Personalización: | Disponible |
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Estructura de encapsulación: | El transistor de vidrio sellada |
Solicitud: | Productos electrónicos |
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Proveedores con licencias comerciales verificadas
Auditado por una agencia de inspección externa independiente
Símbolos | FR101 | FR102 | FR10 | 3 FR104 | FR105 | FR106 | FR107 | Unidades | |
Tensión inversa máxima de pico repetitivo | VRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios |
Tensión RMS máxima | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | Voltios |
Tensión de bloqueo de CC máxima | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios |
Corriente rectificada máxima media a 75 ºC | I (AV) | 1,0 | Amperios | ||||||
Corriente de transitorios de avance pico 8,3ms onda sinusoidal simple superimpuesta sobre la carga nominal (método JEDEC) | IFSM | 30,0 | Amperios | ||||||
Tensión directa máxima a 1,0A DC | FV | 1,3 | Voltios | ||||||
Corriente inversa CC máxima TJ=25ºC a tensión de bloqueo CC nominal TJ=100ºC. | IR | 5,0 100 | μA | ||||||
Tiempo máximo de recuperación inversa (Nota 1) | TRR | 150,0 | 250,0 | 500,0 | no | ||||
Capacitancia de unión típica (Nota 2) | CJ | 25,0 | 15,0 | PF | |||||
Resistencia térmica típica (Nota 3) | RθJA | 25,0 | C/W | ||||||
Rango de temperatura de funcionamiento | TJ | -55 a +125 | ºC | ||||||
Rango de temperatura de almacenamiento | TSTG | -55 a +150 | ºC |