tecnología de fabricación: | dispositivo discreto |
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tipo: | semiconductor tipo n. |
material: | semiconductor de óxido metálico |
paquete: | to-220f |
aplicación: | fuente de alimentación |
modelo: | dhfsj11n65 |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
El parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | ||
DHSJ11N65//DHISJ11N65/DHESJ11N65/DHBSJ11N65/DHDSJ11N65 | DHFSJ11N65 | ||||
Drian-Tensión de la fuente | VDSS | 650 | V | ||
Gate-Tensión de la fuente | VGSS | ±30 | V | ||
La corriente de drenaje(continuo) | ID(T=25ºC) | 11 | Un | ||
(T=100ºC) | 7 | Un | |||
La corriente de drenaje de impulsos() | IDM | 33 | Un | ||
Solo pulso de energía Avalancha | EAS | 280 | MJ | ||
Disipación total | Ta=25ºC | Ptot | 2 | 2 | W |
TC=25ºC | Ptot | 121 | 32.7 | W | |
Temperatura de unión | Tj | -55~150 | °C. | ||
La temperatura de almacenamiento | Tstg | -55~150 | °C. |
Características |
Baja pérdida de conmutación |
Baja en la resistencia |
Carga de la puerta baja |
Bajo la Transferencia Inversa Capacitances |
100% solo pulso avalancha de prueba de la energía |
100% prueba ΔVDS |
Aplicaciones |
Corrección de factor de potencia (PFC). |
Fuentes de alimentación conmutada(SMP). |
Fuente de alimentación ininterrumpida (UPS). |
Especificaciones de productos y modelos de embalaje | |||||
El modelo del producto | El tipo de paquete | Nombre de marca | RoHS | Paquete | La cantidad |
DHSJ11N65 | A-220 | DHSJ11N65 | Pb libres | El tubo | 1000/box |
DHFSJ11N65 | A-220F | DHFSJ11N65 | Pb libres | El tubo | 1000/box |
DHBSJ11N65 | A-251 | DHBSJ11N65 | Pb libres | El tubo | 3000/box |
DHDSJ11N65 | A-252 | DHDSJ11N65 | Pb libres | La cinta y molinete | 2500/box |
DHISJ11N65 | A-262 | DHISJ11N65 | Pb libres | El tubo | 1000/box |
DHESJ11N65 | A-263 | DHESJ11N65 | Pb libres | La cinta y molinete | 800/box |
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