Alta Estabilidad Tg5032sfn Tcxo / Vc-Tcxo Oscilador de Cristal 10 MHz a 40 MHz 3.3 Oscilador de Cristal V

• Personalización: Disponible
• Proceso de dar un título: CE
• Escribe: tcxo
• No. de Modelo.: TG5032SFN
• temperatura de almacenamiento / humedad: -40 a 85ºc.
• descripción: personalizar
• garantía: 1 años
• aplicaciones: oscilación del cristal
• temperatura de funcionamiento / humedad: -40 a 85ºc.
• nombre del producto: oscilador de cristal
• dimensiones (an x pr x al): 5,00mm x 3,20mm
• salida: 3.3V
• peso neto/bruto: personalizado
• Paquete de Transporte: embalaje de cartón
• Marca Comercial: epson
• Origen: China

Descripción de Producto

Descripción del producto

 

Especificación

Elemento símbolo TG5032CFN (salida CMOS) TG5032SFN (onda sinusoidal recortada) Condiciones / observaciones TCXO VC-TCXO TCXO VC-TCXO frecuencia de salida
Rango de 10 MHz a 40 MHz 10, 12,8, 19,2, 20, 24,576, 25, 25,6, 26, 30,72, 38,4, 38,88, 40 MHz voltaje de alimentación de frecuencia estándar
VCC C: 3,3 V ± 5 % (rango de tensión de alimentación: 2,375 V a 3,63 V) temperatura de almacenamiento T_stg -40 ºC a +90 ºC almacenamiento como producto único
Temperatura de funcionamiento T_use G: -40 ºC a +85 ºC rango de temperatura estándar a) tolerancia de frecuencia f_tol ±1,0 × 10-6 Máx. Después de reflujo,
+25 ºC b) Características de frecuencia/temperatura fo-TC A: ±0,1 × 10-6 Máx. / -40 ºC a +85 ºC H: ±0,25 × 10-6 Máx. / -40 ºC a +85
ºC B: ±0,28 × 10-6 Máx. / -40 ºC a +85 ºC referencia a (fmax + fmin) / 2 c) frecuencia/carga coeficiente de ffo-carga ±0,1 × 10-6 Máx.
Carga ± 10 % d) Coeficiente frecuencia/tensión Fo-VCC ±0,1 × 10-6 Máx. VCC ± 5% e) frecuencia de envejecimiento f_age ±0,5 × 10-6 Máx. +25 °C,
Primer año ±3,0 × 10-6 Máx. +25 °C, 20 años estabilidad de Holdover (temperatura constante) - ±0,01 × 10-6 Máx. ( +25 °C , 24 horas)
Después de 10 días de funcionamiento continuo. ±0,04 × 10-6 Máx. ( +25 °C , 24 horas) después de 48 horas de funcionamiento continuo. Vagar
Generación (MTIE, TDEV) - - compatible con GR-1244CORE , ITU-T G,8262 precisión de ejecución libre - ±4,6 × 10-6 máx. Esto incluye el elemento a),
b), c), d) y e) consumo de corriente ICC 5,0 mA máx. 5,0 mA máx. 10 MHz ≤ fo ≤ 26 MHz 6,0 mA máx. 40 MHz < fo ≤ Entrada de 26 MHz
Rin de resistencia - 100 kΩ mín. - 100 kΩ Min. VC- GND (DC) rango de control de frecuencia f_cont - ±5 ×10-6 a ±10 ×10-6 - ±5 ×10-6 a ±10
×10-6 D :VC = 1,5 V ± 1,0 V a VCC = 3,3 V E :VC = 1,65 V ± 1,0 V en VCC = 3,3 V polaridad de cambio de frecuencia - polaridad positiva -
Simetría de polaridad positiva SYM 45 % a 55 % - 50 % nivel de VCC, L_CMOS 15 PF tensión de salida VOH 90 % VCC mín. - vol 10 % VCC máx.
- nivel de salida Vpp - 0,8 V Min. Tiempo de subida pico a pico / tiempo de caída tr/tf 8,0 ns Máx. - 90 % VCC a 10 % VCC, carga: 15 pF
Tiempo de arranque t_str 5,0 ms Max. t = 0 a 90% VCC condición de carga de salida carga 15 PF 10 kΩ // 10 PF