• 20A 650V Trenchstop Puerta aislada Transistor bipolar Dge20f65m2 to-263-3L
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20A 650V Trenchstop Puerta aislada Transistor bipolar Dge20f65m2 to-263-3L

Tecnología de Fabricación: Dispositivo Discreto
Material: silicio
Tipo: Semiconductor de Tipo N
Paquete: to-263-3l
Aplicación: aire acondicionado, weldin, ups
Modelo: 20f65m2

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Miembro Diamante Desde 2021

Proveedores con licencias comerciales verificadas

Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial

Información Básica.

No. de Modelo.
DGE20F65M2
Número De Lote
2022
Marca
wxdh
voltaje
650v
actual
20a
Paquete de Transporte
Tube
Marca Comercial
WXDH
Origen
Wuxi, China
Código del HS
8541290000
Capacidad de Producción
500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

20A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dge20f65m2 to-263-3L20A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dge20f65m2 to-263-3L20A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dge20f65m2 to-263-3L20A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dge20f65m2 to-263-3L
PARÁMETRO SÍMBOLO CLASIFICACIÓN UNIDAD
 
Tensión del colector-emisor VCES 650 V
Voltaje del emisor de la puerta VGES ±30 V
Corriente de colector IC(T=25ºC) 40 R
Corriente de colector   (TC = 100ºC) 20 R
Corriente de colector pulsada ICM 60 R
Diodo corriente continua de avance SI  @TC = 100 °C. 20 R
Corriente de avance máxima del diodo IFM 60 R
Disipación total TC=25ºC. PD 166 W
Temperatura de unión TJ -45~175 ºC
Temperatura de almacenamiento Tstg -45~150 ºC
 
Características
FS Trench Technology, coeficiente de temperatura positivo
Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
Tensión de saturación baja: VCE(sat), típ = 1,9V
@ IC =20A Y TC = 25°C.
Aplicaciones
Soldadura
Inversor de tres niveles
UPS
 
Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto Tipo de paquete Marcar nombre RoHS Paquete Cantidad
DGE20F65M2 TO-263-3L DGE20F65M2 Sin PB Tubo 4000/caja
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Número de Empleados
156
Año de Establecimiento
2004-12-07