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OtrosISO9001:2015ISO 9001ISO45001:2018OHSAS/ OHSMS 18002

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Capacidad de R&D

OEMODMMarca PropiaOtros

Ingresos Anuales

Por debajo de US $ 1 Millón1 ~ 2,5 millones de dólares2,5 ~ 5 millones de dólares5 ~ 10 millones de dólares10 ~ 50 millones de dólares

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Número de empleados

Menos de 5 Personas5-50 Personas51-200 Personas201-500 PersonasMás de 1000 Personas

Provincia & Región

AnhuiBeijingChongqingFujianGansu

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Proveedores revisados por servicios de inspección.

sobre transistor de conmutación

Innovación tecnológica
Cadenas de suministro confiables
Capacidades de fabricación sustanciales

transistor de conmutación300+ fábricas verificadas

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Transistor de Efecto de Campo de Mejora de Canal N de Alta Velocidad SOT-23 Características Aplicaciones YJL3404AQ

Transistor de Efecto de Campo de Mejora de Canal N de Alta Velocidad SOT-23 Características Aplicaciones YJL3404AQ

1.000 Piezas(MOQ)

Transistor de Efecto de Campo de Mejora de Modo N Canal Pérdida de conmutación extremadamente baja TO-252 Características Aplicaciones YJD130G04HHQ

Transistor de Efecto de Campo de Mejora de Modo N Canal Pérdida de conmutación extremadamente baja TO-252 Características Aplicaciones YJD130G04HHQ

US$ 0,12-1,26

Transistor de Efecto de Campo de Mejora de Canal P Pérdida de conmutación extremadamente baja SOT-23 Características Aplicaciones YJL3415KCQ

Transistor de Efecto de Campo de Mejora de Canal P Pérdida de conmutación extremadamente baja SOT-23 Características Aplicaciones YJL3415KCQ

1.000 Piezas(MOQ)

Transistor de Efecto de Campo de Canal P de Modo de Mejora Alta Velocidad de Conmutación SOT-23 Características Aplicaciones YJL3401AQ

Transistor de Efecto de Campo de Canal P de Modo de Mejora Alta Velocidad de Conmutación SOT-23 Características Aplicaciones YJL3401AQ

1.000 Piezas(MOQ)

1/4

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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MMBT4403LT1G Serie MMBT 40V 600mA Transistor de conmutación PNP de silicio montado en superficie

MMBT4403LT1G Serie MMBT 40V 600mA Transistor de conmutación PNP de silicio montado en superficie

US$ 0,05-200,00

500 Piezas(MOQ)

PMBT3904,215 PMBT3904 Serie 40 V 200 mA SMT NPN Transistor de Conmutación

PMBT3904,215 PMBT3904 Serie 40 V 200 mA SMT NPN Transistor de Conmutación

US$ 0,072-15,00

100 Piezas(MOQ)

MMBT4401LT1G TRANSISTOR NPN 40V 0.6A Transistor de conmutación de silicio NPN de montaje en superficie

MMBT4401LT1G TRANSISTOR NPN 40V 0.6A Transistor de conmutación de silicio NPN de montaje en superficie

US$ 0,05-200,00

500 Piezas(MOQ)

SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS transistor mosfet

SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS transistor mosfet

US$ 0,12-15,00

100 Piezas(MOQ)

1/4

Simentor Electronic Limited

·Empresa Comercial

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Bdx53c Transistor de Potencia - Ideal para Amplificadores de Audio y Aplicaciones de Conmutación

Bdx53c Transistor de Potencia - Ideal para Amplificadores de Audio y Aplicaciones de Conmutación

Condensador de película compacto B32924c3684K para electrónica de consumo

Condensador de película compacto B32924c3684K para electrónica de consumo

Buen Precio IC Fqp90n10V2 Alta Corriente 65A Mosfet N-Canal, 60V, Conmutación Rápida

Buen Precio IC Fqp90n10V2 Alta Corriente 65A Mosfet N-Canal, 60V, Conmutación Rápida

Irfr9024n Mosfet de canal P - 55V, 12A, Baja resistencia en conducción para un eficiente conmutación de potencia

Irfr9024n Mosfet de canal P - 55V, 12A, Baja resistencia en conducción para un eficiente conmutación de potencia

1/4

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Potencia Original E13003 Conmutación D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

Potencia Original E13003 Conmutación D13003 Mosfet Mje13003 Transistor 13003

US$ 0,10-0,50

2n7002p, 215 Transistores Mosfet 60V 360mA de Canal N para Aplicaciones de Conmutación Eficiente Mejoran el Rendimiento del Circuito

2n7002p, 215 Transistores Mosfet 60V 360mA de Canal N para Aplicaciones de Conmutación Eficiente Mejoran el Rendimiento del Circuito

US$ 0,01-1,00

Sgt75t65sdm1p7 75t65s IGBT to-247 650V/75A Transistores Originales Componente Electrónico Servicio Integral

Sgt75t65sdm1p7 75t65s IGBT to-247 650V/75A Transistores Originales Componente Electrónico Servicio Integral

US$ 0,57-1,23

Transistores Buk6d23-40eh Mosfet Buk6d23-40e/Sot1220 SMD/SMT

Transistores Buk6d23-40eh Mosfet Buk6d23-40e/Sot1220 SMD/SMT

US$ 0,001-0,10

1/4

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

·Empresa Comercial

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Transistor de potencia NPN de conmutación rápida de alta tensión Mje 13009A 13009 Mje13009A

Transistor de potencia NPN de conmutación rápida de alta tensión Mje 13009A 13009 Mje13009A

500 Piezas(MOQ)

Nuevo Tríodo Bc337-25 Bc337-40 Transistor de Conmutación y Amplificación

Nuevo Tríodo Bc337-25 Bc337-40 Transistor de Conmutación y Amplificación

Buh515D Transistor de potencia NPN de conmutación rápida de alta tensión

Buh515D Transistor de potencia NPN de conmutación rápida de alta tensión

US$ 1,02-2,00

Transistor de potencia NPN de conmutación rápida de alta tensión

Transistor de potencia NPN de conmutación rápida de alta tensión

2.000 Piezas(MOQ)

1/4

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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Transistor amplificador NPN de propósito general de alta velocidad Pxt2222A Paquete Sot-89

Transistor amplificador NPN de propósito general de alta velocidad Pxt2222A Paquete Sot-89

1.000 Piezas(MOQ)

Asc300n1200mep2b Mosfet de Sic 1200V Módulo Mosfet de Sic Easypack Transistor

Asc300n1200mep2b Mosfet de Sic 1200V Módulo Mosfet de Sic Easypack Transistor

500 Piezas(MOQ)

Módulos IGBT Vces-1200V IC-35A Mg35p12p3 Transistor

Módulos IGBT Vces-1200V IC-35A Mg35p12p3 Transistor

Diodo Schottky de Carburo de Silicio G3s06506A to-220AC Transistor de Alta Frecuencia

Diodo Schottky de Carburo de Silicio G3s06506A to-220AC Transistor de Alta Frecuencia

1.000 Piezas(MOQ)

1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Excelente Conducción y Pérdida de Conmutación To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Trident Transistor Bipolar de Puerta

Excelente Conducción y Pérdida de Conmutación To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricante Trident Transistor Bipolar de Puerta

US$ 2,50-3,00

5.000 Piezas(MOQ)

Diodo de recuperación rápida regulador de voltaje transistor de alta tensión

Diodo de recuperación rápida regulador de voltaje transistor de alta tensión

660 Piezas(MOQ)

Aec-Q101 Bajo Voltaje de Conducción 40V Conmutación Rápida Bajo RDS (en Mosfet)

Aec-Q101 Bajo Voltaje de Conducción 40V Conmutación Rápida Bajo RDS (en Mosfet)

660 Piezas(MOQ)

To247 Sfs280n10hf Vds-100 ID-800A Regulador de Voltaje conmutado Mosfet de Potencia N-Channel

To247 Sfs280n10hf Vds-100 ID-800A Regulador de Voltaje conmutado Mosfet de Potencia N-Channel

US$ 0,50-0,60

330 Piezas(MOQ)

1/4

Finest Printed Circuit Board Ltd.

·Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial

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Tubo Electrónico Triodo SMD 13009 D882 2n3906 4cx800A Transistor Irf530n BTA41 600b Precio

Tubo Electrónico Triodo SMD 13009 D882 2n3906 4cx800A Transistor Irf530n BTA41 600b Precio

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 Mejor Amplificador de Audio de Tetrodo con Tubo de Potencia SMD Transistores Sot 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 Mejor Amplificador de Audio de Tetrodo con Tubo de Potencia SMD Transistores Sot 23 J313

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf Tubo de triodo cerámico eléctrico de vacío Precio de transistor SMD de chip en China

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf Tubo de triodo cerámico eléctrico de vacío Precio de transistor SMD de chip en China

Transistores IGBT de Shenzhen Tl431 Bc337 Tip3055 1n4007 UC3842 60n65 2sc5200 80 30f124 Comerciantes D1047

Transistores IGBT de Shenzhen Tl431 Bc337 Tip3055 1n4007 UC3842 60n65 2sc5200 80 30f124 Comerciantes D1047

1/4

Beijing Jingbei Components Co., Ltd.

·Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial

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2sc3356 Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200MW Montaje en superficie Sot-23-3

2sc3356 Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200MW Montaje en superficie Sot-23-3

US$ 0,01-0,03

Ao3400A Transistor de Efecto de Campo Canal N 30 V 5.7A (Ta) 1.4W (Ta) Montaje en Superficie Sot-23-3

Ao3400A Transistor de Efecto de Campo Canal N 30 V 5.7A (Ta) 1.4W (Ta) Montaje en Superficie Sot-23-3

US$ 0,59-0,61

Ss8550 Transistor Bipolar (BJT) PNP 25 V 1.5 a 100MHz 300 MW Montaje en Superficie Sot-23

Ss8550 Transistor Bipolar (BJT) PNP 25 V 1.5 a 100MHz 300 MW Montaje en Superficie Sot-23

US$ 0,01-0,03

Ao3401 Transistor P-Canal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Montaje en Superficie Sot-23-3 Transistor

Ao3401 Transistor P-Canal 30 V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Montaje en Superficie Sot-23-3 Transistor

US$ 0,01-0,02

1/4

Guangdong Global Well Electronic Limited

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Transistores de alta potencia de silicio nuevo de depotencia componente electrónico

Transistores de alta potencia de silicio nuevo de depotencia componente electrónico

US$ 0,10-0,20

1.000 pieces(MOQ)

Transistors2sc5200 Kit de prueba de Mosfets Transistores

Transistors2sc5200 Kit de prueba de Mosfets Transistores

US$ 0,10-0,20

1.000 pieces(MOQ)

B772equivalent Códigos SMD Transistores Transistores

B772equivalent Códigos SMD Transistores Transistores

US$ 0,10-0,20

1.000 pieces(MOQ)

Componentes electrónicos transistores para circuitos integrados y módulos semiconductores

Componentes electrónicos transistores para circuitos integrados y módulos semiconductores

US$ 0,10-0,20

1.000 pieces(MOQ)

1/4

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

·Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial

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40A 650V Transistor Bipolar de Puerta Aislada Trenchstop G40t65lbbn to-3pn

40A 650V Transistor Bipolar de Puerta Aislada Trenchstop G40t65lbbn to-3pn

5.000 Piezas(MOQ)

Transistor de Silicio Epitaxial NPN Tip41c to-220 to-252

Transistor de Silicio Epitaxial NPN Tip41c to-220 to-252

US$ 0,01-1,50

5.000 Piezas(MOQ)

Venta Caliente Transistor de Silicio Epitaxial NPN Tip122 to-220

Venta Caliente Transistor de Silicio Epitaxial NPN Tip122 to-220

US$ 0,01-1,50

5.000 Piezas(MOQ)

110A 60V Transistor Mosfet de Potencia de Canal N en Modo de Mejora Dh066n06e

110A 60V Transistor Mosfet de Potencia de Canal N en Modo de Mejora Dh066n06e

US$ 0,01-0,20

5.000 Piezas(MOQ)

1/4

Shenzhen Lianxiong Trading Co., Ltd.

·Empresa Comercial

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Transistores Irf3808 Mosfet de Canal N 75V 140A MOS Irf3808 Irf3808pbf to-220

Transistores Irf3808 Mosfet de Canal N 75V 140A MOS Irf3808 Irf3808pbf to-220

US$ 0,50-0,70

200 pieces(MOQ)

Transistor Irf7404 Sop-8 Distribuidores de Circuitos Integrados Originales Irf7404trpbf

Transistor Irf7404 Sop-8 Distribuidores de Circuitos Integrados Originales Irf7404trpbf

US$ 0,20-0,30

200 pieces(MOQ)

Nuevo Original de Alta Calidad to-220ab Irf3205 Proveedor de Transistores Mosfet Irf3205pbf

Nuevo Original de Alta Calidad to-220ab Irf3205 Proveedor de Transistores Mosfet Irf3205pbf

US$ 0,10-0,30

500 pieces(MOQ)

Elq3h7 (TA) Componentes Electrónicos Originales de Transistores Optoaisladores 3.75kv 4CH Trans 16-Ssop

Elq3h7 (TA) Componentes Electrónicos Originales de Transistores Optoaisladores 3.75kv 4CH Trans 16-Ssop

US$ 0,10-0,30

100 Piezas(MOQ)

1/4

Shenzhen Topmay Electronic Co., Ltd.

·Empresa Comercial

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Ao4435 Transistor Mosfet Sop8

Ao4435 Transistor Mosfet Sop8

1.000 Piezas(MOQ)

Transistor Mosfet P-Channel confiable Ao4435 -30V para una gestión de energía eficiente

Transistor Mosfet P-Channel confiable Ao4435 -30V para una gestión de energía eficiente

20.000 Piezas(MOQ)

2301 Transistor 20V Mosfet de Canal P

2301 Transistor 20V Mosfet de Canal P

30.000 Piezas(MOQ)

Mmbt3904 Transistores de plástico encapsulados NPN

Mmbt3904 Transistores de plástico encapsulados NPN

US$ 0,0034-0,0035

21.000 Piezas(MOQ)

1/4

Shenzhen Xinjiaye Electronics Technology Co., Ltd.

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Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Manga de Aislamiento de Silicona Térmica Conductiva para to-220 / to-3p Transistor de Potencia Mosfet IGBT

Sp22-16-11.4-5.8-0.3 Manga de Aislamiento de Silicona Térmica Conductiva para to-220 / to-3p Transistor de Potencia Mosfet IGBT

Ll4148 Diodo Estándar 100V 200mA SOD-80 Paquete - 20PCS Componentes Electrónicos de Alto Rendimiento

Ll4148 Diodo Estándar 100V 200mA SOD-80 Paquete - 20PCS Componentes Electrónicos de Alto Rendimiento

US$ 3.000,00

1/4

Shenzhen Gewei Technology Co., Ltd.

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CD4069ubm96 Circuito Integrado IC Chip Transistor en Stock Suministros Circuito Integrado IC

CD4069ubm96 Circuito Integrado IC Chip Transistor en Stock Suministros Circuito Integrado IC

1/4

CTC Technology Co., Ltd.

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Transistor de potencia de canal N de alta tensión y super unión

Transistor de potencia de canal N de alta tensión y super unión

US$ 0,05-0,15

5.000 Piezas(MOQ)

Dispositivo Discreto SBD10C100T/F/D/S Potencia Diodo Schottky Transistor

Dispositivo Discreto SBD10C100T/F/D/S Potencia Diodo Schottky Transistor

US$ 0,03-0,15

2.000 Piezas(MOQ)

suministro de energía electrónica Diodo Schottky Transistor SBD20C100F

suministro de energía electrónica Diodo Schottky Transistor SBD20C100F

US$ 0,03-0,15

2.000 Piezas(MOQ)

componente electrónico Diodo Schottky Transistor SBD10C100F

componente electrónico Diodo Schottky Transistor SBD10C100F

US$ 0,03-0,15

2.000 Piezas(MOQ)

1/4

Qingdao Jia En Semiconductor Co., Ltd.

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Transistor 500V-1500V de alta tensión Vdmos madura se aplica en inversores, cargadores, fuentes de alimentación de conmutación de alta tensión y en otros campos

Transistor 500V-1500V de alta tensión Vdmos madura se aplica en inversores, cargadores, fuentes de alimentación de conmutación de alta tensión y en otros campos

1.000 Piezas(MOQ)

Jiaen Sic Mosfet, 1200V 50A, el cambio rápido de alta eficiencia para EV cargador y el inversor PV

Jiaen Sic Mosfet, 1200V 50A, el cambio rápido de alta eficiencia para EV cargador y el inversor PV

1.000 Piezas(MOQ)

Mosfet de alta tensión

Mosfet de alta tensión

1.000 Piezas(MOQ)

1200V/80A Jiaen Sic MOSFET para cargador EV y almacenamiento de energía

1200V/80A Jiaen Sic MOSFET para cargador EV y almacenamiento de energía

1.000 Piezas(MOQ)

Baoding Sanzheng Electrical Equipment Co., Ltd.

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800kw Equipo de soldadura de tipo de inducción configurado con Mosfet o IGBT

800kw Equipo de soldadura de tipo de inducción configurado con Mosfet o IGBT

US$ 60.000,00-80.000,00

Fabricante 1500kw Equipo de Soldadura Tipo de Inducción Configurado con Mosfet o IGBT

Fabricante 1500kw Equipo de Soldadura Tipo de Inducción Configurado con Mosfet o IGBT

US$ 100.000,00-150.000,00

CE 500kw Equipo de soldadura tipo de inducción configurado con Si-Mosfet o Sic-Mosfet

CE 500kw Equipo de soldadura tipo de inducción configurado con Si-Mosfet o Sic-Mosfet

US$ 78.000,00-82.000,00

CE 1000kw Equipo de soldadura tipo de inducción configurado con Si-Mosfet o Sic-Mosfet

CE 1000kw Equipo de soldadura tipo de inducción configurado con Si-Mosfet o Sic-Mosfet

US$ 160.000,00-170.000,00

1/4

Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

·Empresa Comercial

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1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor Mosfet de Potencia N-Canal de Carburo de Silicio de Alta Eficiencia

1200 V, 110 a, [Bc018sg12swsd], Transistor Mosfet de Potencia N-Canal de Carburo de Silicio de Alta Eficiencia

Bmd60n600c1, 600V 8A Mosfet Sj con baja pérdida de conmutación, baja EMI

Bmd60n600c1, 600V 8A Mosfet Sj con baja pérdida de conmutación, baja EMI

600 V, 20 a, 190 MΩ, [Bmf60n190c1], Transistor Mosfet Sj de Alta Eficiencia con Baja EMI y Pérdida de Conmutación Baja

600 V, 20 a, 190 MΩ, [Bmf60n190c1], Transistor Mosfet Sj de Alta Eficiencia con Baja EMI y Pérdida de Conmutación Baja

650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Transistor de Potencia de Super Unión de Alta Eficiencia

650 V, 8 a, [Bmt65n065UC1], Transistor de Potencia de Super Unión de Alta Eficiencia

1/1

Sailing Commercial (Tianjin) Co., Ltd.

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Transistor de tiristor de control de fase tipo cápsula serie ordinaria Kp1600A 2000V SCR

Transistor de tiristor de control de fase tipo cápsula serie ordinaria Kp1600A 2000V SCR

Tiristor de Conmutación Rápida SCR de la Marca Sailton Y38kpeot18A

SCR Excelente Características Dinámicas Rendimiento de Conmutación Rápida Control de Fase Tiristor Kp3000A2500V

SCR Excelente Características Dinámicas Rendimiento de Conmutación Rápida Control de Fase Tiristor Kp3000A2500V

US$ 50,00-300,00

Módulos de tiristores de conmutación rápida Dispositivos semiconductores Módulo de potencia

Módulos de tiristores de conmutación rápida Dispositivos semiconductores Módulo de potencia

1/4

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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60V 5A Nce6005as Transistor Mosfet de Potencia de Canal N de Modo de Mejora &mcy; &ocy; &pcy; -&tcy; &rcy; &acy; &ncy; &zcy; &icy; &scy; &tcy; &ocy; &rcy;

60V 5A Nce6005as Transistor Mosfet de Potencia de Canal N de Modo de Mejora м о п -т р а н з и с т о р

US$ 0,077-0,089

5.000 Piezas(MOQ)

-60V -12A Nce60p12as Transistor Mosfet de Potencia de Canal P de Modo de Mejora Nce

-60V -12A Nce60p12as Transistor Mosfet de Potencia de Canal P de Modo de Mejora Nce

US$ 0,001-0,109

5.000 Piezas(MOQ)

82V 140A Nce82h140 Nce82h140d Transistor Mosfet de Canal N de Modo de Mejora 220W con to-220

82V 140A Nce82h140 Nce82h140d Transistor Mosfet de Canal N de Modo de Mejora 220W con to-220

US$ 0,38-0,437

1.000 Piezas(MOQ)

30V 8A Nce3008xm Transistor Mosfet de Potencia de Modo de Mejora N-Canal con Sot-89

30V 8A Nce3008xm Transistor Mosfet de Potencia de Modo de Mejora N-Canal con Sot-89

US$ 0,001-0,066

5.000 Piezas(MOQ)

1/4

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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Transistor de Efecto de Campo en Modo de Mejora 20n06 60V 25A Aplicaciones de Conmutación Mosfet

Transistor de Efecto de Campo en Modo de Mejora 20n06 60V 25A Aplicaciones de Conmutación Mosfet

100 Piezas(MOQ)

Gt45n06 Mosfet Goford 60V 45A Paquete Dfn

Gt45n06 Mosfet Goford 60V 45A Paquete Dfn

100 Piezas(MOQ)

G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A Transistor Mosfet con Muestra Gratuita

G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A Transistor Mosfet con Muestra Gratuita

US$ 0,085-0,115

G08p02ts -20V, -8.2A Transistor Mosfet de Trinchera Única para Circuitos de Conmutación de Potencia

G08p02ts -20V, -8.2A Transistor Mosfet de Trinchera Única para Circuitos de Conmutación de Potencia

US$ 0,085-0,105

Henan 4.0 Automation Equipment Co., Ltd.

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8dq Salida de Transistor en lugar de Siemens 6es7 222-1bf32-0xb0 para S7-1200

8dq Salida de Transistor en lugar de Siemens 6es7 222-1bf32-0xb0 para S7-1200

US$ 50,00-60,00

Dq16 Actualización de Transistores para Sm1222 Módulos de Salida Digital

Dq16 Actualización de Transistores para Sm1222 Módulos de Salida Digital

US$ 80,00-85,00

Sm1223 Módulo de Entrada Salida Digital 16di/16dq, Salida de Transistor En lugar de 6es7223-1bl32-0xb0 para Siemens S7-1200

Sm1223 Módulo de Entrada Salida Digital 16di/16dq, Salida de Transistor En lugar de 6es7223-1bl32-0xb0 para Siemens S7-1200

US$ 135,00-140,00

1/4

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

·Empresa Comercial

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Svs47n60pn Swaziland SL Agente Stock original 47A 600V DP mos Transistor de potencia

Svs47n60pn Swaziland SL Agente Stock original 47A 600V DP mos Transistor de potencia

US$ 1,19-2,28

600 Piezas(MOQ)

Svf23n50pn Agente de sílice original 23A 500V MOS impresión 23n50

Svf23n50pn Agente de sílice original 23A 500V MOS impresión 23n50

US$ 1,19-2,28

100 Piezas(MOQ)

Sgt25u120fd1p7 original Silan Micro 25A 1200V IGBT

Sgt25u120fd1p7 original Silan Micro 25A 1200V IGBT

US$ 1,19-2,28

100 Piezas(MOQ)

1/4

Shenzhen Cansheng Industry Development Co., Ltd.

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Transistor (MMBT Swithicng3904/MMBT3906)

Transistor (MMBT Swithicng3904/MMBT3906)

1.000 Piezas(MOQ)

Swithing el transistor de la lámpara de ahorro de energía (13002/13003)

Swithing el transistor de la lámpara de ahorro de energía (13002/13003)

1.000 Piezas(MOQ)

Simiconductor (BAV99).

Simiconductor (BAV99).

Winsemi Microelectronics Company Limited

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