263 MOSFET de potencia de cruce Super de canal N Dhesj11n65 to-11A 650V

• voltaje: 650v
• actual: 11a
• tecnología de fabricación: dispositivo discreto
• tipo: semiconductor tipo n.
• material: semiconductor de óxido metálico
• paquete: to-263
• No. de Modelo.: DHESJ11N65
• aplicación: fuente de alimentación
• modelo: dhesj11n65
• número de lote: 2021
• marca: wxdh
• Paquete de Transporte: Tape & Reel
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

PARÁMETRO		SÍMBOLO	VALOR		UNIDAD
			DHSJ11N65//DHISJ11N65/DHESJ11N65/DHBSJ11N65/DHDSJ11N65	DHFSJ11N65
Tensión de la unidad de transmisión a la fuente		VDSS	650		V
Tensión de puerta a fuente		VGSS	±30		V
Corriente de drenaje (continua)		ID (T=25ºC)	11		R
		(T=100ºC)	7		R
Corriente de drenaje (pulsada)		ITM	33		R
Energía de Avalanche de pulso único		EAS	280		MJ
Disipación total	Ta=25ºC.	Ptot	2	2	W
	TC=25ºC.	Ptot	121	32,7	W
Temperatura de unión		TJ	-55~150		ºC
Temperatura de almacenamiento		Tstg	-55~150		ºC

 

Características

Baja pérdida de conmutación

Baja resistencia

Carga de puerta baja

Baja capacidad de transferencia inversa

100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único

ΔVDS% 100 Prueba

Aplicaciones

Corrección del factor de potencia (PFC).

Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).

Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI).

 

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto	Tipo de paquete	Marcar nombre	RoHS	Paquete	Cantidad
DHSJ11N65	TO-220	DHSJ11N65	Sin PB	Tubo	1000/caja
DHFSJ11N65	TO-220F	DHFSJ11N65	Sin PB	Tubo	1000/caja
DHBSJ11N65	TO-251	DHBSJ11N65	Sin PB	Tubo	3000/caja
DHDSJ11N65	TO-252	DHDSJ11N65	Sin PB	Cinta y carrete	2500/caja
DHISJ11N65	TO-262	DHISJ11N65	Sin PB	Tubo	1000/caja
DHESJ11N65	TO-263	DHESJ11N65	Sin PB	Cinta y carrete	800/caja