252 MOSFET de potencia de cruce Super de canal N Dhdsj7n65 to-7A 650V

• voltaje: 650v
• actual: 7a
• tecnología de fabricación: dispositivo discreto
• tipo: semiconductor tipo n.
• material: semiconductor de óxido metálico
• paquete: to-252
• No. de Modelo.: DHDSJ7N65
• aplicación: fuente de alimentación
• modelo: dhdsj7n65
• número de lote: 2021
• marca: wxdh
• Paquete de Transporte: Tape & Reel
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

PARÁMETRO		SÍMBOLO	VALOR		UNIDAD
			DHSJ7N65/DHISJ7N65/DHESJ7N65/DHBSJ7N65/DHDSJ7N65	DHFSJ7N65
Tensión de la unidad de transmisión a la fuente		VDSS	650		V
Tensión de puerta a fuente		VGSS	±30		V
Corriente de drenaje (continua)		ID (T=25ºC)	7		R
		(T=100ºC)	4,5		R
Corriente de drenaje (pulsada)		ITM	21		R
Energía de Avalanche de pulso único		EAS	162		MJ
Disipación total	Ta=25ºC.	Ptot	2	2	W
	TC=25ºC.	Ptot	68	28	W
Temperatura de unión		TJ	-55~150		ºC
Temperatura de almacenamiento		Tstg	-55~150		ºC

 

Características

Baja pérdida de conmutación

Baja resistencia

Carga de puerta baja

Baja capacidad de transferencia inversa

100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único

ΔVDS% 100 Prueba

Aplicaciones

Aplicaciones de conmutación de potencia

Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).

Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI).

 

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto	Tipo de paquete	Marcar nombre	RoHS	Paquete	Cantidad
DHSJ7N65	TO-220	DHSJ7N65	Sin PB	Tubo	1000/caja
DHFSJ7N65	TO-220F	DHFSJ7N65	Sin PB	Tubo	1000/caja
DHBSJ7N65	TO-251	DHBSJ7N65	Sin PB	Tubo	3000/caja
DHDSJ7N65	TO-252	DHDSJ7N65	Sin PB	Cinta y carrete	2500/caja
DHISJ7N65	TO-262	DHISJ7N65	Sin PB	Tubo	1000/caja
DHESJ7N65	TO-263	DHESJ7N65	Sin PB	Cinta y carrete	800/caja