200V/11mΩ /110A N-MOSFET Dse108n20na to-263

• Tecnología de Fabricación: Dispositivo Discreto
• Material: Metal-Oxide Semiconductor
• Tipo: Semiconductor de Tipo N
• Paquete: to-263
• Aplicación: Power Switching,Converters, Full Bridge Control
• Modelo: Dse108n20na
• No. de Modelo.: DSE108N20NA
• Número De Lote: 2021
• Marca: Wxdh
• voltaje: 200v
• actual: 110a
• Paquete de Transporte: Tube
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

 

PARÁMETRO		SÍMBOLO	VALOR	UNIDAD
Tensión de la unidad de transmisión a la fuente		VDSS	200	V
Tensión de puerta a fuente		VGSS	±20	V
Corriente de drenaje (continua)		ID (T=25ºC)	110	R
		(T=100ºC)	78	R
Corriente de drenaje (pulsada)		ITM	440	R
Energía de Avalanche de pulso único		EAS	1122	MJ
Disipación total	Ta=25ºC.	Ptot	2,3	W
	TC=25ºC.	Ptot	333	W
Temperatura de unión		TJ	-55~175	ºC
Temperatura de almacenamiento		Tstg	-55~175	ºC

 

Características

Calificación AEC-Q101

Baja resistencia

Chapado libre de PB / libre de halógenos / compatible con RoHS

Baja capacidad de transferencia inversa

100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único

ΔVDS% 100 Prueba

Aplicaciones

Aplicaciones de conmutación de potencia

Convertidores dc-dc

Control de puente completo

 

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto	Tipo de paquete	Marcar nombre	RoHS	Paquete	Cantidad
DSE108N20NA	TO-263	DSE108N20NA	Sin PB	Cinta y carrete	800/caja