Mosfet Tri-Gate

800W Ost75n65hsmf Canal N 30V Fabricante Sistemas Fotovoltaicos IGBT Mosfet Tri-Gate

800W Ost75n65hsmf Canal N 30V Fabricante Sistemas Fotovoltaicos IGBT Mosfet Tri-Gate

1/ 6

Favoritos

800W Ost75n65hsmf Canal N 30V Fabricante Sistemas Fotovoltaicos IGBT Mosfet Tri-Gate

US$ 2,5-3,00 / Pieza

5.000 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Naturaleza de flujo Fuente: Inversor activo

Fase: Tres

Potencia de salida: 50 - 100W

Proceso de dar un título: CE,ROHS,ISO 9001

Tipo: DC / AC Inverters

Fuente de alimentación: Energía solar,Energía eólica

Módulo IGBT para Vehículo de Nueva Energía RoHS Conmutación Extremadamente Rápida Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Semiconductores Mosfet

Módulo IGBT para Vehículo de Nueva Energía RoHS Conmutación Extremadamente Rápida Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Semiconductores Mosfet

Módulo IGBT para Vehículo de Nueva Energía RoHS Conmutación Extremadamente Rápida Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Semiconductores Mosfet

Módulo IGBT para Vehículo de Nueva Energía RoHS Conmutación Extremadamente Rápida Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Semiconductores Mosfet

Módulo IGBT para Vehículo de Nueva Energía RoHS Conmutación Extremadamente Rápida Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Semiconductores Mosfet

Módulo IGBT para Vehículo de Nueva Energía RoHS Conmutación Extremadamente Rápida Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Semiconductores Mosfet

1/ 6

Favoritos

Módulo IGBT para Vehículo de Nueva Energía RoHS Conmutación Extremadamente Rápida Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Semiconductores Mosfet

US$ 0,2 / Pieza

660 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Tipo: Batería de plomo-ácido

Tensión nominal: 3.6V

Tensión de carga: 4.1V~4.2V

Tensión de trabajo: 3.6V~2.75V

Tipo de carga: Corriente constante

Vida útil en condiciones húmedas: 3~5 Años

Vehículos Eléctricos de Batería (BEVs) El Módulo IGBT RoHS Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Mosfet

Vehículos Eléctricos de Batería (BEVs) El Módulo IGBT RoHS Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Mosfet

Vehículos Eléctricos de Batería (BEVs) El Módulo IGBT RoHS Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Mosfet

Vehículos Eléctricos de Batería (BEVs) El Módulo IGBT RoHS Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Mosfet

Vehículos Eléctricos de Batería (BEVs) El Módulo IGBT RoHS Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Mosfet

Vehículos Eléctricos de Batería (BEVs) El Módulo IGBT RoHS Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Mosfet

1/ 6

Favoritos

Vehículos Eléctricos de Batería (BEVs) El Módulo IGBT RoHS Operaciones de Alta Frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f Mosfet

US$ 0,2 / Pieza

660 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Tipo: Batería de plomo-ácido

Tensión nominal: 3.6V

Tensión de carga: 4.1V~4.2V

Tensión de trabajo: 3.6V~2.75V

Tipo de carga: Corriente constante

Vida útil en condiciones húmedas: 3~5 Años

Transistores Mosfet Super Si Vehículos Eléctricos de Batería (BEVs) El Módulo IGBT

Transistores Mosfet Super Si Vehículos Eléctricos de Batería (BEVs) El Módulo IGBT

Transistores Mosfet Super Si Vehículos Eléctricos de Batería (BEVs) El Módulo IGBT

Transistores Mosfet Super Si Vehículos Eléctricos de Batería (BEVs) El Módulo IGBT

Transistores Mosfet Super Si Vehículos Eléctricos de Batería (BEVs) El Módulo IGBT

Transistores Mosfet Super Si Vehículos Eléctricos de Batería (BEVs) El Módulo IGBT

1/ 6

Favoritos

Transistores Mosfet Super Si Vehículos Eléctricos de Batería (BEVs) El Módulo IGBT

US$ 0,2 / Pieza

660 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Nivel de potencia: Media Potencia

Función: triodo de potencia,Triodo de conmutación

Vehículos Eléctricos de Batería (VEB) El Módulo IGBT Tercera Generación Operaciones de Alta Frecuencia Oss65r340FF To220f Mosfet Super Si Semiconductores

Vehículos Eléctricos de Batería (VEB) El Módulo IGBT Tercera Generación Operaciones de Alta Frecuencia Oss65r340FF To220f Mosfet Super Si Semiconductores

Vehículos Eléctricos de Batería (VEB) El Módulo IGBT Tercera Generación Operaciones de Alta Frecuencia Oss65r340FF To220f Mosfet Super Si Semiconductores

Vehículos Eléctricos de Batería (VEB) El Módulo IGBT Tercera Generación Operaciones de Alta Frecuencia Oss65r340FF To220f Mosfet Super Si Semiconductores

Vehículos Eléctricos de Batería (VEB) El Módulo IGBT Tercera Generación Operaciones de Alta Frecuencia Oss65r340FF To220f Mosfet Super Si Semiconductores

Vehículos Eléctricos de Batería (VEB) El Módulo IGBT Tercera Generación Operaciones de Alta Frecuencia Oss65r340FF To220f Mosfet Super Si Semiconductores

1/ 6

Favoritos

Vehículos Eléctricos de Batería (VEB) El Módulo IGBT Tercera Generación Operaciones de Alta Frecuencia Oss65r340FF To220f Mosfet Super Si Semiconductores

US$ 0,2 / Pieza

660 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Tipo: Batería de plomo-ácido

Tensión nominal: 3.6V

Tensión de carga: 4.1V~4.2V

Tensión de trabajo: 3.6V~2.75V

Tipo de carga: Corriente constante

Vida útil en condiciones húmedas: 3~5 Años

Módulo IGBT para operaciones de alta frecuencia en vehículos de nueva energía Super Si Mosfet

Módulo IGBT para operaciones de alta frecuencia en vehículos de nueva energía Super Si Mosfet

Módulo IGBT para operaciones de alta frecuencia en vehículos de nueva energía Super Si Mosfet

Módulo IGBT para operaciones de alta frecuencia en vehículos de nueva energía Super Si Mosfet

Módulo IGBT para operaciones de alta frecuencia en vehículos de nueva energía Super Si Mosfet

Módulo IGBT para operaciones de alta frecuencia en vehículos de nueva energía Super Si Mosfet

1/ 6

Favoritos

Módulo IGBT para operaciones de alta frecuencia en vehículos de nueva energía Super Si Mosfet

US$ 0,2 / Pieza

660 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Nivel de potencia: Media Potencia

Función: triodo de potencia,Triodo de conmutación

600V, 40A IGBT MOSFET NCE40TD60T

600V, 40A IGBT MOSFET NCE40TD60T

600V, 40A IGBT MOSFET NCE40TD60T

600V, 40A IGBT MOSFET NCE40TD60T

600V, 40A IGBT MOSFET NCE40TD60T

600V, 40A IGBT MOSFET NCE40TD60T

1/ 6

Favoritos

600V, 40A IGBT MOSFET NCE40TD60T

US$ 0,1-1,00 / Pieza

1.000 Piezas (MOQ)

CTC Technology Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Tecnología de fabricación: Dispositivo discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Procesamiento de señales: Analog Digital Composite and Function

Tipo: Semiconductor de Tipo N

Marca: potencia nce

Origen: CHINA

1/ 3

Favoritos

Fqpf20n60 Fqpf20n60c 600V, 20A Mosfet de canal N 20n60

US$ 0,16-0,17 / Pieza

10 Piezas (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS

Estructura de encapsulación: chip de transistor

Instalación: Plug-in de triodo

Función: triodo de potencia

Origen: China

Favoritos

Transistor de potencia IGBT G12p10K -100V -12A Mosfet para fuente de alimentación

100 Piezas (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Función: interruptor de transistor

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Nivel de potencia: Media Potencia

Material: Silicio

Embalaje: cartón

Favoritos

G08n06s 60V 6A Transistor de potencia IGBT Fuente de alimentación Triodo Mosfet

US$ 0,055-0,065 / Pieza

20 Piezas (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Función: interruptor de transistor

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Nivel de potencia: pequeñas Centrales

Material: Silicio

Embalaje: carrete, con bolsa de aluminio antiestática

NTMFS6H800NL NTMFS6H800NLT1G Transistor de Potencia N-Channel 80V 224A

NTMFS6H800NL NTMFS6H800NLT1G Transistor de Potencia N-Channel 80V 224A

NTMFS6H800NL NTMFS6H800NLT1G Transistor de Potencia N-Channel 80V 224A

NTMFS6H800NL NTMFS6H800NLT1G Transistor de Potencia N-Channel 80V 224A

NTMFS6H800NL NTMFS6H800NLT1G Transistor de Potencia N-Channel 80V 224A

NTMFS6H800NL NTMFS6H800NLT1G Transistor de Potencia N-Channel 80V 224A

1/ 6

Favoritos

NTMFS6H800NL NTMFS6H800NLT1G Transistor de Potencia N-Channel 80V 224A

US$ 1,2-35,00 / Pieza

100 Piezas (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar

Integración: SSI

Técnicas: Circuito integrado de semiconductores

Embalaje: caja

Estándar: circuito integrado

Origen: China

600V, 30A Transistor IGBT MOSFET Rápido NCE30TD60B,NCE30TD60BF

600V, 30A Transistor IGBT MOSFET Rápido NCE30TD60B,NCE30TD60BF

600V, 30A Transistor IGBT MOSFET Rápido NCE30TD60B,NCE30TD60BF

600V, 30A Transistor IGBT MOSFET Rápido NCE30TD60B,NCE30TD60BF

600V, 30A Transistor IGBT MOSFET Rápido NCE30TD60B,NCE30TD60BF

600V, 30A Transistor IGBT MOSFET Rápido NCE30TD60B,NCE30TD60BF

1/ 6

Favoritos

600V, 30A Transistor IGBT MOSFET Rápido NCE30TD60B,NCE30TD60BF

US$ 0,1-10,00 / Pieza

1.000 Piezas (MOQ)

CTC Technology Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Tecnología de fabricación: Dispositivo discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Paquete: Paquete de doble línea en paralelo

Procesamiento de señales: Analog Digital Composite and Function

Tipo: Semiconductor de Tipo N

Marca: potencia nce

2sk2313 K2313 Transistor MOS Original 2313 Mosfet

2sk2313 K2313 Transistor MOS Original 2313 Mosfet

2sk2313 K2313 Transistor MOS Original 2313 Mosfet

2sk2313 K2313 Transistor MOS Original 2313 Mosfet

2sk2313 K2313 Transistor MOS Original 2313 Mosfet

2sk2313 K2313 Transistor MOS Original 2313 Mosfet

1/ 6

Favoritos

2sk2313 K2313 Transistor MOS Original 2313 Mosfet

US$ 0,1-2,00 / Pieza

10 Piezas (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,CE

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Embalaje: /

Estándar: /

Marca: /

Puerta Trifásica Bipolar To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Mosfet

Puerta Trifásica Bipolar To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Mosfet

Puerta Trifásica Bipolar To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Mosfet

Puerta Trifásica Bipolar To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Mosfet

Puerta Trifásica Bipolar To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Mosfet

Puerta Trifásica Bipolar To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Mosfet

1/ 6

Favoritos

Puerta Trifásica Bipolar To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Mosfet

US$ 2,5-3,00 / Pieza

5.000 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Aplicación: Célula solar

Número de lote: 2005+

Tecnología de fabricación: Dispositivo discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Modelo: PC817

Paquete: SMD

Nuevos Componentes Electrónicos Originales Chips de Circuito Integrado Diodos Inc. Dmn6075s-7 Canal N Único 60 V 120 Mohm 12.3 Nc 0.8 W Mosfet de Silicio - Sot-23 en Stock

Nuevos Componentes Electrónicos Originales Chips de Circuito Integrado Diodos Inc. Dmn6075s-7 Canal N Único 60 V 120 Mohm 12.3 Nc 0.8 W Mosfet de Silicio - Sot-23 en Stock

Nuevos Componentes Electrónicos Originales Chips de Circuito Integrado Diodos Inc. Dmn6075s-7 Canal N Único 60 V 120 Mohm 12.3 Nc 0.8 W Mosfet de Silicio - Sot-23 en Stock

Nuevos Componentes Electrónicos Originales Chips de Circuito Integrado Diodos Inc. Dmn6075s-7 Canal N Único 60 V 120 Mohm 12.3 Nc 0.8 W Mosfet de Silicio - Sot-23 en Stock

Nuevos Componentes Electrónicos Originales Chips de Circuito Integrado Diodos Inc. Dmn6075s-7 Canal N Único 60 V 120 Mohm 12.3 Nc 0.8 W Mosfet de Silicio - Sot-23 en Stock

Nuevos Componentes Electrónicos Originales Chips de Circuito Integrado Diodos Inc. Dmn6075s-7 Canal N Único 60 V 120 Mohm 12.3 Nc 0.8 W Mosfet de Silicio - Sot-23 en Stock

1/ 6

Favoritos

Nuevos Componentes Electrónicos Originales Chips de Circuito Integrado Diodos Inc. Dmn6075s-7 Canal N Único 60 V 120 Mohm 12.3 Nc 0.8 W Mosfet de Silicio - Sot-23 en Stock

US$ 0,05-0,08 / Pieza

10 Piezas (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Tipo conductor: Circuito Integrado Unipolar

Integración: MSI

Técnicas: Circuito integrado de semiconductores

Embalaje: t/r

Estándar: altura: 1,1 mm

Marca: diodos inc

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Trident Transistor de Puerta Bipolar Mosfet

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Trident Transistor de Puerta Bipolar Mosfet

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Trident Transistor de Puerta Bipolar Mosfet

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Trident Transistor de Puerta Bipolar Mosfet

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Trident Transistor de Puerta Bipolar Mosfet

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Trident Transistor de Puerta Bipolar Mosfet

1/ 6

Favoritos

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida To247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Trident Transistor de Puerta Bipolar Mosfet

US$ 2,5-3,00 / Pieza

5.000 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Aplicación: Medición de temperatura

Número de lote: 2010+

Tecnología de fabricación: Dispositivo discreto

Material: Semiconductor de Elemento

Modelo: ST

Paquete: Paquete de doble línea en paralelo

Semi Oriental Sfs08r019hnf Vds-80 ID-800A RDS (ENCENDIDO) -1.9milliohm Qg-144nc Mosfet de Potencia N-Channel

Semi Oriental Sfs08r019hnf Vds-80 ID-800A RDS (ENCENDIDO) -1.9milliohm Qg-144nc Mosfet de Potencia N-Channel

Semi Oriental Sfs08r019hnf Vds-80 ID-800A RDS (ENCENDIDO) -1.9milliohm Qg-144nc Mosfet de Potencia N-Channel

Semi Oriental Sfs08r019hnf Vds-80 ID-800A RDS (ENCENDIDO) -1.9milliohm Qg-144nc Mosfet de Potencia N-Channel

Semi Oriental Sfs08r019hnf Vds-80 ID-800A RDS (ENCENDIDO) -1.9milliohm Qg-144nc Mosfet de Potencia N-Channel

Semi Oriental Sfs08r019hnf Vds-80 ID-800A RDS (ENCENDIDO) -1.9milliohm Qg-144nc Mosfet de Potencia N-Channel

1/ 6

Favoritos

Semi Oriental Sfs08r019hnf Vds-80 ID-800A RDS (ENCENDIDO) -1.9milliohm Qg-144nc Mosfet de Potencia N-Channel

US$ 0,15-0,16 / Pieza

330 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Forma: De metal tubo de porcelana

Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento

Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado

Función: El transistor de microondas,interruptor de transistor

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Transistor Mosfet N-Channel duradero para sistemas automotrices y de energía renovable Fhp35n20W

Transistor Mosfet N-Channel duradero para sistemas automotrices y de energía renovable Fhp35n20W

Transistor Mosfet N-Channel duradero para sistemas automotrices y de energía renovable Fhp35n20W

Transistor Mosfet N-Channel duradero para sistemas automotrices y de energía renovable Fhp35n20W

Transistor Mosfet N-Channel duradero para sistemas automotrices y de energía renovable Fhp35n20W

Transistor Mosfet N-Channel duradero para sistemas automotrices y de energía renovable Fhp35n20W

1/ 6

Favoritos

Transistor Mosfet N-Channel duradero para sistemas automotrices y de energía renovable Fhp35n20W

10 Piezas (MOQ)

Simentor Electronic Limited

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO,CCC

Instalación: Plug-in de triodo

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Embalaje: caja

Estándar: A-220

Favoritos

Transistor de Potencia 3400L 30V 5.6A Sot-23-3 Nuevo Controlador de Mosfet IGBT

100 Piezas (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Función: interruptor de transistor

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Nivel de potencia: pequeñas Centrales

Material: Silicio

Embalaje: carrete, con bolsa de aluminio antiestática

Favoritos

G17 -18V -7A Transistores IGBT Mosfet de Potencia Originales Electrónicos Nuevos de Canal P

100 Piezas (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacta Ahora

Proceso de dar un título: RoHS,ISO

Función: interruptor de transistor

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada

Nivel de potencia: pequeñas Centrales

Material: Silicio

Embalaje: carrete, con bolsa de aluminio antiestática

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante de Mosfet de Pérdida de Conmutación Extremadamente Baja

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante de Mosfet de Pérdida de Conmutación Extremadamente Baja

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante de Mosfet de Pérdida de Conmutación Extremadamente Baja

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante de Mosfet de Pérdida de Conmutación Extremadamente Baja

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante de Mosfet de Pérdida de Conmutación Extremadamente Baja

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante de Mosfet de Pérdida de Conmutación Extremadamente Baja

1/ 6

Favoritos

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante de Mosfet de Pérdida de Conmutación Extremadamente Baja

US$ 2,5-3,00 / Pieza

5.000 Piezas (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Naturaleza de flujo Fuente: Inversor activo

Fase: Tres

Potencia de salida: 50 - 100W

Proceso de dar un título: ROHS,ISO 9001

Tipo: DC / AC Inverters

Fuente de alimentación: Energía solar,Energía eólica

Fabricante chino de componente transistor Mosfet para conmutación de potencia, almacenamiento de energía, BMS

Fabricante chino de componente transistor Mosfet para conmutación de potencia, almacenamiento de energía, BMS

Fabricante chino de componente transistor Mosfet para conmutación de potencia, almacenamiento de energía, BMS

Fabricante chino de componente transistor Mosfet para conmutación de potencia, almacenamiento de energía, BMS

Fabricante chino de componente transistor Mosfet para conmutación de potencia, almacenamiento de energía, BMS

Fabricante chino de componente transistor Mosfet para conmutación de potencia, almacenamiento de energía, BMS

1/ 6

Favoritos

Fabricante chino de componente transistor Mosfet para conmutación de potencia, almacenamiento de energía, BMS

US$ 0,08-0,12 / Pieza

20 Piezas (MOQ)

Keep Moving Circuits Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Origen: China

Código del HS: 8541290000

Capacidad de Producción: 50000000000/año

Nuevo Transistor P50ne10 STP50ne10 to-220 N-Canal 100V 50A Mosfet

Nuevo Transistor P50ne10 STP50ne10 to-220 N-Canal 100V 50A Mosfet

Nuevo Transistor P50ne10 STP50ne10 to-220 N-Canal 100V 50A Mosfet

Nuevo Transistor P50ne10 STP50ne10 to-220 N-Canal 100V 50A Mosfet

Nuevo Transistor P50ne10 STP50ne10 to-220 N-Canal 100V 50A Mosfet

1/ 5

Favoritos

Nuevo Transistor P50ne10 STP50ne10 to-220 N-Canal 100V 50A Mosfet

US$ 0,5-0,9 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

Estructura: Aleación

Estructura de encapsulación: chip de transistor

Material: Silicio

Embalaje: /

Marca: st

Transistor Mosfet de Electrónica Usualmente Utilizado en Circuitos de Amplificación o Circuitos de Conmutación (Ensamblaje de PCB)

Transistor Mosfet de Electrónica Usualmente Utilizado en Circuitos de Amplificación o Circuitos de Conmutación (Ensamblaje de PCB)

Transistor Mosfet de Electrónica Usualmente Utilizado en Circuitos de Amplificación o Circuitos de Conmutación (Ensamblaje de PCB)

Transistor Mosfet de Electrónica Usualmente Utilizado en Circuitos de Amplificación o Circuitos de Conmutación (Ensamblaje de PCB)

Transistor Mosfet de Electrónica Usualmente Utilizado en Circuitos de Amplificación o Circuitos de Conmutación (Ensamblaje de PCB)

Transistor Mosfet de Electrónica Usualmente Utilizado en Circuitos de Amplificación o Circuitos de Conmutación (Ensamblaje de PCB)

1/ 6

Favoritos

Transistor Mosfet de Electrónica Usualmente Utilizado en Circuitos de Amplificación o Circuitos de Conmutación (Ensamblaje de PCB)

US$ 0,08-0,12 / Pieza

20 Piezas (MOQ)

Keep Moving Circuits Co., Ltd.

Ver vídeo e imagen más grandes

Contacta Ahora

Tecnología de fabricación: Dispositivo discreto

Tipo: Semiconductor de Tipo N

Origen: China

Código del HS: 8541290000

Capacidad de Producción: 50000000000/año

índice rápido de productos

0-9 a b c d e f g h i j k l m n o p q r s t u v w xyz

¿No has encontrado lo que buscas?

Abastecimiento Fácil

Publique solicitudes de abastecimiento y obtenga cotizaciones rápidamente.

Publicar Solicitud de Compra

Catálogo

Otro

Características del Producto

Proceso de dar un título

Función

Estructura de encapsulación

Instalación

Material

Frecuencia de trabajo

Nivel de potencia

Estructura

Proceso de dar un título

Material

Función

Estructura de encapsulación

Rango de frecuencia

manera de enfriamiento

Controlar

Corriente eléctrica

Nivel de potencia

Frecuencia de trabajo

Tipo de blindaje

Método de enfriamiento

Estructura

Forma

Certificación

Sistema de Modulación

Modo de regulación de tensión

Transmisión de Energía

Tipo de salida

Sistema de Suministro de Energía

Voltaje De Entrada

Modo de conexión

Garantía

Modo de inicio

Potencia de salida

Estilo

Características de la Empresa

Tipo de Miembro

Tipo de Negocio

Capacidad de R&D

Provincia & Región

Categorías de Productos Relacionados