Mbrf30200CT Diodo de barrera Schottky 220F a-30A 200V

• Aplicación: Diode, alimentación de conmutación
• Número de lote: 2021
• Tecnología de fabricación: Discrete Device
• Material: silicio
• Model: mbrf30200ct
• Paquete: to-220f
• No. de Modelo.: MBRF30200CT
• Tipo: P-Type Semiconductor
• voltaje: 200v
• actual: 30a
• marca: wxdh
• Paquete de Transporte: Tube
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541100000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

 

 

 

PARÁMETRO	SÍMBOLO	VALOR	UNIDAD
Tensión inversa repetitiva pico	VRRM	200	V
RMS de tensión inversa	VR (RMS)	160	V
Tensión de bloqueo de CC	VR	200	V
Corriente directa media rectificada TC=120ºC (doble)	SI (AV)	30	R
Corriente de transitorios pico repetitiva	IFRM	20	R
Corriente de transitorios pico no repetitiva	IFSM	250	R
Energía de avalancha	EAS	32	MJ
Rango de temperatura de unión de funcionamiento	TJ	-55~150	ºC
Rango de temperatura de almacenamiento	Tstg	-55~150	ºC

 

Características

Alta temperatura de unión capabilia

Corriente de fuga baja

Baja resistencia térmica

Funcionamiento de alta frecuencia

Especificación de avalancha

Aplicaciones

Alimentación de conmutación

Circuitos de conmutación de potencia

Propósito general

  

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto	Tipo de paquete	Marcar nombre	RoHS	Paquete	Cantidad
MBRF30200CT	TO-220F	MBRF30200CT	Sin PB	TUBO	5000/caja