100V 50A N-MOSFET Dsd190n10L3

• Tecnología de Fabricación: Dispositivo Discreto
• Material: silicio
• Tipo: Semiconductor de Tipo N
• Paquete: to-252
• Aplicación: fuentes de alimentación de modo de conmutación
• Modelo: dsd190n10l3
• No. de Modelo.: DSD190N10L3
• Número De Lote: 2023
• Marca: wxdh
• voltaje: 100v
• actual: 50a
• Paquete de Transporte: Reel
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541100000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

 8A 650V SIC SCHOTTKYBARRIERDIODE
1 Descripción
La familia de productos de la serie SIC ofrece un rendimiento de vanguardia. Está diseñado para altas
aplicaciones de frecuencia en las que se requiere alta eficiencia y alta fiabilidad.

 

Características

Baja resistencia

Baja capacidad de transferencia inversa

prueba de energía de avalancha de pulso único del 100%

100% ΔVDS test CISS@

Chapado libre de PB / libre de halógenos / compatible con RoHS

Aplicaciones

Control y accionamiento del motor

Carga/descarga del sistema de gestión de la batería

Rectificador síncrono para SMPS

 Marcando la información de &embalaje

N.o de pieza	Paquete	Marcado	Tubo/carrete	Cant. (pc)
DSD190N10L3	TO-252	DSD190N10L3	Carrete	2500/caja
DSB190N10L3	TO-251	DSB190N10L3	Tubo	3000/caja

 

PARÁMETRO			SÍMBOLO	VALOR	UNIDAD
Tensión de la fuente de drenaje			VDS	100	V
Tensión de la fuente de la puerta			VGS	±20	V
Corriente de drenaje continua		TC = 25°C.	ID	50	R
		TC = 100°C.		35	R
Corriente de drenaje pulsada (TC = 25 °C, Tp limitada por Tjmax)			Pulso de ID	200	R
Energía de avalancha, pulso único (L=0,5mH, RG=25)			EAS	90	MJ
Disipación de potencia (TC = 25 °C)			Ptot	68	W
Temperatura de funcionamiento y de almacenamiento			TJ, T stg	-55~175	ºC