220F MOSFET de potencia de cruce Super de canal N Dhfsj8n65 to-7,6A 650V

• Aplicación: fuente de alimentación
• Número de lote: 2021
• Tecnología de fabricación: Dispositivo discreto
• Material: semiconductor de óxido metálico
• Model: dhfsj8n65
• Paquete: to-220f
• No. de Modelo.: DHFSJ8N65
• Tipo: Semiconductor de Tipo N
• voltaje: 650v
• actual: 7,6a
• marca: wxdh
• Paquete de Transporte: Tube
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

PARÁMETRO		SÍMBOLO	VALOR		UNIDAD
			DHFSJ8N65
Tensión de la unidad de transmisión a la fuente		VDSS	650		V
Tensión de puerta a fuente		VGSS	±30		V
Corriente de drenaje (continua)		ID (T=25ºC)	7,6		R
		(T=100ºC)	4,8		R
Corriente de drenaje (pulsada)		ITM	23		R
Energía de Avalanche de pulso único		EAS	91		MJ
Disipación total	Ta=25ºC.	Ptot	2		W
	TC=25ºC.	Ptot	28		W
Temperatura de unión		TJ	-55~150		ºC
Temperatura de almacenamiento		Tstg	-55~150		ºC

 

Características

Conmutación rápida

Baja resistencia

Carga de compuerta baja

Baja capacidad de transferencia inversa

prueba de energía de avalancha de pulso único del 100%

ΔVDS% 100 prueba

Aplicaciones

Corrección del factor de potencia (PFC).

Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).

Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI).

 

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto	Tipo de paquete	Marcar nombre	RoHS	Paquete	Cantidad
DHFSJ8N65	TO-220F	DHFSJ8N65	Sin PB	TUBO	1000/caja