Diodo 1n4007s 1n4002s a-405 600-800V 1000V Rectificadores de Uso General

• Personalización: Disponible
• Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
• Solicitud: Productos electrónicos
• No. de Modelo.: 1N4001S-1N4007S
• Proceso de dar un título: RoHS, CE, ISO, CCC, sgs
• Intensidad luminosa: Estándar
• Color: gris, negro
• Estructura: planar
• Material: Silicio
• Paquete de Transporte: por mar, embalaje
• Especificación: A-405
• Marca Comercial: marca zg
• Origen: Auhui Province, China
• Código del HS: 8541100000
• Capacidad de Producción: 50000000000000000000000000

Descripción de Producto

La empresa tiene una amplia variedad de productos con las especificaciones completas, incluyendo los Supresores de transitorios de tensión(TV), los sat, el general rectificador(ETS), la recuperación rápida el diodo(FR), rectificadores de alta eficiencia(SU\UF), super rápida recuperación diodo(SF) y el diodo Schottky (cielo). El paquete principal incluye SOD-123FL, SMA, SMB, SMC-41, NO HACER-15, no-17, DO-27 y R-6, etc.   descripción de producto Fotos detalladas Certificaciones Anhui Zhongxin Semiconductor Co., Ltd. fue fundada en 2010 y cubre un área de 20000 metros cuadrados, que se encuentra en la provincia de Anhui, cerca de Shanghai. Nuestra empresa se centrará en el desarrollo y producción de diodo rectificador diodo Schottky mosfet, diodo, la recuperación rápida diodo rectificador en puente, la oblea de silicio, etc. Nuestra misión es ser el proveedor de semiconductores más valioso de al lado. Bienvenido a contactarnos para las futuras relaciones de negocios y el éxito mutuo.

	Los símbolos	1N4001S	1N4002S	1N4003S	1N4004S	1N4005S	1N4006S	1N4007S	Las unidades
La máxima tensión inversa pico repetitivo	VRMM	50	100	200	400	600	800	1000	V.
La máxima tensión RMS	VRMS	35	70	140	280	420	560	700	V.
La máxima tensión de bloqueo DC	Vcc	50	100	200	400	600	800	1000	V.
El promedio máximo de interés corriente rectificada @TA=75°C.	I(AV).	1.0							Amp.
Avance de los picos de corriente transitoria 8.3ms solo la mitad Sine-Wave Super impuestas a la carga nominal(JEDEC método)	IFSM	30.0							Amp.
Tensión máxima de avance en la 1.0A	VF	1.1.							V.
La máxima corriente inversa DC TJ=25ºC en el bloqueo de la tensión nominal de la DC TJ=100ºC	IR	5.0 50.0							ΜA
La capacitancia de empalme típica (Nota 1)	CJ	15.0							PF
Resistencia térmica típica (Nota 2)	RθJA	26.0							ºC/W
Rango de temperatura de funcionamiento	TJ	-55 a +125							°C.
Temperatura de almacenamiento	TSTG	-55 a +150							°C.