Óxido de galio Galio Partícula de galio Lingote de galio

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2016-10-21
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Información Básica.

No. de Modelo.
Gallium oxide gallium Gallium particle Gallium
Método de purificación
Zona de refinado
Método de preparación
Electrólisis de Fusibles Sales
Solicitud
Misas Catalyst, Materiales Energía, Fotoeléctrico de materiales, Fotograbación material, Medicina, Astronavegación, Computadora
Tipo De Producto
Imán de Tierra Rara
Composición
galio 9999
Paquete de Transporte
caja de madera
Especificación
partículas/bloques/polvo
Marca Comercial
taixie
Origen
Chian
Código del HS
7301100000
Capacidad de Producción
500kgs

Descripción de Producto

Gallium Oxide Gallium Gallium Particle Gallium Ingot

Óxido de galio

El galio

Partículas de galio

El galio lingote
Óxido de galio es un compuesto inorgánico con la fórmula química Ga2O3. Trióxido de galio, también conocido como trióxido de galio, es una banda ancha brecha semiconductor, Eg=4.9eV, cuya conductividad eléctrica y propiedades de la luminiscencia durante largo tiempo han atraído la atención. Ga2O3 es un material semiconductor de óxido transparente, que tiene una perspectiva amplia aplicación en dispositivos optoelectrónicos. Se utiliza como una capa aislante de Ga-basado materiales semiconductores y un filtro UV. También puede ser utilizado como un detector de producto químico O2.
 

El galio óxido; trióxido de galio; óxido de galio ; de óxido de galio (BASE DE LOS METALES); el trióxido de galio ; trióxido de galio,4N; el galio(III) óxido; óxido de galio,4N; óxido de galio, 5N

La investigación aplicada de difusión editorial

El galio óxido se utiliza como reactivo analítico de alta pureza para la preparación de materiales semiconductores en la industria electrónica.

En 2022, USTCM realizado progresos significativos en el campo de dispositivos de óxido de galio. Dos trabajos de investigación sobre dispositivos de óxido de galio (alta potencia de óxido de galio y el diodo Schottky de óxido de galio fotodetector) fueron aceptados por la 68ª Conferencia Internacional sobre los dispositivos electrónicos (IEEE IEDM).

Editor de propiedades químicas

Ga2O3 puede reaccionar con flúor gaseoso para producir GaF3 y ga2O3 se disuelve en un 50% de HF para obtener GaF3·3H2O. Ga2O3 es soluble en agua caliente diluir el  ácido, ácido clorhídrico y ácido sulfúrico. El Ga2O3 de sinterizado es insoluble en estos ácidos, incluso  los ácidos concentrados, ni en las soluciones acuosas de álcalis fuertes, y sólo puede ser disuelto por la fusión de NaOH, KOH, o KHSO4 con K2S2O7. Fusiona con dos veces el exceso de NH4Cl a 250ºC para formar cloruro de galio. En la red el calor, el ga2O3 reacciona con cuarzo para formar un cuerpo vítreo, pero no hay nuevos compuestos se forman a la refrigeración. Rojo calor también puede reaccionar con crisol de porcelana esmaltada.

Bajo la condición de calefacción, Ga2O3 puede reaccionar con muchos óxidos metálicos. La estructura cristalina de M(I)La GaO2 obtenida por la reacción de óxido de metal alcalino (superior a 400ºC) ha sido determinado. Al igual que Al2O3 y ln2O3, que reacciona con el MgO, ZnO, CoO, NiO y CuO formar espinela tipo M II)Ga2O4. La M(III)La GaO3 productos de reacción con los óxidos de metal trivalente tienen generalmente perovskite o estructura de tipo granate (p.ej. Lanthanide galliate LnGaO3). Y hay aún más complejos ternarios óxidos. Óxidos mixtos de galio utilizado en impresoras láser, y la fosforescencia materiales luminiscentes han sido estudiados. La luminosidad de las propiedades de galliate son atribuidos a las vacantes de oxígeno. Debido a sus propiedades electromagnéticas de interés (es decir, y de ferromagnetism piezoelectricity), la composición, estabilidad y estructura cristalina de FeGaO3 han sido ampliamente estudiados.

Ga2-xFexO3(x≈1) pertenece a la celda de cristal ortogonales parámetros son los siguientes: a=8,75A, B=9.40A, C=5,07, la coordinación número es 8, temperatura de fusión es de 1750ºC, la densidad es de 5.53g/cm3. El magnetismo y la estructura cristalina de NiO·Fe2-xGaxO3 también han sido investigadas

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