120A 30V modo de mejora de canal N MOSFET de potencia Dh025n03p P Pak5*6-8

• voltaje: 30v
• actual: 120a
• tecnología de fabricación: dispositivo discreto
• tipo: semiconductor tipo n.
• material: semiconductor de óxido metálico
• paquete: p pak5*6-8
• No. de Modelo.: DH025N03P
• aplicación: conmutación de potencia, convertidores, control de puente completo
• modelo: dh025n03p
• número de lote: 2021
• marca: wxdh
• Paquete de Transporte: Tape & Reel
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

 

PARÁMETRO		SÍMBOLO	VALOR		UNIDAD
			DH025N03P
Tensión de la unidad de transmisión a la fuente		VDSS	30		V
Tensión de puerta a fuente		VGSS	±20		V
Corriente de drenaje (continua)		ID (T=25ºC)	120		R
		(T=100ºC)	85		R
Corriente de drenaje (pulsada)		ITM	480		R
Energía de Avalanche de pulso único		EAS	330		MJ
Disipación total	Ta=25ºC.	Ptot	2		W
	TC=25ºC.	Ptot	104		W
Temperatura de unión		TJ	-55~175		ºC
Temperatura de almacenamiento		Tstg	-55~175		ºC

 

Características

Conmutación rápida

Baja resistencia

Carga de puerta baja

Baja capacidad de transferencia inversa

100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único

ΔVDS% 100 Prueba

Aplicaciones

Aplicaciones de conmutación de potencia

Sistema de gestión de inversores

Herramientas eléctricas

Electrónica de automoción

 

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto	Tipo de paquete	Marcar nombre	RoHS	Paquete	Cantidad
DH025N03P	P PAK5*6-8	DH025N03P	Sin PB	Cinta y carrete	2500/caja