60A 20V modo de mejora de canal N MOSFET de potencia Dh048n02D to-252

• voltaje: 20v
• actual: 60a
• tecnología de fabricación: dispositivo discreto
• tipo: semiconductor tipo n.
• material: semiconductor de óxido metálico
• paquete: to-252
• No. de Modelo.: DH048N02D
• aplicación: conmutación de potencia, convertidores, control de puente completo
• modelo: dh048n02d
• número de lote: 2021
• marca: wxdh
• Paquete de Transporte: Tape & Reel
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

 

PARÁMETRO		SÍMBOLO	VALOR		UNIDAD
			DH048N02B/DH048N02D
Tensión de la unidad de transmisión a la fuente		VDSS	20		V
Tensión de puerta a fuente		VGSS	±12		V
Corriente de drenaje (continua)		ID (T=25ºC)	60		R
		(T=100ºC)	42		R
Corriente de drenaje (pulsada)		ITM	210		R
Energía de Avalanche de pulso único		EAS	220		MJ
Disipación total	Ta=25ºC.	Ptot	1,15		W
	TC=25ºC.	Ptot	60		W
Temperatura de unión		TJ	-55~150		ºC
Temperatura de almacenamiento		Tstg	-55~150		ºC

 

Características

Baja pérdida de conmutación

Baja resistencia

Carga de puerta baja

Baja capacidad de transferencia inversa

100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único

ΔVDS% 100 Prueba

Aplicaciones

Conmutación de carga

Circuitos de alta frecuencia y conmutación por tensión

Sistema de alimentación ininterrumpida

 

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto	Tipo de paquete	Marcar nombre	RoHS	Paquete	Cantidad
DH045N02B	TO-251	DH045N02B	Sin PB	Tubo	3000/caja
DH045N02D	TO-252	DH045N02D	Sin PB	Cinta y carrete	2500/caja