voltaje: | 30v |
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actual: | 110a |
tecnología de fabricación: | dispositivo discreto |
tipo: | semiconductor tipo n. |
material: | semiconductor de óxido metálico |
paquete: | to-220 |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
PARÁMETRO | SÍMBOLO | VALOR | UNIDAD | ||
Tensión de CC de la fuente de drian máxima | VDSS | 30 | V | ||
Tensión máxima de punto de inyección-drenaje | VGSS | ±20 | V | ||
Corriente de drenaje (continua) | ID (T=25ºC) | 110 | R | ||
(T=100ºC) | 78 | R | |||
Corriente de drenaje (pulsada) | ITM | 440 | R | ||
Energía de Avalanche de pulso único | EAS | 870 | MJ | ||
Disipación total | Ta=25ºC. | Ptot | 1,25 | W | |
TC=25ºC. | Ptot | 107 | W | ||
Temperatura de unión | TJ | -55~175 | ºC | ||
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -55~175 | ºC |
Características |
Conmutación rápida |
Baja resistencia |
Carga de puerta baja |
Baja capacidad de transferencia inversa |
100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único |
ΔVDS% 100 Prueba |
Aplicaciones |
Aplicaciones de conmutación de potencia |
Circuitos de alta frecuencia y conmutación por hardware |
Herramientas eléctricas |
Electrónica de automoción |
Sistema de alimentación ininterrumpida. |
Especificaciones del producto y modelos de embalaje | |||||
Modelo de producto | Tipo de paquete | Marcar nombre | RoHS | Paquete | Cantidad |
110N03 | TO-220C | 110N03 | Sin PB | Tubo | 1000/caja |
B110N03 | TO-251 | B110N03 | Sin PB | Tubo | 3000/caja |
D110N03 | TO-252 | D110N03 | Sin PB | Tubo | 2500/caja |
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