Personalización: | Disponible |
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Estructura de encapsulación: | do-41 |
Solicitud: | Productos electrónicos |
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Proveedores con licencias comerciales verificadas
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Los síMbolos | 1N4001S | 1N4002S | 1N4003S | 1N4004S | 1N4005S | 1N4006S | 1N4007S | Las unidades | |
La máXima tensióN inversa pico repetitivo | VRMM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V. |
La máXima tensióN RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V. |
La máXima tensióN de bloqueo DC | Vcc | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V. |
El promedio máXimo de corriente de rectificado de avance @TA=75 °C. | I(AV). | 1.0 | Amp. | ||||||
Avance de pico de corriente transitoria 8.3ms solo la mitad Sine-Wave Super impuestas a la carga nominal(JEDEC méTodo) | IFSM | 30.0 | Amp. | ||||||
TensióN máXima de avance en la 1.0A | VF | 1.1. | V. | ||||||
La máXima corriente inversa DC TJ=25ºC en el bloqueo de la tensióN nominal de la DC TJ=100ºC | IR | 5.0 50.0 | ΜA | ||||||
La capacitancia de empalme tíPica (Nota 1) | CJ | 15.0 | PF | ||||||
Resistencia téRmica tíPica (Nota 2) | RθJA | 26.0 | ºC/W | ||||||
Rango de temperatura de funcionamiento | TJ | -55 a +125 | °C. | ||||||
Temperatura de almacenamiento | TSTG | -55 a +150 | °C. |