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Diodo de conmutación de diodo 1n4148 con diodo de conmutación rápida 75V 150mA Diodo DO-35 1n4148

Estructura de encapsulación: El transistor de vidrio sellada
Solicitud: Productos electrónicos
Proceso de dar un título: RoHS, CE, ISO, CCC
Intensidad luminosa: Estándar
Color: rojo
Estructura: planar

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Miss Estella Hu
General Manager
Miembro Diamante Desde 2017

Proveedores con licencias comerciales verificadas

5.0
Fabricante/Fábrica, Empresa Comercial
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Visión General

Información Básica.

No. de Modelo.
1N4148
Material
Silicio
Paquete de Transporte
by Sea, Packaging
Especificación
Do-35
Marca Comercial
ZG Brand
Origen
Auhui Province, China
Código del HS
8541100000
Capacidad de Producción
50000000000000000000000000

Descripción de Producto

descripción de producto

Diodo de conmutación de diodo 1n4148 con diodo de conmutación rápida 75V 150mA Diodo DO-35 1n4148Diodo de conmutación de diodo 1n4148 con diodo de conmutación rápida 75V 150mA Diodo DO-35 1n4148

Fotos detalladas

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 Símbolos FR101 FR102 FR10 3 FR104 FR105 FR106 FR107 Unidades
Tensión inversa máxima de pico repetitivo VRM 50 100 200 400 600 800 1000 Voltios
Tensión RMS máxima VRMS 35 70 140 280 420 560 700 Voltios
Tensión de bloqueo de CC máxima VDC 50 100 200 400 600 800 1000 Voltios
Corriente rectificada máxima media a 75 ºC I (AV) 1,0 Amperios
Corriente de transitorios de avance pico
8,3ms onda sinusoidal simple superimpuesta sobre la carga nominal (método JEDEC)

IFSM

30,0

Amperios
Tensión directa máxima a 1,0A DC FV 1,3 Voltios
Corriente inversa CC máxima TJ=25ºC a tensión de bloqueo CC nominal TJ=100ºC. IR 5,0
100
μA
Tiempo máximo de recuperación inversa (Nota 1) TRR 150,0 250,0 500,0 no
Capacitancia de unión típica (Nota 2) CJ 25,0 15,0 PF
Resistencia térmica típica (Nota 3) RθJA 25,0 C/W
Rango de temperatura de funcionamiento TJ -55 a +125 ºC
Rango de temperatura de almacenamiento TSTG -55 a +150 ºC
Certificaciones

 

Diodo de conmutación de diodo 1n4148 con diodo de conmutación rápida 75V 150mA Diodo DO-35 1n4148

Anhui Zhongxin Semiconductor Co., Ltd  . Fue fundada en 2010 y cubre una superficie de 20000 metros cuadrados, que se encuentra en  la provincia de Anhui, cerca de Shanghai. Nuestra empresa se centra en el desarrollo y producción de diodos, diodos rectificadores, mosfet, diodos schottky, diodos de recuperación rápida,  rectificador de puente, oblea de silicio, etc. nuestra misión es ser el proveedor de semiconductores más valioso al lado de usted. Bienvenido a contactar con nosotros para futuras relaciones comerciales y el éxito mutuo.

 

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