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40A 650V Trenchstop Puerta aislada Transistor bipolar Dgc40f65m2 to-247

Tecnología de Fabricación: Dispositivo Discreto
Material: silicio
Tipo: Semiconductor de Tipo N
Paquete: to-247
Aplicación: soldadura, ups
Modelo: dgc40f65m2

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Miembro Diamante Desde 2021

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Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial

Información Básica.

No. de Modelo.
DGC40F65M2
Número De Lote
2023
Marca
wxdh
voltaje
650v
actual
40a
Paquete de Transporte
Tube
Marca Comercial
WXDH
Origen
Wuxi, China
Código del HS
8541290000
Capacidad de Producción
500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

40A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgc40f65m2 to-24740A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgc40f65m2 to-24740A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgc40f65m2 to-24740A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgc40f65m2 to-247
PARÁMETRO SÍMBOLO CLASIFICACIÓN UNIDAD
 
Tensión del colector-emisor VCES 650 V
Voltaje del emisor de la puerta VGES ±30 V
Corriente de colector IC(T=25ºC) 80 R
Corriente de colector   (TC = 100ºC) 40 R
Corriente de colector pulsada ICM 160 R
Diodo corriente continua de avance SI  @TC = 100 °C. 40 R
Disipación total TC=25ºC.
Ptot
280 W
TC=100ºC.
Ptot
140 W
Temperatura de unión TJ -45~175 ºC
Temperatura de almacenamiento Tstg -45~175 ºC
 
Características
FS Tecnología de trinchera, temperatura positiva
coeficiente
Tensión de saturación baja: VCE(sat), típ = 1,9V
@ IC =30A y TJ = 25°C.
Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
Aplicaciones
Soldadura
Inversor de tres niveles
UPS
 
Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto Tipo de paquete Marcar nombre RoHS Paquete Cantidad
DGC40F65M2
TO-247
DGC40F65M2
Sin PB TUBO 1000/caja
 40A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgc40f65m2 to-247

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Número de Empleados
156
Año de Establecimiento
2004-12-07