251b MOSFET de potencia de cruce Super de canal N Dhbsj5n65 to-4,8A 650V

• Aplicación: aplicaciones de conmutación de potencia
• Número de lote: 2021
• Tecnología de fabricación: Dispositivo discreto
• Material: semiconductor de óxido metálico
• Model: dhbsj5n65
• Paquete: to-251b
• No. de Modelo.: DHBSJ5N65
• Tipo: Semiconductor de Tipo N
• voltaje: 650v
• actual: 4,8a
• marca: wxdh
• Paquete de Transporte: Tube
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

PARÁMETRO		SÍMBOLO	VALOR		UNIDAD
Tensión de la unidad de transmisión a la fuente		VDSS	650		V
Tensión de puerta a deriva		VGSS	±20		V
Corriente de drenaje (continua)		ID (T=25ºC)	4,8		R
		(T=100ºC)	3,0		R
Corriente de drenaje (pulsada)		ITM	14,4		R
Energía de Avalanche de pulso único		EAS	43		MJ
Disipación total	Ta=25ºC.	Ptot	2		W
	TC=25ºC.	Ptot	50		W
Temperatura de unión		TJ	-55~150		ºC
Temperatura de almacenamiento		Tstg	-55~150		ºC

 

Características

Conmutación rápida

Baja resistencia

Carga de puerta baja

Baja capacidad de transferencia inversa

100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único

ΔVDS% 100 Prueba

Aplicaciones

Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).

Potencia de TV y potencia de iluminación LED

Convertidores de CA a CC

Telecomunicaciones

 

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto	Tipo de paquete	Marcar nombre	RoHS	Paquete	Cantidad
DHBSJ5N65	TO-251B	DHBSJ5N65	Sin PB	TEEL	3000/caja