Personalización: | Disponible |
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Estructura de encapsulación: | El transistor de plástico sellada |
Solicitud: | Productos electrónicos |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
Auditado por una agencia de inspección externa independiente
Parámetro |
Símbolos |
1H1 | 1H2 | 1H3 | 1H4 | 1H5 | 1H6 | 1H7 | 1H8 | Unidad |
Tensión inversa máxima de pico repetitivo |
VRRM | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Tensión RMS máxima | VRMS | 35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
Tensión de bloqueo de CC máxima |
VDC | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Corriente rectificada media máxima |
SI (AV) | 1,0 | R | |||||||
8,3 ms corriente de transitorios de avance de pico no repetitiva 8,3 ms, media única onda sinusoidal | IFSM |
30 |
R |
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Resistencia térmica típica (Nota 1) | RθJA | 113 | C/W | |||||||
Temperatura de unión de funcionamiento |
TJ | 150 | ºC | |||||||
Rango de temperatura de almacenamiento |
TSTG | -55 --- +150 | ºC |