Tecnología de Fabricación: | Dispositivo Discreto |
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Material: | silicio |
Tipo: | Semiconductor de Tipo N |
Paquete: | to-247 |
Aplicación: | soldadura, ups |
Modelo: | dgc40f65m2 |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
PARÁMETRO | SÍMBOLO | CLASIFICACIÓN | UNIDAD | ||
Tensión del colector-emisor | VCES | 650 | V | ||
Voltaje del emisor de la puerta | VGES | ±30 | V | ||
Corriente de colector | IC(T=25ºC) | 80 | R | ||
Corriente de colector | (TC = 100ºC) | 40 | R | ||
Corriente de colector pulsada | ICM | 160 | R | ||
Diodo corriente continua de avance | SI @TC = 100 °C. | 40 | R | ||
Disipación total | TC=25ºC. |
Ptot
|
280 | W | |
TC=100ºC. |
Ptot
|
140 | W | ||
Temperatura de unión | TJ | -45~175 | ºC | ||
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -45~175 | ºC |
Características |
FS Tecnología de trinchera, temperatura positiva
coeficiente
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Tensión de saturación baja: VCE(sat), típ = 1,9V
@ IC =30A y TJ = 25°C.
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Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
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Aplicaciones |
Soldadura |
Inversor de tres niveles |
UPS |
Especificaciones del producto y modelos de embalaje | |||||
Modelo de producto | Tipo de paquete | Marcar nombre | RoHS | Paquete | Cantidad |
DGC40F65M2
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TO-247 |
DGC40F65M2
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Sin PB | TUBO | 1000/caja |
Proveedores con licencias comerciales verificadas