Tecnología de Fabricación: | Dispositivo Discreto |
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Material: | silicio |
Tipo: | Semiconductor de Tipo N |
Paquete: | to-263-3l |
Aplicación: | aire acondicionado, weldin, ups |
Modelo: | 20f65m2 |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
PARÁMETRO | SÍMBOLO | CLASIFICACIÓN | UNIDAD | ||
Tensión del colector-emisor | VCES | 650 | V | ||
Voltaje del emisor de la puerta | VGES | ±30 | V | ||
Corriente de colector | IC(T=25ºC) | 40 | R | ||
Corriente de colector | (TC = 100ºC) | 20 | R | ||
Corriente de colector pulsada | ICM | 60 | R | ||
Diodo corriente continua de avance | SI @TC = 100 °C. | 20 | R | ||
Corriente de avance máxima del diodo | IFM | 60 | R | ||
Disipación total | TC=25ºC. | PD | 166 | W | |
Temperatura de unión | TJ | -45~175 | ºC | ||
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -45~150 | ºC |
Características |
FS Trench Technology, coeficiente de temperatura positivo |
Capacidad de avalancha extremadamente mejorada |
Tensión de saturación baja: VCE(sat), típ = 1,9V @ IC =20A Y TC = 25°C. |
Aplicaciones |
Soldadura |
Inversor de tres niveles |
UPS |
Especificaciones del producto y modelos de embalaje | |||||
Modelo de producto | Tipo de paquete | Marcar nombre | RoHS | Paquete | Cantidad |
DGE20F65M2 | TO-263-3L | DGE20F65M2 | Sin PB | Tubo | 4000/caja |
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