Aplicación: | fuente de alimentación |
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Número de lote: | 2021 |
Tecnología de fabricación: | Dispositivo discreto |
Material: | semiconductor de óxido metálico |
Model: | dhsj25n65f |
Paquete: | to-220f |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
PARÁMETRO | SÍMBOLO | VALOR | UNIDAD | ||
DHSJ25N65F
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Tensión de la unidad de transmisión a la fuente | VDSS | 650 | V | ||
Tensión de puerta a fuente | VGSS | ±20 | V | ||
Corriente de drenaje (continua) | ID (T=25ºC) | 25 | R | ||
Energía de Avalanche de pulso único | EAS | 455 | MJ | ||
Disipación total | Ta=25ºC. | Ptot | 2 | W | |
TC=25ºC. | Ptot | 180 | W | ||
Temperatura de unión | TJ | -55~150 | ºC | ||
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -55~150 | ºC |
Características |
Conmutación rápida
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Baja resistencia |
Carga de puerta baja |
Baja capacidad de transferencia inversa |
100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único |
ΔVDS% 100 Prueba |
Aplicaciones |
Corrección del factor de potencia (PFC). |
Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS). |
Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI). |
Convertidores de CA a CC
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Telecom, Solar
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Especificaciones del producto y modelos de embalaje | |||||
Modelo de producto | Tipo de paquete | Marcar nombre | RoHS | Paquete | Cantidad |
DHSJ25N65F
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TO-220F |
DHSJ25N65F
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Sin PB | Tubo | 1000/caja |
Proveedores con licencias comerciales verificadas