Tecnología de Fabricación: | Dispositivo Discreto |
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Material: | semiconductor de óxido metálico |
Tipo: | Semiconductor de Tipo N |
Paquete: | to-252b |
Aplicación: | conmutación de potencia, convertidores, control de puente completo |
Modelo: | dtd080n07n |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
PARÁMETRO | SÍMBOLO | VALOR | UNIDAD | ||
Tensión de la unidad de transmisión a la fuente | VDSS | 68 | V | ||
Tensión de puerta a fuente | VGSS | ±20 | V | ||
Corriente de drenaje (continua) | ID (T=25ºC) | 80 | R | ||
(T=100ºC) | 51 | R | |||
Corriente de drenaje (pulsada) | ITM | 320 | R | ||
Energía de Avalanche de pulso único | EAS | 289 | MJ | ||
Disipación total | Ta=25ºC. | Ptot | 1,7 | W | |
TC=25ºC. | Ptot | 89 | W | ||
Temperatura de unión | TJ | -55~150 | ºC | ||
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -55~150 | ºC |
Características |
Conmutación rápida |
Baja resistencia |
Carga de puerta baja |
Alta corriente de avalancha
|
Baja capacidad de transferencia inversa |
100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único |
ΔVDS% 100 Prueba |
Aplicaciones |
Aplicaciones de conmutación de potencia |
Sistema de gestión de inversores
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Herramientas eléctricas
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Electrónica de automoción
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Especificaciones del producto y modelos de embalaje | |||||
Modelo de producto | Tipo de paquete | Marcar nombre | RoHS | Paquete | Cantidad |
DTD080N07N
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TO-252B
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DTD080N07N
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Sin PB | CARRETE | 5000/caja |
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