120A 40V modo de mejora de canal N MOSFET de potencia Dhs021n04b to-251

• Aplicación: conmutación de potencia, convertidores, control de puente completo
• Número de lote: 2023
• Tecnología de fabricación: Dispositivo discreto
• Material: semiconductor de óxido metálico
• Model: dhs021n04b
• Paquete: to-251
• No. de Modelo.: DHS021N04B
• Tipo: Semiconductor de Tipo N
• voltaje: 40v
• actual: 120a
• marca: wxdh
• Paquete de Transporte: Tube
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

 

PARÁMETRO		SÍMBOLO	VALOR	UNIDAD
Tensión de la unidad de transmisión a la fuente		VDSS	40	V
Tensión de puerta a fuente		VGSS	±20	V
Corriente de drenaje (continua)		ID (T=25ºC)	120	R
		(T=100ºC)	120	R
Corriente de drenaje (pulsada)		ITM	480	R
Energía de Avalanche de pulso único		EAS	529	MJ
Disipación total	Ta=25ºC.	Ptot	1,7	W
	TC=25ºC.	Ptot	107	W
Temperatura de unión		TJ	-55~175	ºC
Temperatura de almacenamiento		Tstg	-55~175	ºC

 

Características

Baja resistencia

Carga de compuerta baja

Conmutación rápida

Baja capacidad de transferencia inversa

prueba de energía de avalancha de pulso único del 100%

ΔVDS% 100 Prueba

Aplicaciones

Rectificación sincrónica en SMPS

Conmutación dura y circuito de alta velocidad

Herramientas eléctricas

UPS

Control del motor

 

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto	Tipo de paquete	Marcar nombre	RoHS	Paquete	Cantidad
DHS021N04B	TO-251	DHS021N04B	Sin PB	Tubo	2500/caja