• 8A 700V modo de mejora de canal N Dhdsj Mosfet8n70 A-252b
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8A 700V modo de mejora de canal N Dhdsj Mosfet8n70 A-252b

Aplicación: conmutación de potencia, inversor, herramientas eléctricas
Número de lote: 2022
Tecnología de fabricación: Dispositivo discreto
Material: semiconductor de óxido metálico
Model: dhdsj8n70
Paquete: to-252b

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Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial

Información Básica.

No. de Modelo.
DHDSJ8N70
Tipo
Semiconductor de Tipo N
voltaje
700v
actual
8a
marca
wxdh
Paquete de Transporte
Tape, Reel
Marca Comercial
WXDH
Origen
Wuxi, China
Código del HS
8541290000
Capacidad de Producción
500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

8A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dhdsj8n70 to-252b8A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dhdsj8n70 to-252b8A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dhdsj8n70 to-252b8A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dhdsj8n70 to-252b
 
Características
El cambio rápido
Poca resistencia(Rdson≤0.6Ω)
Carga de la puerta baja(Typ: 16nC)
Bajo la transferencia inversa capacitances(Typ: 3.1pF)
100% solo pulso avalancha de prueba de la energía
100% prueba ΔVDS
Aplicaciones
Corrección de factor de potencia (PFC).
Fuentes de alimentación conmutada(SMP).
Fuente de alimentación ininterrumpida (UPS).
Convertidores AC a DC
Telecom
 
El parámetro Símbolo RATING Unidad
DHSJ8N70/DHISJ8N70/DHESJ8N70/DHBSJ8N70/DHDSJ8N70 DHFSJ8N70  
Drian-Tensión de la fuente VDSS 700 V
Gate-Tensión de la fuente VGSS ±20 V
Drenaje de la corriente continua ID TC=25ºC 8 Un
TC=100ºC 4.9 Un
Impulsos de corriente de drenaje IDM 24 Un
Solo pulso de energía Avalancha EAS 79 MJ
Disipación de potencia Ta=25ºC Ptot 2 2 W
TC=25ºC Ptot 70 28 W
Tensión de aislamiento VISO / 2000 V
Rango de temperatura de empalme Tj -55~150 °C.
Temperatura de almacenamiento Tstg -55~150 °C.
 
Especificaciones de productos y modelos de embalaje
El modelo del producto El tipo de paquete Nombre de marca De la RoHS Paquete La cantidad
DHSJ8N70 A-220C DHSJ8N70 Pb libres El tubo 1000/box
DHFSJ8N70 A-220F DHFSJ8N70 Pb libres El tubo 1000/box
DHBSJ8N70 A-251 DHBSJ8N70 Pb libres El tubo 3000/box
DHDSJ8N70 A-252 DHDSJ8N70 Pb libres La cinta y molinete 2500/box
DHISJ8N70 A-262 DHISJ8N70 Pb libres El tubo 1000/box
DHESJ8N70 A-263 DHESJ8N70 Pb libres La cinta y molinete 800/box
 8A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dhdsj8n70 to-252b

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Número de Empleados
156
Año de Establecimiento
2004-12-07