voltaje: | 100v |
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moneda: | 25a |
tecnología de fabricación: | dispositivo discreto |
tipo: | semiconductor tipo n. |
material: | semiconductor de óxido metálico |
paquete: | to-220 |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
PARÁMETRO | SÍMBOLO | VALOR | UNIDAD | ||
25N10/I25N10/E25N10/B25N10/D25N10 | F25N10 | ||||
Tensión de CC de la fuente de drian máxima | VDS | 100 | V | ||
Tensión máxima de punto de inyección-drenaje | VGS | ±20 | V | ||
Corriente de drenaje (continua) | ID (T=25ºC) | 30 | R | ||
(T=100ºC) | 21 | R | |||
Corriente de drenaje (pulsada) | ITM | 90 | R | ||
Energía de Avalanche de pulso único | EAS | 36 | MJ | ||
Disipación total | Ta=25ºC. | Ptot | 2 | 2 | W |
TC=25ºC. | Ptot | 88 | 35 | W | |
Temperatura de unión | TJ | -55~175 | ºC | ||
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -55~175 | ºC |
Características |
Conmutación rápida |
Resistencia BAJA EN ON (Rdson≤36mΩ) |
Carga de puerta baja (típ.: 61 NC) |
Capacidades de transferencia inversa bajas (típ.: 84pF) |
100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único |
ΔVDS% 100 Prueba |
Aplicaciones |
Aplicaciones de conmutación de potencia |
LED Boost |
Fuente de alimentación UPS |
Interruptor de carga |
Especificaciones del producto y modelos de embalaje | |||||
Modelo de producto | Tipo de paquete | Marcar nombre | RoHS | Paquete | Cantidad |
25N10 | TO-220C | 25N10 | Sin PB | Tubo | 1000/caja |
F25N10 | TO-220F | F25N10 | Sin PB | Tubo | 1000/caja |
B25N10 | TO-251 | B25N10 | Sin PB | Tubo | 3000/caja |
D25N10 | TO-252 | D25N10 | Sin PB | Cinta y carrete | 2500/caja |
I25N10 | TO-262 | I25N10 | Sin PB | Tubo | 1000/caja |
E25N10 | TO-263 | E25N10 | Sin PB | Cinta y carrete | 800/caja |
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