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OEMODMMarca PropiaOtros

Ingresos Anuales

Por debajo de US $ 1 Millón1 ~ 2,5 millones de dólares2,5 ~ 5 millones de dólares5 ~ 10 millones de dólares10 ~ 50 millones de dólares

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Número de empleados

Menos de 5 Personas5-50 Personas51-200 Personas201-500 PersonasMás de 1000 Personas

Provincia & Región

AnhuiBeijingChongqingFujianGansu

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Proveedores revisados por servicios de inspección.

sobre transistor de conmutación

Innovación tecnológica
Cadenas de suministro confiables
Capacidades de fabricación sustanciales

transistor de conmutación300+ fábricas verificadas

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Transistor de Efecto de Campo de Mejora de Canal N Velocidad de Conmutación Rápida SOT-363 Características Aplicaciones 2N7002KDDWQ

Transistor de Efecto de Campo de Mejora de Canal N Velocidad de Conmutación Rápida SOT-363 Características Aplicaciones 2N7002KDDWQ

US$ 0,18-1,31

Transistor de Efecto de Campo de Canal N en Modo de Mejora de Alta Velocidad de Conmutación SOT-23 Características Aplicaciones 2N7002KCQ

Transistor de Efecto de Campo de Canal N en Modo de Mejora de Alta Velocidad de Conmutación SOT-23 Características Aplicaciones 2N7002KCQ

US$ 0,14-1,15

Transistor de Efecto de Campo de Canal P de Modo de Mejora Alta Velocidad de Conmutación SOT-23 Características Aplicaciones YJL3407AQ

Transistor de Efecto de Campo de Canal P de Modo de Mejora Alta Velocidad de Conmutación SOT-23 Características Aplicaciones YJL3407AQ

1.000 Piezas(MOQ)

Transistor de Efecto de Campo de Mejora de Modo N Canal Pérdida de conmutación extremadamente baja TO-252 Características Aplicaciones YJD130G04HHQ

Transistor de Efecto de Campo de Mejora de Modo N Canal Pérdida de conmutación extremadamente baja TO-252 Características Aplicaciones YJD130G04HHQ

US$ 0,12-1,26

1/4

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

·Empresa Comercial

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Lm2575t-Adj P+ Conmutación Regulador Conmutado Bloque Integrado Regulador de Tres Terminales Bloque Transistor

Lm2575t-Adj P+ Conmutación Regulador Conmutado Bloque Integrado Regulador de Tres Terminales Bloque Transistor

Nuevo Tríodo Bc337-25 Bc337-40 Transistor de Conmutación y Amplificación

Nuevo Tríodo Bc337-25 Bc337-40 Transistor de Conmutación y Amplificación

Fjp13009h2 E13009-2 Transistor de Potencia NPN de Alta Tensión y Conmutación Rápida to-220 J13009-2

Fjp13009h2 E13009-2 Transistor de Potencia NPN de Alta Tensión y Conmutación Rápida to-220 J13009-2

US$ 0,05-0,10

Buh515D Transistor de potencia NPN de conmutación rápida de alta tensión

Buh515D Transistor de potencia NPN de conmutación rápida de alta tensión

US$ 1,02-2,00

1/4

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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PMBT3904,215 PMBT3904 Serie 40 V 200 mA SMT NPN Transistor de Conmutación

PMBT3904,215 PMBT3904 Serie 40 V 200 mA SMT NPN Transistor de Conmutación

US$ 0,072-15,00

100 Piezas(MOQ)

MMBT4401LT1G TRANSISTOR NPN 40V 0.6A Transistor de conmutación de silicio NPN de montaje en superficie

MMBT4401LT1G TRANSISTOR NPN 40V 0.6A Transistor de conmutación de silicio NPN de montaje en superficie

US$ 0,05-200,00

500 Piezas(MOQ)

MMBT4403LT1G Serie MMBT 40V 600mA Transistor de conmutación PNP de silicio montado en superficie

MMBT4403LT1G Serie MMBT 40V 600mA Transistor de conmutación PNP de silicio montado en superficie

US$ 0,05-200,00

500 Piezas(MOQ)

SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS transistor mosfet

SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS transistor mosfet

US$ 0,12-15,00

100 Piezas(MOQ)

1/4

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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2n7002p, 215 Transistores Mosfet 60V 360mA de Canal N para Aplicaciones de Conmutación Eficiente Mejoran el Rendimiento del Circuito

2n7002p, 215 Transistores Mosfet 60V 360mA de Canal N para Aplicaciones de Conmutación Eficiente Mejoran el Rendimiento del Circuito

US$ 0,01-1,00

Potencia Original E13003 Conmutación D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

Potencia Original E13003 Conmutación D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

US$ 0,10-0,50

Transistor Mosfet de Canal N de Alta Potencia y Corriente Hy4008p/M/B/PS/Pm

Transistor Mosfet de Canal N de Alta Potencia y Corriente Hy4008p/M/B/PS/Pm

100 Piezas(MOQ)

Original Bcm847BS135 Array de Transistores Bipolares 2NPN Par Coincidente 45V 100mA 250MHz Bcm847

Original Bcm847BS135 Array de Transistores Bipolares 2NPN Par Coincidente 45V 100mA 250MHz Bcm847

1/4

Simentor Electronic Limited

·Empresa Comercial

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Tip107: Transistor PNP Darlington para control de motores y conmutación de potencia

Tip107: Transistor PNP Darlington para control de motores y conmutación de potencia

Tny278pn Potencia de CA-CC 700V Mosfet -40° C a +150° C 8-Pin DIP

Tny278pn Potencia de CA-CC 700V Mosfet -40° C a +150° C 8-Pin DIP

Irfr9024n Mosfet de canal P - 55V, 12A, Baja resistencia en conducción para un eficiente conmutación de potencia

Irfr9024n Mosfet de canal P - 55V, 12A, Baja resistencia en conducción para un eficiente conmutación de potencia

Esp32-P4 Junta de Evaluación de Funciones (Kit de Desarrollo)

Esp32-P4 Junta de Evaluación de Funciones (Kit de Desarrollo)

1/4

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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Transistor amplificador NPN de propósito general de alta velocidad Pxt2222A Paquete Sot-89

Transistor amplificador NPN de propósito general de alta velocidad Pxt2222A Paquete Sot-89

1.000 Piezas(MOQ)

Asr320n650MD88 650V Transistor MOS de Carburo de Silicio (SIC) de Canal N 650V Pdfn8*8 Transistor

Asr320n650MD88 650V Transistor MOS de Carburo de Silicio (SIC) de Canal N 650V Pdfn8*8 Transistor

500 Piezas(MOQ)

Asc60n1200mt3 1200V Mosfet N-Canal Sic to-247-3 Transistor de Paquete

Asc60n1200mt3 1200V Mosfet N-Canal Sic to-247-3 Transistor de Paquete

1.000 Piezas(MOQ)

Asc100n1700mt3pb 1700V Mosfet N-Canal Sic to-247-3 Transistor de Tubo Electrónico

Asc100n1700mt3pb 1700V Mosfet N-Canal Sic to-247-3 Transistor de Tubo Electrónico

500 Piezas(MOQ)

1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Excelente Conducción y Pérdida de Conmutación To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Trident Transistor Bipolar de Puerta

Excelente Conducción y Pérdida de Conmutación To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Trident Transistor Bipolar de Puerta

US$ 2,50-3,00

5.000 Piezas(MOQ)

Diodo de recuperación rápida regulador de voltaje transistor de alta tensión

Diodo de recuperación rápida regulador de voltaje transistor de alta tensión

660 Piezas(MOQ)

Mosfet de potencia de PC con pérdidas de conmutación extremadamente bajas

Mosfet de potencia de PC con pérdidas de conmutación extremadamente bajas

US$ 0,35-0,60

600 Piezas(MOQ)

Toll de Mejora de Transistores Sfs10r019tnf Vds-100 ID-1080A Qg-107nc para Voltaje de Conmutación Mosfet de Potencia N-Canal

Toll de Mejora de Transistores Sfs10r019tnf Vds-100 ID-1080A Qg-107nc para Voltaje de Conmutación Mosfet de Potencia N-Canal

US$ 0,35-0,40

800 Piezas(MOQ)

1/4

Finest Printed Circuit Board Ltd.

·Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial

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Mejor Oscilador de Tetrodo de Potencia Triodo de Potencia Fu 728f Tubo RF 4cx1000A Tb3 750 Transistores de TV C3856

Mejor Oscilador de Tetrodo de Potencia Triodo de Potencia Fu 728f Tubo RF 4cx1000A Tb3 750 Transistores de TV C3856

Tubo Electrónico Triodo SMD 13009 D882 2n3906 4cx800A Transistor Irf530n BTA41 600b Precio

Tubo Electrónico Triodo SMD 13009 D882 2n3906 4cx800A Transistor Irf530n BTA41 600b Precio

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Transistores Mosfet de potencia PNP NPN SMD Amplificador de triodo Transistor IGBT

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A Transistores Mosfet de potencia PNP NPN SMD Amplificador de triodo Transistor IGBT

4cx1000A 3cx1500d3 Triacs 25A Bc847 Bzx84 Sot 23 Transistor de Potencia RF de Alta Tensión Nxsmd 78L05

4cx1000A 3cx1500d3 Triacs 25A Bc847 Bzx84 Sot 23 Transistor de Potencia RF de Alta Tensión Nxsmd 78L05

1/4

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

·Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial

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40A 650V Transistor Bipolar de Puerta Aislada Trenchstop G40t65lbbn to-3pn

40A 650V Transistor Bipolar de Puerta Aislada Trenchstop G40t65lbbn to-3pn

5.000 Piezas(MOQ)

Transistor de Silicio Epitaxial NPN Tip41c to-220 to-252

Transistor de Silicio Epitaxial NPN Tip41c to-220 to-252

US$ 0,01-1,50

5.000 Piezas(MOQ)

Venta Caliente Transistor de Silicio Epitaxial NPN Tip122 to-220

Venta Caliente Transistor de Silicio Epitaxial NPN Tip122 to-220

US$ 0,01-1,50

5.000 Piezas(MOQ)

110A 60V Transistor Mosfet de Potencia de Canal N en Modo de Mejora Dh066n06e

110A 60V Transistor Mosfet de Potencia de Canal N en Modo de Mejora Dh066n06e

US$ 0,01-0,20

5.000 Piezas(MOQ)

1/4

Beijing Jingbei Components Co., Ltd.

·Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial

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Ao3400A Transistor de Efecto de Campo Canal N 30 V 5.7A (Ta) 1.4W (Ta) Montaje en Superficie Sot-23-3

Ao3400A Transistor de Efecto de Campo Canal N 30 V 5.7A (Ta) 1.4W (Ta) Montaje en Superficie Sot-23-3

US$ 0,59-0,61

2sc3356 Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200MW Montaje en superficie Sot-23-3

2sc3356 Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200MW Montaje en superficie Sot-23-3

US$ 0,01-0,03

S8550 Transistor Bipolar (BJT) PNP 25 V 500 Ma 150MHz 300 MW Montaje en Superficie Sot-23

S8550 Transistor Bipolar (BJT) PNP 25 V 500 Ma 150MHz 300 MW Montaje en Superficie Sot-23

US$ 0,01-0,03

Ao3401A Transistor de Efecto de Campo P-Canal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Montaje en Superficie Sot-23-3

Ao3401A Transistor de Efecto de Campo P-Canal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Montaje en Superficie Sot-23-3

US$ 1,75-1,78

1/4

Guangdong Global Well Electronic Limited

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Componentes electrónicos transistores para circuitos integrados y módulos semiconductores

Componentes electrónicos transistores para circuitos integrados y módulos semiconductores

US$ 0,10-0,20

1.000 pieces(MOQ)

Transistors2sc5200 Kit de prueba de Mosfets Transistores

Transistors2sc5200 Kit de prueba de Mosfets Transistores

US$ 0,10-0,20

1.000 pieces(MOQ)

Transistores de alta potencia de silicio nuevo de depotencia componente electrónico

Transistores de alta potencia de silicio nuevo de depotencia componente electrónico

US$ 0,10-0,20

1.000 pieces(MOQ)

B772equivalent Códigos SMD Transistores Transistores

B772equivalent Códigos SMD Transistores Transistores

US$ 0,10-0,20

1.000 pieces(MOQ)

1/4

Shenzhen Lianxiong Trading Co., Ltd.

·Empresa Comercial

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Transistores Irf3808 Mosfet de Canal N 75V 140A MOS Irf3808 Irf3808pbf to-220

Transistores Irf3808 Mosfet de Canal N 75V 140A MOS Irf3808 Irf3808pbf to-220

US$ 0,50-0,70

200 pieces(MOQ)

Transistor Irf7404 Sop-8 Distribuidores de Circuitos Integrados Originales Irf7404trpbf

Transistor Irf7404 Sop-8 Distribuidores de Circuitos Integrados Originales Irf7404trpbf

US$ 0,20-0,30

200 pieces(MOQ)

Nuevo Original de Alta Calidad to-220ab Irf3205 Proveedor de Transistores Mosfet Irf3205pbf

Nuevo Original de Alta Calidad to-220ab Irf3205 Proveedor de Transistores Mosfet Irf3205pbf

US$ 0,10-0,30

500 pieces(MOQ)

Elq3h7 (TA) Componentes Electrónicos Originales de Transistores Optoaisladores 3.75kv 4CH Trans 16-Ssop

Elq3h7 (TA) Componentes Electrónicos Originales de Transistores Optoaisladores 3.75kv 4CH Trans 16-Ssop

US$ 0,10-0,30

100 Piezas(MOQ)

1/4

Shenzhen Topmay Electronic Co., Ltd.

·Empresa Comercial

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Ao4435 Transistor Mosfet Sop8

Ao4435 Transistor Mosfet Sop8

1.000 Piezas(MOQ)

Transistor Mosfet P-Channel confiable Ao4435 -30V para una gestión de energía eficiente

Transistor Mosfet P-Channel confiable Ao4435 -30V para una gestión de energía eficiente

20.000 Piezas(MOQ)

2301 Transistor 20V Mosfet de Canal P

2301 Transistor 20V Mosfet de Canal P

30.000 Piezas(MOQ)

Mmbt3904 Transistores de plástico encapsulados NPN

Mmbt3904 Transistores de plástico encapsulados NPN

US$ 0,0034-0,0035

21.000 Piezas(MOQ)

1/4

Shenzhen Xinjiaye Electronics Technology Co., Ltd.

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Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Manga de Aislamiento de Silicona Térmica Conductiva para to-220 / to-3p Transistor de Potencia Mosfet IGBT

Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Manga de Aislamiento de Silicona Térmica Conductiva para to-220 / to-3p Transistor de Potencia Mosfet IGBT

Ll4148 Diodo Estándar 100V 200mA SOD-80 Paquete - 20PCS Componentes Electrónicos de Alto Rendimiento

Ll4148 Diodo Estándar 100V 200mA SOD-80 Paquete - 20PCS Componentes Electrónicos de Alto Rendimiento

US$ 3.000,00

1/4

Shenzhen Gewei Technology Co., Ltd.

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CD4069ubm96 Circuito Integrado IC Chip Transistor en Stock Suministros Circuito Integrado IC

CD4069ubm96 Circuito Integrado IC Chip Transistor en Stock Suministros Circuito Integrado IC

1/4

CTC Technology Co., Ltd.

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componente electrónico Diodo Schottky Transistor SBD10C100F

componente electrónico Diodo Schottky Transistor SBD10C100F

US$ 0,03-0,15

2.000 Piezas(MOQ)

suministro de energía electrónica Diodo Schottky Transistor SBD20C100F

suministro de energía electrónica Diodo Schottky Transistor SBD20C100F

US$ 0,03-0,15

2.000 Piezas(MOQ)

Transistor de potencia de canal N de alta tensión y super unión

Transistor de potencia de canal N de alta tensión y super unión

US$ 0,05-0,15

5.000 Piezas(MOQ)

Dispositivo Discreto SBD10C100T/F/D/S Potencia Diodo Schottky Transistor

Dispositivo Discreto SBD10C100T/F/D/S Potencia Diodo Schottky Transistor

US$ 0,03-0,15

2.000 Piezas(MOQ)

1/4

Qingdao Jia En Semiconductor Co., Ltd.

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Transistor 500V-1500V de alta tensión Vdmos madura se aplica en inversores, cargadores, fuentes de alimentación de conmutación de alta tensión y en otros campos

Transistor 500V-1500V de alta tensión Vdmos madura se aplica en inversores, cargadores, fuentes de alimentación de conmutación de alta tensión y en otros campos

1.000 Piezas(MOQ)

Jiaen Sic Mosfet, 1200V 50A, el cambio rápido de alta eficiencia para EV cargador y el inversor PV

Jiaen Sic Mosfet, 1200V 50A, el cambio rápido de alta eficiencia para EV cargador y el inversor PV

1.000 Piezas(MOQ)

Mosfet de alta tensión

Mosfet de alta tensión

1.000 Piezas(MOQ)

1200V/80A Jiaen Sic MOSFET para cargador EV y almacenamiento de energía

1200V/80A Jiaen Sic MOSFET para cargador EV y almacenamiento de energía

1.000 Piezas(MOQ)

Baoding Sanzheng Electrical Equipment Co., Ltd.

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Fabricante 1500kw Equipo de Soldadura Tipo de Inducción Configurado con Mosfet o IGBT

Fabricante 1500kw Equipo de Soldadura Tipo de Inducción Configurado con Mosfet o IGBT

US$ 100.000,00-150.000,00

800kw Equipo de soldadura de tipo de inducción configurado con Mosfet o IGBT

800kw Equipo de soldadura de tipo de inducción configurado con Mosfet o IGBT

US$ 60.000,00-80.000,00

2023new Diseñado 800kw Equipo de Soldadura Tipo de Inducción Configurado con Mosfet o IGBT

2023new Diseñado 800kw Equipo de Soldadura Tipo de Inducción Configurado con Mosfet o IGBT

US$ 128.000,00-134.000,00

Nuevo equipo de soldadura 1200kw de tipo de inducción diseñado, configurado con Mosfet o IGBT

Nuevo equipo de soldadura 1200kw de tipo de inducción diseñado, configurado con Mosfet o IGBT

US$ 100.000,00-150.000,00

1/4

Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

·Empresa Comercial

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1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor Mosfet de Potencia N-Canal de Carburo de Silicio de Alta Eficiencia

1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor Mosfet de Potencia N-Canal de Carburo de Silicio de Alta Eficiencia

Bmd60n600c1, 600V 8A Mosfet Sj con baja pérdida de conmutación, baja EMI

Bmd60n600c1, 600V 8A Mosfet Sj con baja pérdida de conmutación, baja EMI

600 V, 20 a, 190 MΩ, [Bmf60n190c1], Transistor Mosfet Sj de Alta Eficiencia con Baja EMI y Pérdida de Conmutación Baja

600 V, 20 a, 190 MΩ, [Bmf60n190c1], Transistor Mosfet Sj de Alta Eficiencia con Baja EMI y Pérdida de Conmutación Baja

650 V, 8 a, [Bmd60n650UC1], Transistor de Potencia de Super Junta de Alta Eficiencia

650 V, 8 a, [Bmd60n650UC1], Transistor de Potencia de Super Junta de Alta Eficiencia

1/1

Sailing Commercial (Tianjin) Co., Ltd.

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Transistor de tiristor de control de fase tipo cápsula serie ordinaria Kp1600A 2000V SCR

Transistor de tiristor de control de fase tipo cápsula serie ordinaria Kp1600A 2000V SCR

Dispositivos semiconductores Componente electrónico Módulo de potencia Módulos de tiristor de conmutación rápida

Dispositivos semiconductores Componente electrónico Módulo de potencia Módulos de tiristor de conmutación rápida

Rendimiento de Conmutación Rápida de Calentamiento por Inducción SCR Control de Fase Tiristor Kp3500A2500V

Rendimiento de Conmutación Rápida de Calentamiento por Inducción SCR Control de Fase Tiristor Kp3500A2500V

US$ 50,00-300,00

Módulo SCR Inducción Calentamiento Rendimiento Conmutación Rápida Control de Fase Tiristor Kp3500A3500V

Módulo SCR Inducción Calentamiento Rendimiento Conmutación Rápida Control de Fase Tiristor Kp3500A3500V

US$ 150,00-570,00

1/4

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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82V 140A Nce82h140 Nce82h140d Transistor Mosfet de Canal N de Modo de Mejora 220W con to-220

82V 140A Nce82h140 Nce82h140d Transistor Mosfet de Canal N de Modo de Mejora 220W con to-220

US$ 0,38-0,437

1.000 Piezas(MOQ)

60V 5A Nce6005as Transistor Mosfet de Potencia de Canal N de Modo de Mejora &mcy; &ocy; &pcy; -&tcy; &rcy; &acy; &ncy; &zcy; &icy; &scy; &tcy; &ocy; &rcy;

60V 5A Nce6005as Transistor Mosfet de Potencia de Canal N de Modo de Mejora м о п -т р а н з и с т о р

US$ 0,077-0,089

5.000 Piezas(MOQ)

-60V -12A Nce60p12as Transistor Mosfet de Potencia de Canal P de Modo de Mejora Nce

-60V -12A Nce60p12as Transistor Mosfet de Potencia de Canal P de Modo de Mejora Nce

US$ 0,001-0,109

5.000 Piezas(MOQ)

30V 8A Nce3008xm Transistor Mosfet de Potencia de Modo de Mejora N-Canal con Sot-89

30V 8A Nce3008xm Transistor Mosfet de Potencia de Modo de Mejora N-Canal con Sot-89

US$ 0,001-0,066

5.000 Piezas(MOQ)

1/4

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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Transistor de Efecto de Campo en Modo de Mejora 20n06 60V 25A Aplicaciones de Conmutación Mosfet

Transistor de Efecto de Campo en Modo de Mejora 20n06 60V 25A Aplicaciones de Conmutación Mosfet

100 Piezas(MOQ)

G20n06D52 60V 20A Transistor Mosfet para aplicación de conmutación de potencia (parte de IC)

G20n06D52 60V 20A Transistor Mosfet para aplicación de conmutación de potencia (parte de IC)

100 Piezas(MOQ)

Transistor IC G40n03A 30V 40A para fuente de alimentación conmutada fabricante de China

Transistor IC G40n03A 30V 40A para fuente de alimentación conmutada fabricante de China

US$ 0,065-0,08

Transistor N-MOS 100V 50A to-220 (TRANSISTOR) G50n10 Tasa de Disipación 130W Máx

Transistor N-MOS 100V 50A to-220 (TRANSISTOR) G50n10 Tasa de Disipación 130W Máx

US$ 0,219-0,239

Henan 4.0 Automation Equipment Co., Ltd.

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8dq Salida de Transistor en lugar de Siemens 6es7 222-1bf32-0xb0 para S7-1200

8dq Salida de Transistor en lugar de Siemens 6es7 222-1bf32-0xb0 para S7-1200

US$ 50,00-60,00

Dq16 Actualización de Transistores para Sm1222 Módulos de Salida Digital

Dq16 Actualización de Transistores para Sm1222 Módulos de Salida Digital

US$ 80,00-85,00

Sm1223 Módulo de Entrada Salida Digital 16di/16dq, Salida de Transistor En lugar de 6es7223-1bl32-0xb0 para Siemens S7-1200

Sm1223 Módulo de Entrada Salida Digital 16di/16dq, Salida de Transistor En lugar de 6es7223-1bl32-0xb0 para Siemens S7-1200

US$ 135,00-140,00

1/4

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

·Empresa Comercial

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Svs47n60pn Swaziland SL Agente Stock original 47A 600V DP mos Transistor de potencia

Svs47n60pn Swaziland SL Agente Stock original 47A 600V DP mos Transistor de potencia

US$ 1,19-2,28

600 Piezas(MOQ)

Sgt25u120fd1p7 original Silan Micro 25A 1200V IGBT

Sgt25u120fd1p7 original Silan Micro 25A 1200V IGBT

US$ 1,19-2,28

100 Piezas(MOQ)

Svf23n50pn Agente de sílice original 23A 500V MOS impresión 23n50

Svf23n50pn Agente de sílice original 23A 500V MOS impresión 23n50

US$ 1,19-2,28

100 Piezas(MOQ)

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