• El diodo 1N4007s 1N4002S-405 600-800V 1000V rectificadores de propósito general
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El diodo 1N4007s 1N4002S-405 600-800V 1000V rectificadores de propósito general

Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
Solicitud: Productos electrónicos
Proceso de dar un título: RoHS, CE, ISO, CCC, SGS
Intensidad luminosa: Estándar
Color: Gray,Black
Estructura: planar

Contactar al Proveedor

Miss Talia Tang
General Manager
Miembro de Oro Desde 2017

Proveedores con licencias comerciales verificadas

Manufacturer/Factory, Trading Company

Información Básica.

No. de Modelo.
1N4001S-1N4007S
Material
Silicio
Paquete de Transporte
by Sea, Packaging
Especificación
A-405
Marca Comercial
ZG Brand
Origen
Auhui Province, China
Código del HS
8541100000
Capacidad de Producción
50000000000000000000000000

Descripción de Producto

La empresa tiene una amplia variedad de productos con las especificaciones completas, incluyendo los Supresores de transitorios de tensión(TV), los sat, el general rectificador(ETS), la recuperación rápida el diodo(FR), rectificadores de alta eficiencia(SU\UF), super rápida recuperación diodo(SF) y el diodo Schottky (cielo). El paquete principal incluye SOD-123FL, SMA, SMB, SMC-41, NO HACER-15, no-17, DO-27 y R-6, etc.   descripción de producto Fotos detalladas Certificaciones Anhui Zhongxin Semiconductor Co., Ltd. fue fundada en 2010 y cubre un área de 20000 metros cuadrados, que se encuentra en la provincia de Anhui, cerca de Shanghai. Nuestra empresa se centrará en el desarrollo y producción de diodo rectificador diodo Schottky mosfet, diodo, la recuperación rápida diodo rectificador en puente, la oblea de silicio, etc. Nuestra misión es ser el proveedor de semiconductores más valioso de al lado. Bienvenido a contactarnos para las futuras relaciones de negocios y el éxito mutuo.
  Los símbolos 1N4001S 1N4002S 1N4003S 1N4004S 1N4005S 1N4006S 1N4007S Las unidades
La máxima tensión inversa pico repetitivo VRMM 50 100 200 400 600 800 1000 V.
La máxima tensión RMS VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V.
La máxima tensión de bloqueo DC Vcc 50 100 200 400 600 800 1000 V.
El promedio máximo de interés corriente rectificada @TA=75°C. I(AV). 1.0 Amp.
Avance de los picos de corriente transitoria 8.3ms solo la mitad Sine-Wave Super impuestas a la carga nominal(JEDEC método) IFSM 30.0 Amp.
Tensión máxima de avance en la 1.0A VF 1.1. V.
La máxima corriente inversa DC TJ=25ºC en el bloqueo de la tensión nominal de la DC TJ=100ºC IR 5.0 50.0 ΜA
La capacitancia de empalme típica (Nota 1) CJ 15.0 PF
Resistencia térmica típica (Nota 2) RθJA 26.0 ºC/W
Rango de temperatura de funcionamiento TJ -55 a +125 °C.
Temperatura de almacenamiento TSTG -55 a +150 °C.

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