85V/0.9mΩ /360A N-MOSFET Dsu011n08n3a

• Aplicación: aplicaciones de conmutación de potencia
• Número de lote: 2023
• Tecnología de fabricación: Dispositivo discreto
• Material: semiconductor de óxido metálico
• Model: dsu011n08n3a
• Paquete: peaje
• No. de Modelo.: DSU011N08N3A
• Tipo: Semiconductor de Tipo N
• voltaje: 85v
• actual: 360a
• marca: wxdh
• Paquete de Transporte: Tube
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

PARÁMETRO		SÍMBOLO	VALOR	UNIDAD
Tensión de la unidad de transmisión a la fuente		VDSS	85	V
Tensión de puerta a deriva		VGSS	±20	V
Corriente de drenaje (continua)		ID (T=25ºC)	433	R
		(T=100ºC)	360	R
Corriente de drenaje (pulsada)		ITM	1440	R
Energía de Avalanche de pulso único		EAS	2601	MJ
Disipación total	Ta=25ºC.	Ptot	2,3	W
	TC=25ºC.	Ptot	429	W
Temperatura de unión		TJ	-55~175	ºC
Temperatura de almacenamiento		Tstg	-55~175	ºC

 

Características

Calificación AEC-Q101

RDS(on) de resistencia a la on extremadamente baja

Temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Chapado libre de PB / libre de halógenos / compatible con RoHS

100% de avalancha tamizadas

ΔVDS% 100 prueba

Aplicaciones

Control y accionamiento del motor

Carga/descarga del sistema de gestión de la batería

Rectificador síncrono para SMPS

Aplicaciones de automoción

 

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto	Tipo de paquete	Marcar nombre	RoHS	Paquete	Cantidad
DSU011N08N3A	PEAJE	DSU011N08N3A	Sin PB	Carrete	1800/caja