Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
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Application: | Electronic Products |
Certification: | RoHS, CE, ISO, CCC, SGS |
Luminous Intensity: | Standard |
Color: | Black,Grey |
Structure: | Planar |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
Símbolos | 1A1 | 1A2 | 1A3 | 1A4 | 1A5 | 1A6 | 1A7 | Unidades | |
Tensión inversa máxima de pico repetitivo | VRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios |
Tensión RMS máxima | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | Voltios |
Tensión de bloqueo de CC máxima | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios |
Corriente rectificada máxima media a 75 ºC | I (AV) | 1,0 | Amperios | ||||||
Corriente de transitorios de avance pico 8,3ms onda sinusoidal media única Super impuesto sobre la carga nominal (método JEDEC) | IFSM | 25,0 | Amperios | ||||||
Tensión directa máxima a 1,0A DC | FV | 1,1 | Voltios | ||||||
Corriente inversa CC máxima TA=25ºC a tensión de bloqueo CC nominal TA=100ºC. | IR | 5,0 50,0 | μA | ||||||
Capacitancia de unión típica (Nota 1) | CJ | 10,0 | PF | ||||||
Resistencia térmica típica (Nota 2) | RθJA | 26,0 | C/W | ||||||
Rango de temperatura de funcionamiento | TJ | -55 a +125 | ºC | ||||||
Rango de temperatura de almacenamiento | TSTG | -55 a +150 | ºC |
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