220F MOSFET de potencia de cruce Super de canal N Dhfsj21n65 to-21A 650V

• tecnología de fabricación: dispositivo discreto
• tipo: semiconductor tipo n.
• material: semiconductor de óxido metálico
• paquete: to-220f
• aplicación: fuente de alimentación
• modelo: dhfsj21n65
• No. de Modelo.: DHFSJ21N65
• número de lote: 2021
• marca: wxdh
• Paquete de Transporte: Tube
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541290000

Descripción de Producto

El parámetro		Símbolo	Valor		Unidad
			DHFSJ21N65
Drian-Tensión de la fuente		VDSS	650		V
Gate-Tensión de la fuente		VGSS	±30		V
La corriente de drenaje(continuo)		ID(T=25ºC)	21		Un
Solo pulso de energía Avalancha		EAS	484		MJ
Disipación total	Ta=25ºC	Ptot	2		W
	TC=25ºC	Ptot	34		W
Temperatura de unión		Tj	-55~150		°C.
La temperatura de almacenamiento		Tstg	-55~150		°C.

 

Características

Baja pérdida de conmutación

Baja en la resistencia

Carga de la puerta baja

Bajo la Transferencia Inversa Capacitances

100% solo pulso avalancha de prueba de la energía

100% prueba ΔVDS

Aplicaciones

Corrección de factor de potencia (PFC).

Fuentes de alimentación conmutada(SMP).

Fuente de alimentación ininterrumpida (UPS).

 

Especificaciones de productos y modelos de embalaje
El modelo del producto	El tipo de paquete	Nombre de marca	RoHS	Paquete	La cantidad
DHFSJ21N65	A-220F	DHFSJ21N65	Pb libres	El tubo	1000/box