Mbr30100CT Diodo de barrera Schottky 220 to-Mbr30100nct & 3PN to-30A 200V

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Silicon
• Type: N-type Semiconductor
• Package: to-220/3pn
• Application: Switching Power Supply
• Model: Mbr30100CT/Mbr30100nct
• No. de Modelo.: MBR30100CT/MBR30100NCT
• Batch Number: 2023
• Brand: Wxdh
• Paquete de Transporte: Tube
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541100000

Descripción de Producto

 

Características

Alta temperatura de unión capabilia

Corriente de fuga baja

Baja resistencia térmica

Funcionamiento de alta frecuencia

Especificación de avalancha

Aplicaciones

Alimentación de conmutación

Circuitos de conmutación de potencia

Propósito general

 

PARÁMETRO			SÍMBOLO	VALOR	UNIDAD
Tensión inversa repetitiva pico			VRRM	100	V
RMS de tensión inversa			VR (RMS)	80	V
Tensión de bloqueo de CC			VR	100	V
Corriente de avance rectificada media (única)		TC = 120ºC.	SI (AV)	15	R
Corriente media rectificada hacia delante (doble)				30	R
Corriente de transitorios de pico repetitiva (única)			IFRM	20	R
Corriente de transitorios pico no repetitiva (única)		t=8,3ms	IFSM	200	R
Energía de avalancha (individual)		L=1mH	EAS	32	MJ
Temperatura de unión			TJ	-55~150	ºC
Temperatura de almacenamiento			Tstg	-55~150	ºC

 

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto	Tipo de paquete	Marcar nombre	RoHS	Paquete	Cantidad
MBR30100NCT	TO-3PN	MBR30100NCT	Sin PB	Tubo	300/caja
MBR30100BCT	TO-247	MBR30100BCT	Sin PB	Tubo	300/caja
MBR30100CT	TO-220	MBR30100CT	Sin PB	Tubo	1000/caja