Mbr10200CT Diodo de barrera Schottky 220 a-10A 200V

• voltaje: 200v
• actual: 10a
• tecnología de fabricación: dispositivo discreto
• tipo: semiconductor tipo n.
• material: silicio
• paquete: to-220
• No. de Modelo.: MBR10200CT
• aplicación: alimentación de conmutación
• modelo: mbr10200ct
• número de lote: 2021
• marca: wxdh
• Paquete de Transporte: Tube
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541100000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

Características

Alta temperatura de unión capabilia

Corriente de fuga baja

Baja resistencia térmica

Funcionamiento de alta frecuencia

Especificación de avalancha

Aplicaciones

Alimentación de conmutación

Circuitos de conmutación de potencia

Propósito general

 

PARÁMETRO			SÍMBOLO	VALOR	UNIDAD
Tensión inversa repetitiva pico			VRRM	200	V
RMS de tensión inversa			VR (RMS)	160	V
Tensión de bloqueo de CC			VR	200	V
Corriente de avance rectificada media (única)		TC = 120ºC.	SI (AV)	5	R
Corriente media rectificada hacia delante (doble)				10	R
Corriente de transitorios de pico repetitiva (única)			IFRM	10	R
Corriente de transitorios pico no repetitiva (única)		t=8,3ms	IFSM	120	R
Energía de avalancha (individual)		L=1mH	EAS	15	MJ
Temperatura de unión			TJ	-55~150	ºC
Temperatura de almacenamiento			Tstg	-55~150	ºC

 

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto	Tipo de paquete	Marcar nombre	RoHS	Paquete	Cantidad
MBR10200CT	TO-252	MBR10200CT	Sin PB	Trenza	3000/caja
MBR10200CT	TO-220	MBR10200CT	Sin PB	Tubo	1000/caja
MBRF10200CT	TO-220F	MBRF10200CT	Sin PB	Tubo	1000/caja