11,6A 700V MOSFET de potencia de cruce Super de canal N Dhsj12n70

• Aplicación: fuente de alimentación
• Número de lote: 2021
• Tecnología de fabricación: Dispositivo discreto
• Material: semiconductor de óxido metálico
• Model: dhsj12n70
• Paquete: to-220c
• No. de Modelo.: DHSJ12N70
• Tipo: Semiconductor de Tipo N
• voltaje: 700v
• actual: 11,6a
• marca: wxdh
• Paquete de Transporte: Tube
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

PARÁMETRO		SÍMBOLO	VALOR			UNIDAD
			DHSJ12N70/DHESJ12N70/DHBSJ12N70/DHDSJ12N70	DHFSJ12 N70
Tensión de la unidad de transmisión a la fuente		VDSS	700			V
Tensión de puerta a fuente		VGSS	±20			V
Corriente de drenaje (continua)		ID (T=25ºC)	11,6			R
Energía de Avalanche de pulso único		EAS	147			MJ
Disipación total	Ta=25ºC.	Ptot	2	2		W
	TC=25ºC.	Ptot	106	32		W
Temperatura de unión		TJ	-55~150			ºC
Rango de temperatura de almacenamiento		Tstg	-55~150			ºC

 

Características

Conmutación rápida

Baja resistencia

Carga de puerta baja

Baja capacidad de transferencia inversa

100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único

ΔVDS% 100 Prueba

Aplicaciones

Corrección del factor de potencia (PFC).

Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).

Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI).

 

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto	Tipo de paquete	Marcar nombre	RoHS	Paquete	Cantidad
DHSJ12N70	TO-220	DHSJ12N70	Sin PB	Tubo	1000/caja
DHFSJ12N70	TO-220F	DHFSJ12N70	Sin PB	Tubo	1000/caja
DHESJ12N70	TO-263	DHESJ12N70	Sin PB	CARRETE	800/caja
DHBSJ12N70	TO-251B	DHBSJ12N70	Sin PB	Tubo	3000/caja
DHDSJ12N70	TO-252B	DHDSJ12N70	Sin PB	CARRETE	5000/caja