Tecnología de Fabricación: | Dispositivo Discreto |
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Material: | Metal-Oxide Semiconductor |
Tipo: | Semiconductor de Tipo N |
Paquete: | Toll |
Aplicación: | Power Switching |
Modelo: | Dsu024n10n3a |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
PARÁMETRO | SÍMBOLO | VALOR | UNIDAD | |
Tensión de la fuente de goteo | VDSS | 100 | V | |
Tensión de la fuente de la puerta | VGSS | ±20 | V | |
Corriente de drenaje (continua) | ID (T=25ºC) | 272 | R | |
(T=100ºC) | 192 | R | ||
Corriente de drenaje (pulsada) | ITM | 1089 | R | |
Energía de Avalanche de pulso único | EAS | 1225 | MJ | |
Disipación total | Ta=25ºC. | Ptot | 2,3 | W |
TC=25ºC. | Ptot | 375 | W | |
Temperatura de unión | TJ | -55~175 | ºC | |
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -55~175 | ºC |
Características |
Calificación AEC-Q101
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Baja resistencia a la on
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Baja capacidad de transferencia inversa |
100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único |
ΔVDS% 100 Prueba |
Chapado libre de PB / libre de halógenos / compatible con RoHS
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Aplicaciones |
Aplicaciones de conmutación de potencia
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Convertidores dc-dc
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Control de puente completo
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Aplicaciones de automoción
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Especificaciones del producto y modelos de embalaje | |||||
Modelo de producto | Tipo de paquete | Marcar nombre | RoHS | Paquete | Cantidad |
DSU024N10N3A
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PEAJE |
DSU024N10N3A
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Sin PB | CARRETE | 1800/caja |
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