| Personalización: | Disponible |
|---|---|
| tecnología de fabricación: | dispositivo discreto |
| tipo: | semiconductor tipo n. |
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| PARÁMETRO | SÍMBOLO | CLASIFICACIÓN | UNIDAD | ||
| Tensión de entrada de CC | VO=5V-18V | VI | 35 | V | |
| VO=24V | 40 | ||||
| Corriente de salida | ES | 1,5 | V | ||
| Unión térmica de resistencia | RθJA | 65 | C/W | ||
| Cajas de conexiones de resistencia térmica | RθJC | 5 | C/W | ||
| Rango de temperatura de unión de funcionamiento | TOPr | -25~125 | ºC | ||
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -65~175 | ºC | ||
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Mín | Típ | Máx | Unidades |
| Tensión de salida | VO* | TJ=25ºC,VI=15V | 8,82 | 9,0 | 9,18 | V |
| Tensión de salida | VO | 5,0MA<IO<1,0A,PO<15W VI=11,5V~24V | 8,82 | 9,0 | 9,18 | V |
| Características |
| Corriente de salida A 1,5A |
| Tensión de salida de 5V, 6V, 8V, 9V, 10V, 12V, 15V,18V, 24V |
| Protección contra sobrecarga térmica |
| Protección contra corriente corta |
| Protección segura del transistor de salida |
| Cumple con el estándar RoHS |
