Aplicación: | soldadura, ups |
---|---|
Número de lote: | 2023 |
Tecnología de fabricación: | Dispositivo discreto |
Material: | silicio |
Model: | dagc75h65m |
Paquete: | to-247 |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
PARÁMETRO | SÍMBOLO | CLASIFICACIÓN | UNIDAD | ||
Tensión del colector-emisor | VCES | 650 | V | ||
Voltaje del emisor de la puerta | VGES | ±30 | V | ||
Corriente de colector | IC(T=25ºC) | 150 | R | ||
Corriente de colector | (TC = 100ºC) | 75 | R | ||
Corriente de colector pulsada | ICM | 300 | R | ||
Diodo corriente continua de avance | SI @TC = 100 °C. | 40 | R | ||
Disipación total | TC=25ºC. |
Ptot
|
440 | W | |
TC=100ºC. |
Ptot
|
220 | W | ||
Temperatura de unión | TJ | -45~175 | ºC | ||
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -45~150 | ºC |
Características |
FS Tecnología de trinchera, temperatura positiva
coeficiente
|
Tensión de saturación baja: VCE(sat), típ = 1,9V
@ IC =30A y TJ = 25°C.
|
Bajas pérdidas de conmutación debido a la combinación de FS
Tecnología y tecnología SiC
|
Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
|
Aplicaciones |
Soldadura |
Inversor de tres niveles |
UPS |
Especificaciones del producto y modelos de embalaje | |||||
Modelo de producto | Tipo de paquete | Marcar nombre | RoHS | Paquete | Cantidad |
DAGC75H65M
|
TO-247 |
DAGC75H65M
|
Sin PB | TUBO | 1000/caja |
Proveedores con licencias comerciales verificadas