600A 1200V módulo de medio puente módulo IGBT Dgd600h120L2t Econodual3 paquete

• Aplicación: soldadura, ups, inversor de tres unidades
• Número de lote: 2024
• Tecnología de fabricación: Dispositivo discreto
• Material: semiconductor de óxido metálico
• Model: dgd600h120l2t
• Paquete: econodual3
• No. de Modelo.: DGD600H120L2T
• Tipo: Semiconductor de Tipo N
• marca: wxdh
• Paquete de Transporte: Caja
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

 
1 Descripción

Estos transistor bipolar de puerta aislada utilizaron zanja avanzada y.

Diseño de tecnología Fieldstop, siempre excelente VCEsat y conmutación

velocidad, carga de compuerta baja. Que cumple con el estándar RoHS

Características

FS Tecnología de trinchera, temperatura positiva
coeficiente

Tensión de saturación baja: VCE(sat), típ = 2,25V
@ IC =75A y TJ = 25°C.

Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

Aplicaciones

Soldadura

UPS

Inversor de tres leve

Amplificador de servoaccionamiento de CA y CC

 

Tipo	VCE	IC	VCEsat,TJ=25ºC.	Tjop	Paquete
DGD600H120L2T	1200V	600A (TJ=100ºC)	1,79V (típ.)	150ºC.	EconoDUAL3

Características eléctricas
5,1Absolute Clasificaciones máximas (IGBT) (TC=25ºC, a menos que se especifique lo contrario)

PARÁMETRO			SÍMBOLO	VALOR		UNIDAD
Tensión de colector a emisor			VCE	1200		V
Tensión de puerta a emisor			VGE	±25		V
Corriente de colector de CC			IC  TJ=100ºC.	600		R
Corriente de colector pulsada #1			ICM	1200		R

 

5,2 valores nominales máximos absolutos (diodo) (TC=25ºC, a menos que se especifique lo contrario)

PARÁMETRO			SÍMBOLO	VALOR		UNIDAD
Tensión inversa repetitiva pico			VRRM	1200		V
Tensión de bloqueo de CC			VR	1200		V
Corriente media rectificada hacia delante			SI (AV)	600		R
Corriente de transitorios pico repetitiva			IFRM	1200		R

5,53IGBT módulo

PARÁMETRO			SÍMBOLO	VALOR		UNIDAD
Rango de temperatura de unión			Tjmax	-40~175		ºC
Temperatura de funcionamiento de la unión			Tjop	-40~175		ºC
Rango de temperatura de almacenamiento			Tstg	-40~175		ºC
Tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min			VISO	3500		R

5,4Thermal Características (módulo IGBT)

PARÁMETRO						SÍMBOLO	VALOR		UNIDAD
Resistencia térmica Unión a la caja						IGBT RthJC	0,033		C/W
						Diodo RthJC	0,065		C/W