voltaje: | 40v |
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actual: | 120a |
tecnología de fabricación: | dispositivo discreto |
tipo: | semiconductor tipo n. |
material: | semiconductor de óxido metálico |
paquete: | to-220c |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
PARÁMETRO | SÍMBOLO | VALOR | UNIDAD | ||
Tensión de la unidad de transmisión a la fuente | VDSS | 40 | V | ||
Tensión de puerta a fuente | VGSS | ±20 | V | ||
Corriente de drenaje (continua) | ID (T=25ºC) | 120 | R | ||
(T=100ºC) | 117 | R | |||
Corriente de drenaje (pulsada) | ITM | 480 | R | ||
Energía de Avalanche de pulso único | EAS | 650 | MJ | ||
Disipación total | Ta=25ºC. | Ptot | 2 | W | |
TC=25ºC. | Ptot | 150 | W | ||
Temperatura de unión | TJ | -55~175 | ºC | ||
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -55~175 | ºC |
Características |
Baja resistencia |
Chapado libre de PB / libre de halógenos / compatible con RoHS
|
Baja capacidad de transferencia inversa |
100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único |
ΔVDS% 100 Prueba |
Aplicaciones |
Aplicaciones de conmutación de potencia |
Sistema de gestión de inversores
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Herramientas eléctricas
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Especificaciones del producto y modelos de embalaje | |||||
Modelo de producto | Tipo de paquete | Marcar nombre | RoHS | Paquete | Cantidad |
DTG032N04N
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TO-220C
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DTG032N04N
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Sin PB | TUBO | 1000/caja |
Proveedores con licencias comerciales verificadas