252 Sic Schottky Diodo de barrera Dcd10d65g4 to-650V 10A

• Tecnología de Fabricación: Dispositivo Discreto
• Material: Silicon
• Tipo: Semiconductor de Tipo N
• Paquete: to-252
• Aplicación: Switching Mode Power Supplies
• Modelo: Dcd10d65g4
• No. de Modelo.: DCD10D65G4
• Número De Lote: 2023
• Marca: Wxdh
• voltaje: 650v
• actual: 10a
• Paquete de Transporte: Reel
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541100000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

25A 1700V Diodo de barrera Schottky SiC

1 Descripción

La familia de productos de la serie SIC ofrece un rendimiento de vanguardia. Está diseñado para altas

aplicaciones de frecuencia en las que se requiere alta eficiencia y alta fiabilidad.

 

Características

alta tensión

Corriente de recuperación inversa cero

Tensión de recuperación de avance cero

Coeficiente de temperatura positivo en FV

175ºC temperatura de funcionamiento de la unión

Aplicaciones

Fuentes de alimentación de modo de conmutación

Corrección del factor de potencia

Motor de accionamiento, inversor PV, central eólica

 

PARÁMETRO			SÍMBOLO	VALOR	UNIDAD
Tensión inversa repetitiva pico			VRRM	650	V
Tensión de marcha atrás pico de funcionamiento			VRWM	650	V
Tensión de bloqueo de CC			VR	650	V
Corriente de avance		(TC≤135ºC)	SI	19	R
		(TC≤160ºC)		10
Corriente de transitorios de avance de pico repetitiva (t=8,3ms)			IFSM	86	R
Disipación de potencia			Ptot	150	W
Rango de temperatura de unión de funcionamiento			TJ	-55~175	ºC
Rango de temperatura de almacenamiento			Tstg	-55~175	ºC
Temperatura de soldadura			Tsold	260	ºC

 

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto	Tipo de paquete	Marcar nombre
DCD10D65G4	TO-252	DCD10D65G4