100a 60V modo de mejora de canal N MOSFET de potencia Dh066n06D to-252B

• Aplicación: conmutación de potencia, convertidores, control de puente completo
• Número de lote: 2024
• Tecnología de fabricación: Discrete Device
• Material: semiconductor de óxido metálico
• Model: dh066n06d
• Paquete: to-252b
• No. de Modelo.: DH066N06D
• Tipo: P-Type Semiconductor
• voltaje: 60v
• actual: 100a
• marca: wxdh
• Paquete de Transporte: Reel
• Marca Comercial: WXDH
• Origen: Wuxi, China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: 500000000 Pieces/Year

Descripción de Producto

 

PARÁMETRO		SÍMBOLO	VALOR		UNIDAD
			DH066N06D
Tensión de la unidad de transmisión a la fuente		VDSS	60		V
Tensión de puerta a fuente		VGSS	±20		V
Corriente de drenaje (continua)		ID (T=25ºC)	100		R
		(T=100ºC)	63		R
Corriente de drenaje (pulsada)		ITM	400		R
Energía de Avalanche de pulso único		EAS	361		MJ
Disipación total	Ta=25ºC.	Ptot	1,7		W
	TC=25ºC.	Ptot	113		W
Temperatura de unión		TJ	-55~150		ºC
Temperatura de almacenamiento		Tstg	-55~150		ºC

 

Características

Conmutación rápida

Baja resistencia

Carga de puerta baja

Baja capacidad de transferencia inversa

100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único

ΔVDS% 100 Prueba

Aplicaciones

Aplicaciones de conmutación de potencia

Sistema de gestión de inversores

Herramientas eléctricas

Electrónica de automoción

 

Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto	Tipo de paquete	Marcar nombre	RoHS	Paquete	Cantidad
DH066N06D	TO-252B	DH066N06D	Sin PB	CARRETE	5000/caja